Schon seit rund 20 Jahren gibt es Pläne, Speicherkapazitäten via magnetischer anstatt elektrischer Ladungen zu speichern - so könnten auch bei einem Stromausfall die Daten gespeiochert werden. Aktuelle Flash-Speichermedien arbeiten mit genau dieser Technik, der Nachteil dabei ist jedoch die verringerte Geschwindigkeit gegenüber DRAM-Speicher. Die Vorteile beider Techniken soll NECs MRAM (Magnetoresistive Random Access Memory) vereinen, war bislang jedoch aufgrund des hohen Leistungsbedarfs ein Nischenprodukt. Aktuelle Fortschritte bestätigen dem Speicher zwar immer noch rund 1 Milliampere Schreibstrom pro 150-nm-Chip, dieser soll aber in Zukunft nur noch rund 0,2 Milliampere betragen. Dafür hat sich bei der Geschwindigkeit der Module einiges getan - 400 MHz sind aktuell möglich, 1 GHz soll schon bald möglich sein. Gedacht ist diese Technik laut Hersteller für Unterhaltungselektronik bzw. Smartphones. Werbung
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