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Im Vorfeld des Flash Memory Summit in der kommenden Woche hat Micron seinen neuen NAND-Speicher mit 232 Lagen vorgestellt. Damit einher geht auch die Präsentation eines neuen 3 Bit TLC-NAND, der eben auf diesem neuen 232L-NAND basiert und neben der höheren Speicherdichte auch eine höhere Speicherbandbreite ermöglicht.
Der bisher NAND-Speicher von Micron mit den meisten Lagen verwendete zwei Stapel an 88L-NAND - basierte somit insgesamt auf 176 Lagen. Nun sind es zweimal 116 und somit insgesamt 232 Lagen. Bisher war nur Samsung in der Lage, solche Stacks mit mehr als 200 Lagen zu produzieren. In der Serienfertigung befindet sich dieser aber noch nicht. Der 232L-NAND erreicht eine Speicherdichte von 14,6 GBit/mm², was einer Steigerung von 43 % gegenüber dem bisher verwendeten 176L-NAND entspricht.
Auf der einen Seite ermöglicht die höhere Speicherdichte eine höhere Kapazität pro NAND-Package, auf der anderen Seite werden die einzelnen Speicherchips aber auch größer. Dem wirkt Micron mit einem neuen Package entgegen, welches den einzelnen NAND-Speicher von 12 x 18 mm (216 mm²) auf 11,5 x 13,5 mm (155 mm²) verkleinert. Somit werden kompaktere Bauformen für den Speicher verfügbar bzw. auf gleicher Fläche kann eine höhere Kapazität untergebracht werden.
Um auch die Bandbreite zur erhöhen, mit der auf den NAND zugegriffen werden kann, verfügt jeder einzelne Speicherstapel nun über sechs anstatt wie bisher nur vier sogenannter Planes. Dies ermöglicht eine um 50 % höhere Kapazität paralleler Zugriffe. Zugleich kann per ONFi 5.0 (ein neue Methode der Signalübertragung des NAND) mit 2.400 MT/s auf den Speicher zugegriffen werden, sodass der Schreib- und Lesedurchsatz für die NAND-Stapel ebenfalls um 50 % steigt.
Die Massenproduktion des 232L-NAND soll gegen Ende des Jahres beginnen. Mit diesem will Micron den bisherigen 176L-NAND ersetzen und das gefertigte Speichervolumen drastisch erhöhen. Ab 2023 ist dann mit den ersten Produkten zu rechnen, die den neuen 232L-NAND verwenden.