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Intel und Micron haben bereits den Verkauf der ersten SSDs auf Basis von 3D-Xpoint-Speicherchips gestartet, während Samsungs Z-NAND weiterhin auf sich warten lässt. Das südkoreanische Unternehmen hat nun jedoch mit der SZ985 das erste Laufwerk angekündigt und nennt weitere technische Dateils.
Die SZ985 wird als Steckkarte in den Handel kommen und eine Kapazität von 800 GB bieten. Aufgrund des eingesetzten Z-NAND sollen sowohl die Vorteile von schnellem DRAM als auch die Möglichkeit einer dauerhaften Speicherung der Daten über NAND-Bausteine vereint werden. Z-NAND ist für Samsung der direkte Gegenspieler zum 3D XPoint von Intel und Micron. Die nun angekündigte SSD wird mit einem PCI-Exrpress-3.0-x4-Interface an den Start gehen. Das Laufwerk soll darüber bis zu 3,2 GB/s übertragen können. Diese Angabe gilt sowohl für das Lesen als auch Schreiben der Daten. Bei zufälligen Zugriffen werden von Samsung 750.000 IOPS lesend und 150.000 IOPS schreibend angegeben.
Blickt man nun auf die Leistungsdaten der Optane P4800X mit ihrem 3D-Xpoint, unterscheiden sich die Leistungsdaten deutlich. Intel gibt eine Transferrate von 2,4 GB/s beim Lesen und 2,0 GB/s beim Schreiben an und liegt damit deutlich unter den Angaben der SZ985. Bei den zufälligen Zugriffen ist Intel mit 550.000 IOPS in beide Richtungen allerdings konstanter unterwegs.
Wichtig sind aber auch die Latenzen. Diese gibt Samsung mit typischen 12 bis 20 µs für das Lesen und 16 µs für das Schreiben an. Die Intel Optane SSD DC P4800X soll typische Latenzen für das Lesen und Schreiben von 10 µs vorzuweisen haben.
Trotz der ersten Leistungsdaten gibt es auch weiterhin keinen Termin oder Preis für die erste SSD auf Basis von Z-NAND von Samsung. Somit bleibt weiterhin abzuwarten inwiefern sich die beiden Laufwerke auch preislich unterscheiden werden.