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Noch im Frühjahr wird Intel ein neues Speichermodul im M.2-Formfaktor auf den Markt bringen. Darin vereinen sich zwei der wichtigsten Entwicklungen, die Intel in den vergangenen Jahren vollzogen hat – 3DXPoint alias Optane Memory und QLC-NAND. Vor allem der Optane-Speicher ist inzwischen in zahlreichen Produktserien von Intel zu finden. Über Datacenter und Endkunden-SSDs bis hin zu Hybrid-DIMM-Einsatz für die Xeon-Servern.
Mit der SSD 660p hat Intel eine SSD mit QLC-NAND vorgestellt, die wir auch schon getestet haben. Auch Samsungs SSD 860 QVO setzt auf den Speicher mit der höchsten Speicherdichte, der allerdings noch einige Schwachpunkte hat. Über kurz oder lang wird QLC-NAND größere Marktanteile in vielen Bereichen gewinnen.
Genau hier setzt die Optane Memory H10 von Intel an. Auf ihr werden die Vorteile der beiden Speichertechniken vereint – Optane-Speicher und QLC-NAND. Der Optane-Speicher dient als Cache, während der QLC-NAND die Daten längerfristig speichert. Damit setzt Intel die bekannte Umsetzung als Caching-SSD fort, die bereits vor fast zwei Jahren ihren Anfang machte.
Bisher stehen weitere technische Daten zur Optane Memory H10 noch aus. Bekannt sind einzigen die Kapazitäten der beiden Speicher. Einmal sind es 16 GB Optane-Speicher mit 256 GB QLC-NAND und einmal 32 GB Optane-Speicher mit 512 GB oder 1 TB QLC-NAND. Angaben zur Geschwindigkeit fehlen. Bei einer Verfügbarkeit im Frühjahr kann es aber nicht mehr lange dauern, bis Intel weitere Details nennt.