Immer neue Handelsbeschränkungen und Ausfuhrverbote und dennoch: Nach einer Analyse von TechInsights fertigt Yangtze Memory Technologies (YMTC) den NAND-Flash mit der höchsten Speicherdichte und übertrifft damit die etablierten Hersteller wie Micron, WD, Kioxia und Samsung. Dabei ist YMTC längst kein unbekannter Name am Markt mehr und teilweise wird deren NAND-Flash in Hardware wie den Macs von Apple verbaut.
Der in der Zhitai Ti600 SSD verbaute NAND-Flash ist ein QLC-Speicher (Quadruple Level Cells), der vier Bits pro Speicherzelle ablegen kann. In Kombination mit der verwendeten Schicht-Technologie erreicht YMTC eine Speicherdichte von 19,8 GBit/mm². Die westliche Konkurrenz liegt aktuell bei etwa 15 GBit/mm².
YMTC erreicht dies durch die Nutzung von zwei Wafern. Auf einem Wafer werden die eigentlichen Speicherlagen gefertigt, auf dem zweiten die Logiklagen. Final werden diese beiden Wafer zusammengebracht und der fertige Speicherchips ist entstanden. Insgesamt kommt der NAND-Flash von YMTC auf 232 Lagen. Dies ist deutlich aufwändiger als die Techniken der westlichen Speicherhersteller. Hier werden die Logik- und Speicherlagen auf einem Wafer belichtet. Dies hat sicherlich Kostengründe und die zuletzt niedrigen Speicherpreise in Verbindung mit prall gefüllten Lagern haben sicherlich dazu geführt, dass eine Weiterentwicklung mit mehr Lagen gebremst stattfand. YMTC konnte so die technologische Lücke weitestgehend schließen.
Zum Einsatz kommt der neue Speicher auf der besagten Zhitai Ti600 SSD. Diese ist mit einem ebenfalls aus China stammenden Controller aus dem Hause Maxio ausgestattet, der wiederum per PCIe 4.0 an das System angebunden wird.
Samsung und Micron arbeiten ebenfalls an QLC-NAND-Flash mit 232 Lagen. Bei Sk hynix konzentriert man sich auf TLC (Triple Level Cell) der zukünftig bis zu 300 Lagen und mehr erreichen können soll. Bei Intel arbeitet man an PLC-NAND-Flash (Penta Level Cell), der fünf Bits pro Speicherzelle speichert und die Speicherdichte damit noch einmal deutlich steigert. Sowohl Intel wie auch Sk hynix kämen rechnerisch auf über 20 GBit/mm²
NAND-Flash Speicherdichte
TLC, QLC und PLC
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Der Werte für Intels 192L PLC und den 300L+-TLC von Sk hynix sind nicht bestätigt. Einige Datenpunkte stammen direkt vom Hersteller, aber auch ComputerBase diente uns als Quelle.
Zusammen mit der kürzlichen Veröffentlichung des HiSilicon Kirin 9000s, der bei SMIC gefertigt wird und dort in 7 nm vom Band läuft, zeigt sich Chinas Bestreben die Handelsbeschränkungen zu überwinden und eine eigene Halbleiterlieferkette aufzubauen. Diese Bestrebungen sind offenbar erfolgreicher als man dies aus politischer Sicht aus dem Westen gerne sehen würde.