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Samsung hat im Vorfeld der Computex 2014 die zweite Generation seiner 3D-V-NAND-Bausteine angekündigt. Die Speicherbausteine werden auf das sogenannte 3D-Verfahren setzen und somit mehrere Lagen auf einem Chip vereinen. Während die erste Generation noch 24 Funktionslagen in einem Chip vereint hat, soll die zweite Generation bis zu 32 Lagen aufnehmen können. Dadurch soll die Speicherkapazität pro Chip erhöht werden, womit die Produktionskosten gleichzeitig fallen. Zudem sollen durch die eingesetzte Technik die einzelnen Speicherzellen wieder größer werden, wodurch die Robustheit der Chip gesteigert werden soll.
Wann die ersten SSDs mit dem 3D-V-NAND in den Handel kommen werden, hat Samsung hingegen noch nicht verraten. Ebenfalls bleibt offen, zu welchem Preis die Laufwerke angeboten werden. Die Kapazitäten der SSDs sollen zwischen 128 GB und 1 TB liegen. Die Massenproduktion der zweiten Generation des 3D-V-NAND hat laut Samsung bereits begonnen und somit dürfte einem baldigen Produktstart nicht mehr allzu viel im Weg stehen. Genau Produktnamen der SSD-Serie hat Samsung aber noch nicht verraten.