Werbung
Mit Speicherchips auf Basis von 3D-XPoint hat Intel zusammen mit Micron bereits im letzten Jahr die nächste Generation von SSDs angekündigt. Die neuen Speicherchips sollen die Geschwindigkeit von Arbeitsspeicher mit den nichtflüchtigen Eigenschaften der aktuellen NAND-Bausteinen vereinen. Bisher war nur wenig über die neue Technik bekannt, aber Intel hat sich nun erstmals offiziell zum Zeitplan geäußert und auch weitere technische Daten bekanntgegeben.
Demnach setzen die Chips mit 3D-XPoint auf Phase-Change Memory (PCM) und somit kommen eine Chalkogenid-Legierung sowie Ovonyx-Schaltelemente zum Einsatz. Die aktuellen CDs und auch DVDs setzen zum Speichern der Daten auf ähnliche Materialien und auch der Phasenwechsel wird zum Speichern der Daten eingesetzt. Weiterhin gibt Intel an, dass die ersten Musterchips für das aktuelle Jahr geplant seien. Die Massenproduktion hingegen soll frühestens in 12 bis 18 Monaten anlaufen und somit ist mit einem Start von ersten Endkundenprodukten vor dem Jahr 2017 nicht mehr zu rechnen. Als Grund für den späten Produktionsstart nennt das Unternehmen den Einsatz von neuen Materialien, die der Hersteller erst besser kennenlernen müsse. Außerdem seien die Materialien bei nur wenigen Zulieferern erhältlich, sodass es schnell zu Lieferverzögerungen kommen könne.
{jphoto image=79752}
Trotzdem möchte Intel die neue Speichertechnik so schnell wie möglich etablieren, um noch schneller Laufwerke anbieten zu können. Die ersten SSDs auf Basis von 3D-XPoint sollen unter der Optane-Baureihe erscheinen.