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Der koreanische Hersteller Samsung hat heute mitgeteilt, dass es gelungen ist, neue NAND-Flash-Bausteine zu entwickeln. Die neuen Chips verfügen über eine Kapazität von 64 Gb (8 GB) und setzen auf die MLC-Technologie. Darüber hinaus ist es gelungen, diese Chips in der Strukturbreite von 20 nm herzustellen und eine Übertagungsgeschwindigkeit von bis zu 400 Mbit pro Sekunde zu erreichen. Das Einsatzgebiet ist vor allem für den Bereich der SSDs und Smartphones beziehungsweise Tablets angedacht. Durch einen integrierten DDR-2.0-Controller ist der Einsatz in diesen Geräten problemlos zu realisieren. Mit diesen Flash-Bausteinen ist laut eigener Aussage eine SSD möglich, welche mit bis zu 800 MB/s arbeitet.
Erste Geräte mit diesen Chips sollen in der zweiten Jahreshälfte 2011 auf den Markt kommen. Diese Entwicklung kommt vor allem den noch relativ teuren SSDs zugute, da durch eine Vergrößerung der Kapazität bei gleichzeitiger Verringerung der Strukturbreite mehr Chips aus einem einzelnen Wafer gewonnen werden können.
"With this 20nm-class, 64Gb, toggle DDR 2.0 NAND, Samsung is leading the market, which is evolving to fourth-generation smartphones and SATA 6Gbps SSDs," said Wanhoon Hong, executive vice president, memory sales & marketing, Samsung Electronics. "We will continue to aggressively develop the world's most advanced toggle DDR NAND flash solutions with higher performance and density, since we see them as vital to enabling a greater diversity of services for mobile phone users worldwide."
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