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Das südkoreanische Unternehmen Samsung gab jetzt bekannt, dass der Konzern mit der Massenproduktion von 250-GB-SATA-Solid-State-Laufwerken (SSD) begonnen hat, die mit der sechsten Generation des V-NAND Flash-Speichers bestückt sind. Samsungs V-NAND der sechsten Generation bietet laut eigenen Angaben die branchenweit schnellste Datenübertragungsrate.
Unter Verwendung der "Channel Hole Etching"-Technologie soll der neue V-NAND der bisherigen 9-lagigen Single-Stack-Struktur rund 40 Prozent mehr Zellen hinzufügen. Die Gesamtanzahl der Layer beläuft sich auf 136 Schichten. Die neue Generation soll Zugriffszeiten erreichen, die bei unter 450 Mikrosekunden (?s) für Schreibvorgänge und unter 45 ?s für Lesezugriffe liegen. Im Vergleich zur Vorgängergeneration gibt der Hersteller eine Leistungssteigerung von mehr als 10 % an, während der Stromverbrauch um mehr als 15 % reduziert wird. Aufgrund des Designs der V6 wird der Mischkonzern nach eigenen Angaben in der Lage sein, V-NAND-Lösungen der nächsten Generation mit über 300 Schichten anzubieten.
Darüber hinaus ist die Anzahl der Channel Holes, die für die Erzeugung einer 256-GB-Chipdichte erforderlich sind, von über 930 Millionen bei der vorherigen Generation auf 670 Millionen Channel Holes gesunken. Dies hat eine Reduzierung der Chipgrößen zur Folge. Zudem werden weniger Fertigungsschritte benötigt. Dies soll insgesamt zu einer Verbesserung des Fertigungsprozesses um mehr als 20 % führen.
Des Weiteren verfolgt Samsung mit der neuesten Generation an 3D-V-NAND das Ziel den Automobilmarkt zu beliefern und nicht nur mobile Geräte oder Enterprise-Server mit den Chips zu bestücken.