GaN
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Galliumnitrid auf 300 mm: Infineon fertigt Leistungshalbleiter effizienter
Auch wenn sich in unserem Themenfeld vieles oder nahezu alles auf die Siliziumchips konzentriert, so kommen die meisten Menschen in ihrem alltäglichen Umfeld ohne Leistungshalbleiter nicht mehr weit – sei es im E-Auto, diversen Netzteilen, Solarwechselrichter und vielem mehr. Die Leistungshalbleiter werden in Siliziumkarbid (SiC) oder Galliumnitrid (GaN) gefertigt und entsprechend konzentrieren sich Firmen, die solche Bauteile... [mehr] -
Anker veröffentlicht zwei GaN-Ladegeräte und eine Powerbank
Anker hat zwei neue Ladegeräte der Öffentlichkeit präsentiert. Neben dem 735 Charger stellte das Unternehmen den 737 Charger vor. Beide Ladegeräte setzen auf Galliumnitrid (GaN). Am Anker 737 steht neben zwei USB-C-Schnittstellen ein USB-A-Port zur Verfügung. Die maximale Ladekapazität ist mit 120 W angegeben. Aufgrund der verfügbaren Leistung können mit dem neuen Anker-Ladegerät nicht nur Smartphones, sondern auch Notebooks aufgeladen... [mehr] -
NVIDIA GTC21: GANverse3D macht aus 2D-Bildern ein 3D-Modell
Die Entwicklungsabteilung von NVIDIA arbeitet in vielerlei Richtung an neuen Software-Entwicklungen. Daraus entstand beispielsweise Omniverse, eine 3D-Entwicklungsplattform, die alle aktuell verwendete Middleware zusammenfassen und eine hardwareunabhängige Plattform sein soll, die sich in die Cloud auslagern lässt. Großer Vorteil ist aber die Interoperabilität zwischen der unterschiedlichsten 3D-Software. Aus dem Entwicklerbüro im kanadischen... [mehr]