Die Nachrichtenagentur [url=http://today.reuters.com/news/articleinvesting.aspx?view=CN&storyID=2006-11-27T225533Z_01_N27466640_RTRIDST_0_INTEL-MANUFACTURING.XML&rpc=66&type=qcna]Reuters[/url] berichtet, dass [url=http://www.intel.de]Intel[/url] mit der Fertigung von ersten Prototypen des kommenden Prozessorkerns „Penryn“ in der 45nm Fabrik D1D in Oregon begonnen hat. Neben dem Miniaturisierungsschritt von 65 auf 45nm, d.h einer Verkleinerung von knapp 30 Prozent, sollen diverse neue Fertigungsverfahren beim Penryn zum Einsatz kommen. Unter anderem wird der Schritt vom Siliziumdioxid-Dielektriukum zum High-k-Dielektrikum vollzogen werden. Als High-k-Dielektrikum wird in diesem Zusammenhang ein Material bezeichnet, das eine höhere Dielektrizitätszahl aufweist, als herkömmliches Siliziumdioxid (εr=3,9). Durch ein solches Material können die Leckströme in Halbleitern drastisch verringert werden. Der Chipsatz, der weiterhin auf der Core-Architektur beruht, soll noch im Jahr 2007 ausgeleifert werden. Dabei wird davon ausgegangen, dass Intel bereits kurz nachdem [url=http://www.amd.de]AMD[/url] die endgültige Umstellung auf 65nm vollzogen hat, mit der serienmäßigen 45nm-Produktion beginnen kann. Intel produziert erste „Penryn“ 45nm Prototypen
Die Nachrichtenagentur [url=http://today.reuters.com/news/articleinvesting.aspx?view=CN&storyID=2006-11-27T225533Z_01_N27466640_RTRIDST_0_INTEL-MANUFACTURING.XML&rpc=66&type=qcna]Reuters[/url] berichtet, dass [url=http://www.intel.de]Intel[/url] mit der Fertigung von ersten Prototypen des kommenden Prozessorkerns „Penryn“ in der 45nm Fabrik D1D in Oregon begonnen hat. Neben dem Miniaturisierungsschritt von 65 auf 45nm, d.h einer Verkleinerung von knapp 30 Prozent, sollen diverse neue Fertigungsverfahren beim Penryn zum Einsatz kommen. Unter anderem wird der Schritt vom Siliziumdioxid-Dielektriukum zum High-k-Dielektrikum vollzogen werden. Als High-k-Dielektrikum wird in diesem Zusammenhang ein Material bezeichnet, das eine höhere Dielektrizitätszahl aufweist, als herkömmliches Siliziumdioxid (εr=3,9). Durch ein solches Material können die Leckströme in Halbleitern drastisch verringert werden. Der Chipsatz, der weiterhin auf der Core-Architektur beruht, soll noch im Jahr 2007 ausgeleifert werden. Dabei wird davon ausgegangen, dass Intel bereits kurz nachdem [url=http://www.amd.de]AMD[/url] die endgültige Umstellung auf 65nm vollzogen hat, mit der serienmäßigen 45nm-Produktion beginnen kann.