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Samsung präsentiert neuen GDDR6-Speicher

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Samsung präsentiert neuen GDDR6-Speicher
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Bereits mehrfach wurden nun schon über die baldige Einführung eines neuen Grafikspeicher-Standards aus der Graphics-Double-Data-Rate-Serie (GDDR) gesprochen, der in Kürze in der sechsten Generation vorliegen wird. Samsung und SK Hynix haben bereits die Produktion von GDDR6 angekündigt. SK Hynix sprach bereits von einer Auslieferung zu Beginn des Jahres 2018. Während SK Hynix von GDDR5 auf GDDR6 springt, sieht Samsung GDDR6 als Ersatz zu GDDR5X, der beispielsweise auf der GeForce GTX 1080 Ti und NVIDIA Titan Xp zum Einsatz kommt.

Bisher hat Samsung GDDR6 mit 14 bis 16 GBit/s pro I/O-Pin angekündigt. Angaben zu den konkreten Kapazitäten pro Chip gibt es hingegen noch nicht. SK Hynix ist hier schon einen Schritt weiter und hat mit dem "2Znm 8Gb(Gigabit) GDDR6(Graphics DDR6)" einen Chip mit 1 GB Kapazität angekündigt, der 16 GBit/s erreichen soll. GDDR5X liefert aktuell pro Chip eine Bandbreite von 10 GBit/s, geplant sind bis zu 14 GBit/s bei einer Kapazität von 512 MB bis 2 GB pro Chip.

Der nun von Samsung angekündigte GDDR6 soll eine Kapazität von 2 GB pro Chip aufweisen. Dieser liefert die von Samsung bereits genannten 16 GBit/s pro I/O-Pin und kommt auf eine Speicherbandbreite von 64 GB/s. Ein typischer Speicherausbau von 8 GB und damit vier Chips ergäbe demnach 256 GB/s. Bei 16 GB Kapazität sprechen wir von 512 GB/s. Die notwendige Spannung soll bei nur 1,35 V liegen.

In der Ankündigung zu den CES Innovation Awards findet sich die entsprechende Ankündigung:

"Samsung 16Gb GDDR6 Memory – The fastest and lowest-power DRAM for next generation, graphics-intensive applications. It processes images and video at 16Gbps with 64GB/s data I/O bandwidth, which is equivalent to transferring approximately 12 full-HD DVDs (5GB equivalent) per second. The new DRAM can operate at 1.35 volts, offering further advantages over today’s graphics memory that uses 1.5V at only 8Gbps."

GDDR6 wird 2018 und die Jahre darauf der wichtigste Gegenspieler zu High Bandwidth Memory sein. Beide Speichertechnologien können den High-End-Markt bedienen, stellen aber unterschiedliche Anforderungen an die Fertigung von GPU und den dazugehörigen Package. AMD setzte recht früh auf ein HBM-Design, erstmals mit der Fiji-GPU und nun mit den Vega-Karten. NVIDIA zeigte sich etwas zurückhaltender und verwendet HBM2 bisher nur auf den Compute-Beschleunigern Tesla P100 und V100 (GP100 und GV100). Für die High-End-Modelle hat man zusammen mit Micron GDDR5X entwickelt, den auch Samsung fertigt.