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Zur Computex stellt Micron die nächste Generation der eigenen Endkunden-SSDs vor, die allesamt auf PCI-Express 4.0 basieren, bzw. einen entsprechenden Controller verwenden. Über die 3400- und 2450-Serie teilt Micron das Angebot in zwei Produktkategorien auf – allesamt mit 176-Layer 3D TLC NAND bestückt. Dieser erreicht Datenraten von 1.600 MT/s, so dass es auf Seiten des eigentlichen Speichers eine gewisse Beschleunigung gibt. Micron ist einer der letzten Hersteller, der auf den PCIe-4.0-Zug aufspringt.
Die M.2-Variante der 3400-Serie bietet Kapazitäten von 512 GB bis 2 TB. Der Controller ist eine eigene Entwicklung, der PCI-Express 4.0 und NVMe 1.4 unterstützt. Als M.2-2280 handelt es sich um eine NVMe-SSD in der Standardgröße, die so auf vielen Mainboards ihren Platz finden könnte. Leider macht Micron keine Angaben zu den Datendaten. Lesend sollten allerdings 6.600 MB/s für sequenziellen Zugriffe möglich sein, schreibend 5.000 MB/s.
Mit der 2450-Serie richtet sich Micron an die preisbewussten Käufer einer SSD. Die Varianten bieten hier eine Kapazität von 256 bis 1 TB und neben dem Standard-Format M.2-2280 gibt es außerdem die kürzeren Varianten M.2-2242 und M.2-2230. Für die SSDs der 2450-Serie verwendet man einen Controller eines externen Herstellers, ohne diesen genauer zu benennen. Es fehlen daher entsprechende Angaben zu den Datenübertragungsraten. Einzig die Unterstützung von PCI-Express 4.0 und NVMe 1.4 wird genannt.
Die SSDs der 3400- und 2450-Serie von Micron werden bereits gefertigt und an OEM-Kunden ausgeliefert. Da der Hersteller diese für Intels Project Athena und AMDs PCIe Power Speed Policy und Microsoft Windows Modern Standby validiert hat, dürften diese SSDs in zahlreichen Notebooks zum Einsatz kommen, die ab Juni/Juli ausgeliefert werden.
Micron fährt 1?-DRAM-Fertigung hoch
Anfang des Jahres kündigte Micron an, dass der erste 1?-DRAM vom Produktionsband gerollt sei. Im Vergleich zu 1z-DRAM soll der neue Speicher eine um 40 % höhere Speicherdichte vorzuweisen haben. DDR4 auf Basis des 1?-DRAM machte zunächst den Anfang, nun kündigt Micron an, dass auch LPDDR4X mit dem neuen DRAM bestückt wird und eine um 15 % geringere Leistungsaufnahme vorzuweisen hat. Die geringere Leistungsaufnahme spielt im mobilen Segment, und hier kommt LPDDR4X zum Einsatz, eine wesentliche Rolle.
Weitere Neuerungen im Speicherbereich gibt es nicht. Weder zu DDR5, noch zu LPDDR5 wollte Micron neue Details veröffentlichen. Der 1?-DRAM dürfte sich ab Ende 2021 und spätestens im Verlaufe des Jahres 2022 dann aber auch in den neuesten Speicherplattformen wiederfinden.
Darüber hinaus arbeitet Micron an einem CXL Attached Memory, der per PCI-Express 5.0 an den Host angebunden wird. Details zum Speichersystem wollte man allerdings nicht verraten. Samsung stellte kürzlich ebenfalls ein CXL-Memory-Erweiterungsmodul vor.
Update:
Zur 3400-Serie (PDF) und zur 2450-Serie (PDF) gibt es inzwischen die entsprechenden Datenblätter. Darin sind auch die Werte für das sequentielle Lesen und Schreiben sowie die IOPS und TBW zu finden.