VTFET
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Platz- und stromsparend: IBM und Samsung entwickeln den VTFET
Zur International Electron Devices Meeting (IEDM) stellen IBM und Samsung ein Ergebnis der gemeinsamen Forschung vor. Dabei handelt es sich um eine neue Form der Transistoren – keine GAA-Transistoren wie sie aktuell fast jeder Halbleiterhersteller entwickelt, unter anderem auch IBM und Samsung, sondern die klassischen FinFETs werden anders angeordnet. Der FinFET ist so gebaut, dass dieser flach auf der Oberfläche eines Halbleiters... [mehr]