Mit einer neuen Technologie möchte Qimonda nicht nur die Datendichte von Speicher erhöhen, sondern gleichzeitig den Verbrauch senken. Zwar nannten die Speicherhersteller keine Zahlen, doch wurde ein Diagramm gezeigt, nach dem die neuen Speicherzellen nur noch die Hälfte der Energie benötigen soll. Bei den derzeitigen Speicherzellen wird ein Graben in das Silizium gezogen. Die Datenleitungen für die Bits und Words verlaufen oberhalb dieses Grabens, was dieser Speicherform auch den Namen "Stacked DRAM" gab. Bei Qimondas neuem Speicher verläuft die Wordline allerdings unterhalb der Speicherzelle, weshalb das Unternehmen dieses Verfahren "Buried Wordline" getauft hat. Entsprechende Speicherzellen mit 1 Gigabit Kapazität will Qimonda noch im zweiten Quartal 2008 ausliefern, zunächst mit 65 nm breiten Strukturen und ab Mitte 2009 mit einer Strukturbreite von 45 nm. Auch bei den zukünftigen Speicherzellen soll das Verfahren eingesetzt werden, beispielsweise bei den für Mitte 2010 erwarteten in 30 nm Strukturen hergestellten Chips. Bis jetzt ist Qimonda der erste Hersteller, der Speicher mit "Buried Wordline" angekündigt hat, obwohl auch andere Hersteller, wie Marktführer Samsung, an entsprechenden Chips arbeiten.
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