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Intel und Micron entwickeln 20-nm-NAND-Speicher

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Intel und Micron entwickeln 20-nm-NAND-Speicher
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Die beiden Chiphersteller Intel und Micron haben angekündigt, dass die Entwicklung von NAND-Flash-Speicherbausteinen in der Strukturbreite von 20 Nanometern begonnen hat. Laut eigenen Angaben ist dieser Herstellungsprozess somit die kleinste und modernste Technologie, um Speicherbausteine herzustellen. Die ersten Chips werden eine Kapazität von 8,0 GB vorweisen können und werden vor allem im Bereich der Smartphones, Tablets oder SSDs zu finden sein. Durch den kleineren Herstellungsprozess ist es möglich die Chipgröße von 131 mm² (25 nm) auf 118 mm² zu verkleinern. Somit kann der Platzbedarf je nach Gehäuse um bis zu 40 Prozent reduziert werden und für eine größere Batterie oder ähnliches genutzt werden.

Erste Muster der 8-GB-NAND-Speicher werden bereits ausgeliefert. Die Serienproduktion soll in der zweiten Jahreshälfte 2011 beginnen. Bis zu diesem Zeitpunkt wollen die beiden Unternehmen auch die ersten 16-GB-NANDs präsentieren. Das Ziel der 20-nm-Technologie ist es, einen NAND-Flash mit einer Kapazität von 128 GB herzustellen, welcher die Größe einer Briefmarke besitzt. Dadurch sollen sogenannte "Single Solid State"-Speicherlösungen ermöglicht werden.

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