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Erst gestern hat Samsung seinen neusten V-NAND mit 64 Lagen angekündigt – heute zieht der direkte Kontrahent SK Hynix nach. Das Unternehmen setzt bei seiner vierten Generation des 3D-NANDs vor allem auf eine höhere Performance bei gleichzeitig geringeren Produktionskosten. Der 3D-NAND V4 wird laut SK Hynix pro Chip eine Kapazität von 256 GBit fassen und auf die TLC-Technik mit drei Bit pro Zelle zurückgreifen. Der Vorteil der vierten Generation liegt vor allem in der Produktion, denn laut dem Unternehmen können pro Wafer rund ein Drittel mehr Chips gewonnen werden. Dies ermöglicht eine Reduzierung der Produktionskosten, da pro Wafer mehr Chips herausgeschnitten werden können und somit die Effizienz gesteigert wird.
Darüber hinaus soll der 3D-NAND V4 eine höhere Leistung bieten. SK Hynix spricht von einer um 40 % höheren Lese- und Schreibleistung, gibt jedoch keine genauen Zahlen bekannt. Zudem soll sich die Energieaufnahme um rund 15 % verringern. Die ersten Flash-Speicher der vierten Generation sollen im vierte Quartal 2016 die Fabrikhallen verlassen und damit gleichzeitig mit dem kommenden V-NAND von Samsung starten. Samsung bietet bei seiner vierten Generation allerdings mit 512 GBit pro Chip eine deutlich höhere Speicherkapazität. Ob die Produktionskosten letztendlich bei Samsung oder SK Hynix niedriger ausfallen werden, muss erst einmal abgewartet werden. Auf jeden Fall sollten die Preise für SSDs mit der neusten Generation des Flash-Speichers noch weiter fallen. Wahrscheinlich zwar nicht direkt mit der Veröffentlichung, jedoch über die nächsten Monate hinweg.