xl_digit
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was mich mal interessieren würde, wieso postet Ihr hier im 11th Gen thread ständig 10th Gen bezogene Dinge ?
könntet Ihr hier bitte beim Thema bleiben, sorry, auch wenn Ihr Ahnung habt und das habt Ihr, ist es für diejenigen welche hier reinschauen wegen 11. Gen
1. völlig irrelevant,
2. kann man dadurch auch richtig falsch Informiert und Irritiert werden
Begründung ? Mit Euren Angaben zu VCCIO VCCSA kann man NICHTS mehr bei der 11.Gen anfangen, hier wurde nämlich einiges geändert die Spannungswerte passen überhaupt nicht mehr,.
Bitte beachten !
ZITAT aus einem Fachbezogenen Test zu 11.Gen.
SA (System Agent) Voltage: Während bei vorherigen Generationen oft die Devise galt „Viel hilft viel!“, benötigt der neue Rocket Lake IMC einige hundert mV weniger System Agent Spannung für den selben RAM Takt. So liegt hier ideale Bereich in meinen Tests bei 1,25 – 1,3 V,
VCCIO Memory Voltage: Diese Spannung ist neu bei Rocket Lake und wurde aus der SA Spannung vorheriger Generationen ausgegliedert. Das POST- und Memory Training-Verhalten kann man damit zwar nicht beeinflussen,
VCCIO Voltage: Diese Spannung hatte auf RAM-Übertaktungen in meinen Tests keinen Einfluss. Bei vorherigen Generationen konnten mit dieser Spannung höhere Taktraten beim Cache bzw. Ring der CPU stabilisiert werden.
was mich mal interessieren würde, wieso postet Ihr hier im 11th Gen thread ständig 10th Gen bezogene Dinge ?
könntet Ihr hier bitte beim Thema bleiben, sorry, auch wenn Ihr Ahnung habt und das habt Ihr, ist es für diejenigen welche hier reinschauen wegen 11. Gen
1. völlig irrelevant,
2. kann man dadurch auch richtig falsch Informiert und Irritiert werden
Begründung ? Mit Euren Angaben zu VCCIO VCCSA kann man NICHTS mehr bei der 11.Gen anfangen, hier wurde nämlich einiges geändert die Spannungswerte passen überhaupt nicht mehr,.
Bitte beachten !
ZITAT aus einem Fachbezogenen Test zu 11.Gen.
SA (System Agent) Voltage: Während bei vorherigen Generationen oft die Devise galt „Viel hilft viel!“, benötigt der neue Rocket Lake IMC einige hundert mV weniger System Agent Spannung für den selben RAM Takt. So liegt hier ideale Bereich in meinen Tests bei 1,25 – 1,3 V,
VCCIO Memory Voltage: Diese Spannung ist neu bei Rocket Lake und wurde aus der SA Spannung vorheriger Generationen ausgegliedert. Das POST- und Memory Training-Verhalten kann man damit zwar nicht beeinflussen,
VCCIO Voltage: Diese Spannung hatte auf RAM-Übertaktungen in meinen Tests keinen Einfluss. Bei vorherigen Generationen konnten mit dieser Spannung höhere Taktraten beim Cache bzw. Ring der CPU stabilisiert werden.