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Zur diesjährig virtuell abgehaltenen Fachmesse Flash Memory Summit hat Halbleiterhersteller Micron seine fünfte Generation von 3D NAND Flash-Speichern mit beeindruckenden 176 Schichten für SSDs angekündigt. Der neue NAND unterstützt eine Übertragungsrate von bis zu 1.600 MT/s, gegenüber 1.200 MT/s bei den 96-, beziehungsweise 128-Layer-Vorgänger. Dadurch sollen sich auch die Lese- und Schreiblatenzzeiten um über 35 % gegenüber dem 96-Layer Vorgänger und um 25 % gegenüber dem 128-Layer-Modell verbessern. Darüber hinaus wird eine Verbesserung bei gemischten Workloads von zusammengenommen etwa 15 % im Vergleich zu den hauseigenen UFS 3.1-Modulen mit 96L-NAND angegeben.
Obwohl noch einige technische Details zurückgehalten werden und erst Ende des Monats veröffentlicht werden sollen, kann man einem Bericht auf der Seite Anandtech entnehmen, dass es sich bei den ersten 176L-Produktionen um 512-Gbit-TLC-Chips handelt, die unter Verwendung von String-Stacking von zwei 88-lagigen Decks gebaut wurden.
Zudem soll die Umstellung auf ein Ersatz-Gate/Charge Trap-Zellendesign eine dünnere Schichtdecke ermöglichen. So sollen die neuen 176-Schichten-Chips 45 µm dick sein. Das entspricht ungefähr der Gesamtdicke von Microns 64L-Floating-Gate-3D-NAND. Des weiteren setzt Micron, wie auch bei früheren Generationen darauf, die Peripherielogik des Chips überwiegend unter den NAND-Speicherzellenstapeln herzustellen. Das Verfahren wird von Micron selbst "CMOS under Array" genannt. Dies soll Micron geholfen haben, den 176L-512-Gbit-Die etwa 30 % kleiner als vergleichbare Lösungen der Konkurrenz zu bauen.
Micron soll bereits mit der Massen-Fertigung des neuen Speichers begonnen haben, unter anderem soll der neue Speicher bald in SSD-Produkten der Marke Crucial für Endverbraucher zugänglich sein. Ein genaues Datum der Verfügbarkeit ist nicht bekannt. Allerdings sei selbst bei einem Release in diesem Jahr mit geringen Stückzahlen zu rechnen. Nächstes Jahr sollen voraussichtlich größere Mengen zur Verfügung stehen.