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Die beiden Chiphersteller Intel und Micron haben via Pressemitteilung bekannt gegeben, dass die Produktion von neuen MLC-Flash-Speicher gestartet ist. Das Besondere an diesem NAND-Speicher ist das neue Produktionsverfahren und auch die hohe Kapazität der einzelnen Chips. So werden die Bauteile im 20-Naonmeter-Prozess produziert und bieten dabei eine Kapazität von 128 Gbit, als somit 16 GB. Insgesamt können bis zu acht dieser DIEs aufeinandergelegt werden und somit eine maximale Kapazität von 1,0 Tb erreicht werden. Des Weiteren konnten die beiden Unternehmen die Transfergeschwindigkeit erhöhen und so eine Übertragung von bis zu 333 MB/s erreichen. Damit ist die Leistung der 128-Gbit-Chips gegenüber den 64-Gbit-Bauteile fast um das doppelte gestiegen.
Um diese hohe Kapazität in einem 20-Nanometer-Prozess zu erreichen haben Intel und Micron eine besondere Technik eingesetzt. So soll bei den Speichern erstmals die planare Zellenstruktur zum Einsatz kommen und auch die High-k+Metal-Gate-Technik wurde eingesetzt. Außerdem konnte mit dieser Technologie das Problem vermieden werden, dass bei einer Verkleinerung des Produktionsprozesses die Speicher weniger Ausdauer besitzen. So sollen die 20-Nanometer-Flash-Speicher die gleiche Ausdauer besitzten wie die aktuellen 25-Nanometer-Chips und trotzdem können aus einem Wafer mehr Chips gewonnen werden als bisher. Ob sich dies in der Zukunft auch auf den Preis der SSDs und mobilen Geräte auswirken wird, wird sich erst noch zeigen müssen.
Die 64-Gbit-Chips werden bereits jetzt in der Massenproduktion hergestellt und erste Testmuster der 128-Gbit-Speicher werden aktuell an die verschiedenen Partner verschickt. Der Start der Massenproduktion des Flaggschiffs ist für Januar 2012 geplant.
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