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Es ist zwar noch etwas hin bis Qualcomm offiziell seinen neusten Snapdragon 8 Gen 3 vorstellen wird, schon jetzt aber machen Gerüchte die Runde, dass dieser gegenüber dem Snapdragon 8 Gen 2 einen Leistungszuwachs von bis zu 30 % erzielen könnte und das obwohl dem Konzern nicht der hochmoderne 3-nm-Prozess von TSMC für die Massenproduktion zur Verfügung stehen wird. Gefertigt werden soll der Snapdragon 8 Gen 3 noch in einem 5-nm-Prozess – genauer gesagt dem N4P von TSMC.
Dies soll dem SoC dennoch einen deutlichen Leistungsvorsprung gegenüber seinem Vorgänger ermöglichen, ohne dabei Kompromisse hinsichtlich der Energieeffizienz eingehen zu müssen. Der Twitter-Nutzer Revegnus hat in einem Tweet die ungefähren Leistungswerte des Snapdragon 8 Gen 3 skizziert. Vor allem die neue GPU, bei der es sich voraussichtlich um die Adreno 750 handeln wird, soll in OpenCL-Tests 30 % schneller sein als der Grafikprozessor des Snapdragon 8 Gen 2. Im selben Tweet heißt es, dass die Multi-Core-Leistung um 20 % höher ausfallen wird als bei seinem Vorgänger.
Schwächeln soll der Snapdragon 8 Gen 3 allerdings beim Single-Core-Leistungszuwachs. Dieser soll zwischen den Generationen mit einem Zuwachs von 13 % eher geringfügig zulegen. Das bedeutet, dass Qualcomm sich nicht auf die Erhöhung der Taktrate des Cortex-X4 konzentrieren wird, um ihm einen nennenswerten Vorteil gegenüber dem Cortex-X4 zu verschaffen, sondern dass die Anwesenheit von mehr Cortex-A720-Kernen den Ausschlag zugunsten des Snapdragon 8 Gen 3 geben sollen.
Offiziell vorgestellt werden soll der Snapdragon 8 Gen 3 am 24. Oktober. Spekuliert wird darüber, dass Qualcomm zur Zeit mit zwei Versionen seines kommenden Flaggschiff-Chipsatzes experimentiert. Manche in der Branche zeigen an den überschaubaren Zuwächsen der Gen 3 allerdings kaum Interesse und lenken ihren Blick hingegen schon auf den Snapdragon 8 Gen 4 mit Oryon-Kernen.