Damit das Moore’sche Gesetz auch über das Jahr 2015 hinaus seine Gültigkeit behalten kann, setzt [url=http://www.intel.de]Intel[/url] auf die Entwicklung eines Enhancement Mode Transistors, der Indiumantimonid verwendet, um elektrische Ströme im Innern eines Mikroprozessors zu schalten. Diese Transistoren arbeiten mit einer reduzierten elektrischen Spannung von ungefähr 0,5 Volt. Dies ist in etwa die Hälfte dessen, was heutige Mikroprozessoren benötigen.Wissenschaftler von Intel und QinetiQ haben zusammen einen Enhancement-Mode-Transistor gezeigt, der Indiumantimonid (chemisches Symbol: InSb) verwendet, um elektrische Ströme im Innern eines Mikroprozessors zu schalten. Dieser Prototyp ist viel schneller und verbraucht viel weniger Energie als bisher vorgestellte Transistoren. Intel erwartet, daß dieses neue Material Silizium ergänzt und damit das Moore’sche Gesetz weiter vorantreibt.Die starke Reduzierung des Energieverbrauchs auf Transistorenebene begleitet durch Leistungssteigerung könnte sehr wichtig werden, um Plattformen mit neuen Funktionen zu erweitern und damit Anwenderbedürfnisse zu erfüllen. Der geringere Energieverbrauch und die geringere Wärementwicklung würde die Akkulaufzeit bei mobilen Geräten stark erhöhen und bietet dann neue vielseitige Möglichkeiten, um kleinere und leistungsstärkere Geräte zu bauen.
„Die Ergebnisse dieser Forschung bekräftigen unsere Zuversicht, dass das Moore’sche Gesetz auch über das Jahr 2015 hinaus seine Gültigkeit behalten kann. Wie bereits mit anderen technischen Entwicklungen von Intel erwarten wir, daß diese neuen Materialien dazu beitragen, daß auch in Zukunft Halbleiter auf Silizium basieren,“ sagte Ken David, Director Components Research für Intels Technology and Manufacturing Group. „Durch das neue Material bekommen wir 50 Prozent mehr Leistung und gleichzeitig können wir den Energieverbrauch um ungefähr das 10-fache senken. Das gibt uns die Möglichkeit, zukünftige Plattformen hinsichtlich Leistung und Energieverbrauch zu optimieren.“
InSb ist ein III-V-Halbleiter und besteht aus Elementen der Gruppen III und V des Periodensystems. Diese Halbleiter werden heute in vielen eigenständigen und sehr kleinen integrierten Geräten wie Hochfrequenz-Verstärkern, Geräten, die mit Mikrowellen arbeiten und Halbleiter-Lasern verwendet.
Wissenschaftler von Intel und QinetiQ hatten bereits vor kurzem Transistoren mit InSb vorgestellt. Die heute vorgestellten Prototypen sind mit einer Gate Länge von 85nm um mehr als die Hälfte kleiner. Damit sind sie die kleinsten jemals vorgestellten Enhancement-Mode-Transistoren. Enhancement-Mode-Transistoren sind die am weitest verbreiteten Transistoren bei Mikroprozessoren und anderen logischen Bauteilen. Diese Transistoren arbeiten mit einer reduzierten elektrischen Spannung von ungefähr 0,5 V. Dies ist in etwa die Hälfte dessen, was heutige Mikroprozessoren verbrauchen.
„Die Zusammenarbeit mit anderen weltweit führenden Unternehmen wie Intel ist ein sehr gutes Beispiel, wie QinetiQ seine Forschung auf Technologien mit kommerziellem Potential richtet,“ sagte Tim Phillips, Business Manager der Fast Transistors Group bei QinetiQ.
Einzelheiten werden auf der IEDM Konferenz vom 5. bis 7. Dezember in Washington D.C. bekannt gegeben. Hierzu wird es eine Veröffentlichung geben mit dem Titel „85nm Gate Length Enhancement and Depletion mode InSb Quantum Well Transistors for Ultra High Speed and Very Low Power Digital Logic Applications.“