[url=http://www.samsung.de]Samsung[/url] hat die Fertigstellung erster CompactFlash Karten mit 32 GBit Speicherbausteinen bekannt gegeben. Der in einer Strukturbreite von 40 nm gefertigte Halbleiter wird die Kapazität von CF-Karten nochmals deutlich erhöhen. Auf eine normale Compact Flash Karte passen 16 Speicherbausteine. Durch den neuen Speicher lassen sich somit maximal 64 GB auf einer Karte unterbringen. Die Module werden in der CTF-Architektur (Charge Trap Flash) gefertigt. Diese Bauweise soll das Inter-Cell-Rauschen vermindern und die Performance des Speichers erhöhen. Über den Preis und den Beginn der Serienfertigung ist bisher noch nichts bekannt. Fest steht allerdings, dass Samsung damit eine der bisher feinsten Strukturen im Halbleiterbereich herstellen wird. Durch die vergleichsweise einfachen Schaltungen waren Flash-Chips dem Rest der Branche schon immer eine Generation voraus. CompactFlash Karten mit 64 GByte
[url=http://www.samsung.de]Samsung[/url] hat die Fertigstellung erster CompactFlash Karten mit 32 GBit Speicherbausteinen bekannt gegeben. Der in einer Strukturbreite von 40 nm gefertigte Halbleiter wird die Kapazität von CF-Karten nochmals deutlich erhöhen. Auf eine normale Compact Flash Karte passen 16 Speicherbausteine. Durch den neuen Speicher lassen sich somit maximal 64 GB auf einer Karte unterbringen. Die Module werden in der CTF-Architektur (Charge Trap Flash) gefertigt. Diese Bauweise soll das Inter-Cell-Rauschen vermindern und die Performance des Speichers erhöhen. Über den Preis und den Beginn der Serienfertigung ist bisher noch nichts bekannt. Fest steht allerdings, dass Samsung damit eine der bisher feinsten Strukturen im Halbleiterbereich herstellen wird. Durch die vergleichsweise einfachen Schaltungen waren Flash-Chips dem Rest der Branche schon immer eine Generation voraus.