[Sammelthread] Der DDR1 Ram-Chip Thread

Einleitung

Ich habe mir gedacht, dass eine separate Übersicht über die verfügbaren DDR1 Ram Chips, ihr Verhalten bei Übertaktung und das -potenzial sicher einigen hier im Forum weiterhilft. Außerdem möchte ich Detailsaufnahmen der Chips zusammenstellen, damit man umgelabelte Chips einfacher identifizieren kann. Außerdem können wir noch einfache Tests dazunehmen, mit denen man die jeweiligen Chip erkennen kann, falls sie z.B. unter Heatspreadern verborgen sind. Das Ganze soll nach Hersteller und Chiptyp sowie -kapazität sortiert sein.

Kurzlinks zu den jeweiligen Herstellern:
Aeneon / Infineon / Qimonda | Elpida | Hynix | Micron | Mosel Vitelic | Nanya / Elixir | Promos | Samsung | Winbond |

Umgelabelte Chips

Usertests

SPD Tool

[Sammelthread] - Der DDR1 Ram-Chip Thread

Einleitung Ich habe mir gedacht, dass eine separate Übersicht über die verfügbaren DDR1 Ram Chips, ihr Verhalten bei Übertaktung und das -potenzial sicher einigen hier im Forum weiterhilft. Außerdem möchte ich Detailsaufnahmen der Chips zusammenstellen, damit man umgelabelte Chips einfacher...

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SPDTool Tutorial

Spoiler: HOW-TO SPD modden und flashen

SPDTool Tutorial:



(Bildquelle: https://occlub.ru/news/software/269...oj-oblasti-spd-v-modulyax-operativnoj-pamyati)

Vorgehen zum SPD modden:

1. SPDTool v0.63 herunterladen und starten
2. Im Menü mittels File -> Read den entsprechenden Stick auslesen
3. SPD Tool zeigt nun den Inhalt des SPD an. In der oberen Hälfte wird der Inhalt in Hex angezeigt, in der unteren Hälfte ist das ganze dekodiert aufgeschlüsselt
3a. Falls gewünscht kann das SPD über File -> Save auf die Festplatte gesichert werden
4. Um nun einen Riegel um einen Rank zu "berauben" wird "number of DIMM Ranks" um eins heruntergesetzt

An dieser Stelle sollte man darauf achten das sich das korrekte Bit oben im HEX Bereich ändert. Für die Ranks zuständig ist Byte 5, also das sechte Byte in der ersten Zeile (gezählt wird ab Null!). Bei einem DDR1 Doublerank Riegel sollte Byte 5 02h sein, bei einem Singlerank Riegel 01h. !Achtung! Bei mir hatte das SPD Tool an dieser Stelle einen Fehler, es wurde 02h als "3 Ranks" ausgelesen, was natürlich quatsch ist! Wichtig ist der Hex Wert, nicht was das SPDTool unten anzeigt!

5. Wenn die Änderung erfolgt ist, dann muss über das Menü via EDIT -> fix Checksum noch die Checksumme des SPD korrigiert werden.
6. Nun wird noch der Riegel per File -> Write geflasht
7. Neustart und freuen das der Riegel nur noch die halbe Kapazität hat...

SPD Inhalt entschlüsselt:

Spoiler: SPD Inhalt by DocMemory

Understanding DDR Serial Presence Detect (SPD) Table
By: DocMemory
Serial Presence Detect (SPD) data is probably the most misunderstood subject in the memory module industry. Most people only know it as the little Eprom device on the DIMM that often kept the module from working properly in the computer. On the contrary, it is quite the opposite. The SPD data actually provide vital information to the system Bios to keep the system working in optimal condition with the memory DIMM. This article attempts to guide you through the construction of an SPD table with "Turbo-Tax" type of multiple choices questions. I hope you will fin the information here interesting and useful.

Byte	Description	Value
Byte 0	Number of Serial PD Bytes written during module production The most common for standard 184pin DIMM and 200pin SODIMM is 128 bytes written although some special modules and manufacturer would occasionally insert different number.	128 Byte 80h 255 Byte FFh
Byte 1	Total number of Bytes in Serial PD device This is referring to the EEPROM size used. For standard 184pin DIMM and 200pin SODIMM, device used is usually 128 Bytes or 256 Bytes with 256 Bytes as the most common.	128 Byte (24C01) 07h 256 Byte (24C02) 08h
Byte 2	Fundamental Memory Type This refers to the DRAM type. The most common now-a-days are either SDRAM or DDR. In this case, we are only dealing with DDR	00h reserved 01h Standard FPM DRAM 02h EDO 03h Pipelined Nibble 04h SDRam 07h DDR (recommended default) 08h DDR2 SDRam
Byte 3	Number of Row Addresses on this assembly This relates to the DRAM size as well as the Refresh scheme of the DRAM. The best way to discover this is to use the AutoID function of the CST DIMM tester. You would first run the AutoID on the tester. You then use the [Edit] [AdrDat] function to display the Row and Column Address counts.	0Dh 13 0Ch 12 0Bh 11 0Ah 10 09h 9
Byte 4	Number of Column Addresses on this assembly This relates to the DRAM size as well as the Refresh scheme of the DRAM. The best way to discover this is to use the AutoID function of the CST DIMM tester. You would first run the AutoID on the tester. You then use the [Edit] [AdrDat] function to display the Row and Column Address counts.	0Dh 13 0Ch 12 0Bh 11 0Ah 10 09h 9
Byte 5	Number of Physical Banks on DIMM This is referring to the internal banks (or ranks) on the module. Normally, you can count the number of chips on the module and make a guest that there would be one bank (rank) for each 8 pieces of DRAM chips. However, downgrade modules often use two defective chips to replace one. Stacked modules also uses two chip stacked as one physical chip. Those would make the identification very complex. The best way to identify the banks (ranks) would be to use the AutoID function in the CST testers. The tester displays number of internal Banks directly after AutoID is executed.	01h 1Bank 02h 2Banks 03h 3Banks 04h 4Banks
Byte 6	Module Width of this assembly This refers to the number of data bit width on the module. For a standard 8 byte DIMM, 64 bits would be most common while an 8 byte ECC module would have 72 bits. Some special module might even have up to 144 bits. In any case, a CST tester AutoID function would tell you this number in plan English.	40h 64bit 48h 72bit 90h 144bit
Byte 7	Module width of this assembly (Continue) This byte is used only if your DIMM exceeds 16 bytes (144 bits).	additional bit 00h recommended default
Byte 8	Voltage Interface Level of this assembly This refers to the power supply voltage Vdd of the DIMM. Standard DDR module would be 2.5V SSTL	03h 3.3V SSTL 04h 2.5V SSTL DDR recommended default 05h 1.8V SSTL
Byte 9	SDRAM Device Cycle time at Maximum Supported CAS Latency (ns) This commonly referred to the clock frequency of the DIMM. Running at its specified CL latency. The higher order nibble (bits 4-7) designates the cycle time to a granularity of 1ns; the value presented by the lower order nibble (bits 0-3) has a granularity of .1ns and is added to the value designated by the higher nibble. Example: 75h -> 7xh = 7ns and x5h = +0.5ns -> 7.5ns	75h 266MHz data rate DDR 60h 333MHz data rate DDR 50h 400MHz data rate DDR 46h 433MHz data rate DDR 42h 466MHz data rate DDR
Byte 10	SDRAM Device Access from Clock (tAC) This is referred to the data valid time from the clock. This can be read directly from the DRAM manufacturer data sheet. But caution must be taken to read off the correct column since this is CL (clock latency) related. In the DDR data sheet, it is listed as tAC and is in fraction of a nano-second (ns). Example: 75h -> 7xh = 0.7ns and x5h = +0.05ns -> 0.75ns	+/-0.6ns 60h +/-0.65ns 65h +/- 0.7ns 70h +/-0.75ns 75h
Byte 11	DIMM Configuration Type This is to identify the DIMM as ECC, Parity, or Non-parity. Normally non-parity is related to 64 bit module, Parity and ECC are related to 72 bit or higher memory bit width on the module.	00h Non ECC 01h Parity 02h ECC
Byte 12	Refresh Rate/Type This byte describes the module’s refresh rate and if it is self-refreshing or non-self refreshing. Today, most standard modules would be capable of self-refreshing. The refresh time is easily read from the DRAM manufacturer data sheet. Refresh time can be listed in two different ways. 1. In Refresh Interval Time. For example: 15.6usec. or 7.8usec. 2. In milli-seconds per x Refresh Cycles. For example: 62.4ms in 8K refresh cycles. This can be converted back into refresh interval time with the equation: Refresh Interval = Total Refresh Period / number of refresh cycles	80h 15.6 usec. Self-refresh (4K) 82h 7.8 usec. Self-refresh (8K)
Byte 13	Primary SDRAM Width This refers to the bit width of the DDR DRAM for a standard DIMM module.	04h 4 bits 08h 8 bits 10h 16 bits
Byte 14	Error Checking SDRAM Width This refers to the bit width of the error checking DRAM. For a standard module, it is either no ECC bit, 8 bits, or 16 bits on a 144 bit module.	00h 0 bit 08h 8 bits 10h 16bits
Byte 15	Minimum Clock Delay, Back-to-Back Random Column Access (tCCD min). This is read off the tCCD min column of the DRAM data sheet and is in the unit of clock cycles. For the most case, it is 1 clock cycle.	1 clock cycle 01h 2 clock cycle 02h
Byte 16	Burst Lengths Supported This is indicates the burst length supported. In most case, it is 2,4,8 burst supported.	2, 4,8 Burst length supported 0Eh recommended default
Byte 17	Number of Banks on SDRAM Device This is referring to the internal bank on the DRAM chip. All modern DDR have 4 internal banks.	4 Internal Banks 04h recommended default
Byte 18	CAS Latency (CL) This refers to the all the different Cas Latency supported by your chip. This can vary with the frequency you operate your DIMM. This number can be read off your DRAM data sheet.	CL=2.5 and 3 supported 18h CL=2.0, 2.5 and 3 are all supported 1Ch
Byte 19	Chip Select Latency This is the maximum time between the activation of CS to the time the Chip Select is effective. This is counted in number of clock cycles. For modern DRAM, this number is 0 clock cycle.	0 clock cycle 01h recommended default
Byte 20	Write Latency This is the maximum time between the activation of WE to the time that writing is effective. This is counted in number of clock cycles. For most modern DDR SDRAM, this number is 1 clock cycle.	1 clock cycle 02h recommended default
Byte 21	SDRAM Module Attributes This byte describes the DIMM, whether it is unbuffered, registered, differential clocked or with FET switches.	Unbuffer DDR DIMM with differential clock 20h Registered DDR DIMM 26h
Byte 22	SDRAM Device Attributes This byte describes the DRAM specification on voltage tolerance, the type of pre-charge supported, plus support of dual strength drivers. Modern DRAM are standardized on these features. These features are usually found on the feature list of the DRAM specification sheet.	DDR (Fast AP, Concurrent AP supported) C0h recommended default
Byte 23	SDRAM Minimum Clock Cycle Time Derated by Half a Clock This is referred to the speed the DRAM can run at when the Cas Latency is reduced by 0.5 clock. This data can be looked up from the datasheet of the DRAM. This is usually listed at the first page of the data sheet where it mentioned highest frequency it can run at a certain cas latency setting.	With 0.5 CL derate, it would work as a DDR200 A0h With 0.5 CL derate, it would work as a DDR266 75h With 0.5 CL derate, it would work as a DDR333 60h Derated operation not allowed 00h
Byte 24	Data Access Time from clock when CL is Derated by Half a Clock (derated tAC) This is referred to the tAC (access time) the DRAM can run at when the Cas Latency is reduced by 0.5 clock. This data can be looked up from the datasheet of the DRAM. This is usually listed at the first page of the data sheet where it mention maximum frequency it can run at a certain cas latency setting.	+/-0.65 ns 65h +/- 0.7 ns 70h +/-0.75 ns 75h Derated operation not allowed 00h
Byte 25	SDRAM Minimum Clock Cycle when CL is Derated by One Clock This is referred to the speed the DRAM can run at when the Cas Latency is forced to reduce by two notches. (that is 1 clock for DDR) This data can be looked up from the datasheet of the DRAM. This is usually listed at the first page of the data sheet where it mentioned what frequency it can run at a certain cas latency setting.	DDR 400 CL3 cannot be degraded to lower than CL2.5 as listed in Byte 18 00h With 1 CL derate, it would work as a DDR200 A0h With 1 CL derate, it would work as a DDR266 75h With 1 CL derate, it would work as a DDR333 60h Derated operation not allowed 00h
Byte 26	Data Access Time from clock when CL is Derated by One Clock. (derated tAC) This is referred to the tAC (access time) the DRAM can run at when the Cas Latency is derated by 1 clock. This data can be looked up from the datasheet of the DRAM. This is usually listed at the first page of the data sheet where it mentions the maximum frequency it can run at a certain cas latency setting.	+/-0.65 ns 65h +/- 0.7 ns 70h +/-0.75 ns 75h Derated operation not allowed 00h
Byte 27	Minimum Row Pre-charge Time (tRP) This is tRP read off the DRAM data sheet.	12ns 30h 15ns 3Ch 18ns 48h 20ns 50h
Byte 28	Minimum Row to Row Access Delay (tRRD) This is the tRRD time read off the DRAM data sheet	10ns 28h 12ns 30h 15ns 3Ch
Byte 29	Minimum Ras to Cas Delay (tRCD) This is the tRCD time read off the DRAM data sheet.	12ns 30h 15ns 3Ch 18ns 48h 20ns 50h
Byte 30	Minimum Active to Pre-charge Time (tRAS) This is the tRAS time read off the DRAM data sheet.	40ns 28h 45ns 2Dh 50ns 32h 55ns 37h
Byte 31	Module Bank Density This refers to the Mega-Byte in each physical bank (rank) on the DIMM. For example: if a 256MB module has two physical banks, then each physical bank should have 128MB.	32 MB 08h 64MB 10h 128MB 20h 256MB 40h 512MB 80h
Byte 32	Address and Command Input Setup Time Before Clock (tIS) This refers to the time of the address and command lines have to occur before the next clock edge. It is labeled as tIS in the case of DDR. (tIS)	0.6ns. 60h 0.8ns 80h 1.0ns. A0h
Byte 33	Address and Command Input Hold Time After Clock (tIH) This refers to the period of time the address and command lines have to hold after the last clock edge has appeared. It is labeled as tSH in SDRAM and tIH in the case of DDR. (tIH)	0.4ns. 40h 0.6ns. 60h 0.8ns. 80h 1.0ns. A0h
Byte 34	SDRAM Device Data/Data Mask Input setup Time Before Data Strobe (tDS) This refers to the time of the Data and Data Mask lines have to occur before the next clock edge. It is labeled as tDS in the case of DDR. (tDS)	0.4ns. 40h 0.6ns 60h 0.8ns. 80h
Byte 35	Address and Command Input Hold Time After Clock (tDH) This refers to the period of time the Data and Data Mask lines have to hold after the last clock edge has appeared. It is labeled as tDH in the case of DDR. (tDH)	0.4ns. 40h 0.6ns. 60h 0.8ns. 80h 1.0ns. A0h
Byte 36-40	Reserved for Virtual Channel SDRAM	Normally Not VC SDRAM 00h
Byte 41	Minimum Active to Active Auto Refresh Time (tRC)	55ns 37h 60ns 3Ch 65ns 41h 70ns 46h
Byte 42	Minimum Auto Refresh to Active Auto Refresh Time (tRFC)	70ns 46h 75ns 4Bh
Byte 43	Maximum Device Cycle time (tCKmax)	10ns 28h 12ns 30h
Byte 44	Maximum Skew Between DQS and DQ (tDQSQ) Maximum DQS tolerance	0.4ns 28h 0.5ns 32h 0.6ns 3Ch
Byte 45	Maximum Read DataHold Skew Factor (tQHS) Maximum DQS and DQ window tolerance.	0.5ns 32h 0.6ns 3Ch
Byte 46	PLL Relock Time	Not available 00h recommended default
Byte 47-61	Superset Information	Not available 00h recommended default
Byte 62	SPD Data Revision Code	Revision 0.0 00h Revision 1.0 10h Revision 2.0 20h
Byte 63	Checksum for Byte 0 to 62 Checksum is calculated and placed into this byte. All CST testers have automatic checksum calculation for this byte. All you have to do is to fill in and audit byte 0-62, the tester will automatically fill in byte 63 for you through the auto-checksum calculation.	N/A
Byte 64-71	Manufacturer’s JEDEC ID Code This is a code obtained through manufacturer’s registration with JEDEC ( the standard setting committee). A small fee is charged by JEDEC to support and maintain this record. Please contact JEDEC office. Byte 64 is the most significant byte. If the ID is not larger then one byte (in hex), byte 65-71 should be filled with 00h.	N/A
Byte 72	Module manufacturing Location Optional manufacturer assigned code.	N/A
Byte 73-90	Module Part Number Optional manufacturer assigned part number. The manufacturer’s part number is written in ASCII format within these bytes. Byte 73 is the most significant digit in ASCII while byte 90 is the least significant digit in ASCII. Unused digits are coded as ASCII blanks (20h).	N/A
Byte 91-92	Module Revision Code Optional manufacturer assigned code.
Byte 93-94	Module Manufacturing Date	Byte 93 is the year: 2002 66h 2003 67h 2004 68h Byte 94 is the week of the year: wk1-wk15 01h – 0Fh wk16-wk31 10h – 1Fh wk32-wk47 20h – 2Fh wk48-wk52 30h – 34h
Byte 95-98	Module Serial Number Optional manufacturer assigned number. On the serial number setting, JEDEC has no specification on the data format nor dictates the location of Most Significant Bit. Therefore, it’s up to individual manufacturer to assign his numbering system. All CST testers and EZ-SPD programmers have the option for user to select either byte 95 or byte 98 as the MSB (most significant bit). The testers assume the use of ASCII format; which is the most commonly used. The CST testers also have the function to automatically increment the serial number on each module tested.	N/A
Byte 98-127	Manufacturer’s Specific Data Optional manufacturer assigned data.	N/A
Byte 128-255	Open for Customer Use Optional for any information codes.	N/A

inf
Aeneon/Infineon/Qimonda


Bezeichnung von Infineon Chips:

Spoiler

Quelle: https://pdf.datasheet.live/5c855cb7/infineon.com/HYB39T512160TGL-5.pdf

Chip Typ und Revision	Chip Bezeichnung	typ.OC Verhalten	Anmerkungen	Merkmale des Package	Bauzeitraum	Bild
AT-6 Revision "A"	256mbit x8 HYB25D256809AT-6	200Mhz 2-2-2-X 2.8V 240Mhz 2-2-2-X 3V 250Mhz+ 2-2-2-X 3.3V+	skaliert sehr gut mit hoher Spannung (3.3V+) über 250Mhz möglich gerüchteweise baugleich zu Winbond BH-6 unterstützt CL=2 und CL=2.5 aber kein CL=3	an der kurzen Kante des Chips 2 längliche Metallkanten mittig im Chip zwei kreisrunde Vertiefungen Loch für "Pin1" relativ klein und tief	0232 - 0311
BT-5/6 Revision "B"	256mbit x8 HYB25D256800BT-5/6	200Mhz 2.5-3-3-X 2.6V	-/-	-/-	0334
BT-5/6 Revision "B"	256mbit x8 HYB25D256800BT-5/6	200Mhz 2.5-3-3-X 2.8V	-/-	Andere Metallpunkte an der Chipkante als der 0334 Chip	0447
BE-5/6 Revision "B"	256mbit x8 HYB25D256800BE-5/6 512mbit x8 HYB25D512800BE-5/6	200Mhz 2-3-2-X 2.8V	verfügbar von Infineon sowie umgelabelt als Qimonda und Aeneon skaliert minimal mit erhöhter Spannung (~2.9V) über 250Mhz möglich streut sehr stark bzgl. OC	-/-	Aeneon 0516 - 0804 Infineon -/- Qimonda -/-	-/-
CE-5/6 Revision "C"	256mbit x8 HYB25D256800CE-5/6 512mbit x8 HYB25D512800CE-5/6	200Mhz 2-3-2-X 2.8V 220Mhz 2.5-3-2-X 2.8V 240Mhz 3-3-2-X 2.8V 250Mhz+ 3-3-3/2-X 2.8V	verfügbar von Infineon sowie umgelabelt als Qimonda und Aeneon skaliert minimal mit erhöhter Spannung (~2.9V) über 250Mhz möglich streut sehr stark bzgl. OC	an der kurzen Kante des Chips 4 Metallpunkte paarweise angeordnet Loch für "Pin1" relativ groß und flach	Aeneon 0508 - 0838 Infineon -/- Qimonda 0642 - 0712	512Mx8: 256Mx8:
DE-5 Revision "D"	512mbit x8 HYB25D512800DE-5	240Mhz 3-3-2-X 2.6V	-/-	an der kurzen Kante des Chips 4 Metallpunkte paarweise angeordnet Loch für "Pin1" relativ groß und flach	Qimonda 0830

elp
Elpida

Chip Typ und Revision	Chip Bezeichnung	typ.OC Verhalten	Anmerkungen	Merkmale des Package	Bauzeitraum	Bild
5B	256mbit x8 DD2508AMTA 512mbit x8 D5108AFTA-5B-E/TD]	-/-	-/-	an der kurzen Kante des Chips vier Metallpunkte, paarweise angeordnet, Punkte sitzen an der Unterkante des Chips Punkt für "Pin1" aufgedruckt, keine Vertiefung im Chip mittig in einer kurzen Seite halbkreisförmige Ausparung	-/-	256mbitx8: 512mbitx8:

hyn
Hynix

Bezeichnung von Hynix Chips:

Spoiler

* der vorletzte Buchstabe vor dem Trennzeichen gibt die Chip Revision an. Bekannte Revisionen: A,B,C,D
* Hinter dem Trennziechen steht der Speedbin. Bekannte Bins: -J, -D4, -D43, D5

Chip Typ und Revision	Chip Bezeichnung	typ.OC Verhalten	Anmerkungen	Merkmale des Package	Bauzeitraum	Bild
BT-D43 Revision "B"	256mbit x8 HY5DU56822BT-D43	220MHz 2.0-4-4-X 2.8V 250MHz+ 2.5-4-4-X 2.8V 260MHz+ 3.0-4-4-X 2.8V	skaliert ein wenig mit der Spannung (bis 3,3V?) DS 4 ; SR 9 für NF2 laufen gut mit NF2 512MBit Chips takten schlecht!	vier Metallpunkte paar weise angeordnet, Abstand zwischen den Punkten fast gleichmäßig	2003-2004?
CT-D43 Revision "C"	256mbit x8 HY5DU56822CT-D43 256mbit x16 HY5DU561622CT-D43	220MHz 2.0-3-3-X 3.0V 235MHz 2.0-4-4-X 3.0V 225MHz+ 2.5-3-3-X 3.0V 260MHz+ 2.5-4-4-X 3.0V 260MHz+ 3.0-4-4-X 2.9V	skaliert ein wenig mit der Spannung (bis 3,0V?) DS 4 ; SR 9 für NF2 laufen gut mit NF2	vier Metallpunkte paar weise angeordnet, Abstand zwischen den Punkten fast gleichmäßig	2003/2004?
DT-D43 Revision "D"	256mbit x8 HY5DU56822DT-D43 256mbit x16 HY5DU561622DT-D43	210MHz 2.0-3-3-X 2.8V 250Mhz+ 2.5-3-3-X 2.9V 250Mhz+ 3-4-4-X 2.9V	skaliert ein wenig mit der Spannung (bis 3,3V?) DS 4 ; SR 9 für NF2 laufen gut mit NF2 werden warm	vier Metallpunkte paar weise angeordnet, Abstand zwischen den Punkten fast gleichmäßig	2004?
BTP-D43 Revision "BP"	512mbit x16 HY5DU121622BTP-D43 512mbit x8 HY5DU12822BTP-D43	-/-	-/-	vier Metallpunkte paar weise angeordnet, Abstand zwischen den Punkten fast gleichmäßig P = lead free	>2005?	-/-
CTP-D43 Revision "CP"	512mbit x16 HY5DU121622CTP-D43 512mbit x8 HY5DU12822CTP-D43	250MHz+ 3-4-4-X 2.9V	skaliert kaum mit der Spannung DS 4 ; SR 9 für NF2 laufen gut mit NF2 (3-4-4-X)	vier Metallpunkte paar weise angeordnet, Abstand zwischen den Punkten fast gleichmäßig P = lead free	>2005/2006
DTP-D43 Revision "DP"	512mbit x16 HY5DU121622DTP-D43 512mbit x8 HY5DU12822DTP-D43	240MHz+ 3-4-4-X 2.8V	skaliert kaum mit der Spannung	vier Metallpunkte paar weise angeordnet, Abstand zwischen den Punkten fast gleichmäßig P = lead free	>2007
ETR-E3C Revision "ER"	512mbit x8 H5DU5182ETR-E3C 512mbit x16 H5DU5162ETR-E3C	200MHz 2.0-2-2-X >2.7V 230MHZ 2.0-3-3-X 2.5V 250MHz 2.5-3-3-X 2.5V 250MHz+ 3.0-3-3-X 2.5V	skaliert kaum mit der Spannung DS4; SR 9 für NF2 sehr selten	vier Metallpunkte paar weise angeordnet, Anordnung Punte anders als andere Hynix Chips lead free; R= ROHS?	>2009/2010

mic
Micron

Bezeichnung von Micron Chips:

Spoiler

Quellen:
256mb: https://www.micron.com/-/media/client/global/documents/products/data-sheet/dram/ddr1/256mb_ddr.pdf
512mb: https://www.micron.com/-/media/client/global/documents/products/data-sheet/dram/ddr1/512mb_ddr.pdf
1gb: https://www.micron.com/-/media/client/global/documents/products/data-sheet/dram/ddr1/1gb_ddr.pdf

Chip Typ und Revision	Chip Bezeichnung	typ.OC Verhalten	Anmerkungen	Merkmale des Package	Bauzeitraum	Bild
5B C Revision "C"	256mbit x8 -/- 512mbit x8 -/-	220Mhz 2.5-2-2-X 2.8V 240Mhz 2.5-3-2-X 2.8V 250Mhz+ 3-3-2-X 2.8V	skaliert je nach Revision bis 3.1V neuere Revisionen werden bei höherer Spannung sehr heiss mit guten Chips 250Mhz 2.5-3-2-X möglich schafft 2.5-2-2-X bei 200Mhz (2.8V)	-/-	-/-	-/-
5B G Revision "G"	256mbit x8 -/- 512mbit x8 -/-	200Mhz 2-2-2-X 2.8V 240Mhz 2.5-2-2-X 2.8V 260Mhz+ 3-3-3-X 2.8V	skaliert je nach Revision bis 3V neuere Revisionen werden bei höherer Spannung sehr heiss mit guten Chips 250Mhz 2.5-2-2-X möglich schafft 2-2-2-X bei 200Mhz (2.8V)	je eine halbrunde Kerbe in der kurzen Seite des Chips in den Kerben ist Metall sichtbar	0638	512Mx8: 256Mx8:

mov
Mosel Vitelic

Chip Typ und Revision	Chip Bezeichnung	typ.OC Verhalten	Anmerkungen	Merkmale des Package	Bauzeitraum	Bild
SAT5B	256mbit x8 V58C225680SAT5B	200Mhz 2.5-3-3-X 2.8V 240Mhz+ 3-4-4-X 2.8V	-/-	-/-	0446
SAT6	256mbit x8 V58C225680SAT6	200Mhz 2.5-3-3-X 2.8V	-/-	-/-	0340 - 0511
VAT7	128mbit x8 V58C3128804VAT7	133Mhz 3-3-3-X 2.8V	-/-	-/-	0133

nan
Nanya / Elixir

Chip Bezeichnung

Chip Typ und Revision	Chip Bezeichnung	typ.OC Verhalten	Anmerkungen	Merkmale des Package	Bauzeitraum	Bild
AT-75B Revision "A"	128mbit x8 N2DS12880AT-75B	133Mhz 2.5-3-3-X 2.6V	-/-	-/-	0128
AT-7K Revision "A"	128mbit x8 NT5DS32M8AT-7K	133Mhz 2.5-3-3-X 2.6V	-/-	-/-	0226
BT-5T Revision "B"	256mbit x8 NT5DS32M8BT-5T	200Mhz 225Mhz 3-3-3-8 3-3-3-8 2.5V 2.5V	kein CL2 möglich schafft 2,5-2-2-5 reagiert kaum auf Spannung läuft mit CL3 am Höchsten	mittelgroßer Kreis im linken unteren Rand 2 Metallpunkte weit auseinander	0416
CS-5T Revision "C"	256mbit x8 NT5DS32M8CS-5T	200Mhz 200Mhz 250Mhz 265Mhz 3-3-3-8 2-2-2-11 2,5-3-2-11 3-3-3-11 2.5V 2.7V 2.7V 2.7V	CL2 / CL2,5 / CL3 möglich schafft 2-2-2-11 auf nF2 reagiert kaum auf Spannung läuft sehr gut auf nF2	mittelgroßer Kreis im linken unteren Rand 4 Metallpunkte paarweise an den Kanten	0607
CT-5T Revision "C"	256mbit x8 NT5DS32M8CT-5T	200Mhz 2.5-3-3-11 2.5V		großer flacher Stanzpunkt = Herstellort Taiwan kleiner flacher Stanzpunkt = Herstellort Italien 4 Metallpunkte paarweise an den Kanten	0526 - 0601
ES-5T Revision "E"	512mbit x8 N2DS51280ES-5T	200Mhz 2.5-3-3-X 2.6V	-/-	-/-	0647

pro
Promos

Chip Bezeichnung

Spoiler

Chip Typ und Revision	Chip Bezeichnung	typ.OC Verhalten	Anmerkungen	Merkmale des Package	Bauzeitraum	Bild
SBI5 Revision "B"	512mbit x8 V58C2512804SB	200Mhz 3-3-3-X 2.8V	-/-	-/-	1046

sam
Samsung

Bezeichnung von Samsung Chips:

Spoiler

Chip Typ und Revision	Chip Bezeichnung	typ.OC Verhalten	Anmerkungen	Merkmale des Package	Bauzeitraum	Bild
TCB3 Revision "C"	256mbit x8 k4h560838c-tcb3	200Mhz 2-3-3-X 2.8V	skaliert je nach Revision bis 3.1V Achtung: Teilweise wurde über Defekte bei höherer Spannung (>2.9V) berichtet	4 Metallpunkte auf der kurzen Seite des Chips (2 ganz außen) mittelgroßer Punkt für Pin 1	0223	[/URL]
TCB3 Revision "D"	256mbit x8 k4h560838d-tcb3	200Mhz 2-3-3-X 2.8V	skaliert je nach Revision bis 3.1V Achtung: Teilweise wurde über Defekte bei höherer Spannung (>2.9V) berichtet	4 Metallpunkte auf der kurzen Seite des Chips (2 ganz außen) mittelgroßer Punkt für Pin 1	0304
TCB3 Revision "F"	256mbit x8 k4h560838f-tcb3	200Mhz 2-3-3-X 2.8V	skaliert je nach Revision bis 3.1V Achtung: Teilweise wurde über Defekte bei höherer Spannung (>2.9V) berichtet	mittelgroßer Punkt für Pin 1	0404
TCCC Revision "F"	256mbit x8 k4h560838f-tccc	200Mhz 250Mhz 3-3-3-X 3-4-4-X 2.8V	Achtung: Teilweise wurde über Defekte bei höherer Spannung (>2.9V) berichtet	mittelgroßer Punkt für Pin 1	0413
TCCD Revision "F"	256mbit x8 k4h560838f-tccd	200Mhz 2-2-2-X 2.8V 250Mhz 2.5-3-3-X 2.6-2.8V 270Mhz+ 3-3-3-X 2.8V 280Mhz+ 3-4-3-X 2.8V	skaliert je nach Revision bis 3.1V Achtung: Teilweise wurde über Defekte bei höherer Spannung (>2.9V) berichtet mit guten Chips über 300Mhz bei 3-4-3-X möglich schafft 2-2-2-X bei 200Mhz (<=2.8V)	6 Metallpunkte auf der kurzen Seite des Chips (2 ganz außen) mittelgroßer Punkt für Pin 1	0449
TCC4 Revision "D"	256mbit x8 k4h560838d-tcc4	200Mhz 2.5-3-3-X 2.8V	skaliert je nach Revision bis 3.1V Achtung: Teilweise wurde über Defekte bei höherer Spannung (>2.9V) berichtet	mittelgroßer Punkt für Pin 1	0226
TCC5 Revision "E"	256mbit x8 k4h560838e-tcc5	233Mhz 2.5-3-3-X 2.8V	skaliert je nach Revision bis 3.1V Achtung: Teilweise wurde über Defekte bei höherer Spannung (>2.9V) berichtet	4 Metallpunkte auf der kurzen Seite des Chips mittelgroßer Punkt für Pin 1	0352
UCCC Revision "C"	512mbit x8 k4h510838C-uccc	200Mhz 3-3-3-X 2.6V 240Mhz+ 3-4-4-X 2.6V	skaliert nicht mit höherer Spannung skaliert mit 3-4-4-X bis über 280Mhz stark schwankende Chipgüte	6 Metallpunkte auf der kurzen Seite des Chips mittelgroßer, flacher Punkt für Pin 1	0531 - 0610
UCCC Revision "D"	512mbit x8 k4h510838D-uccc	200Mhz 3-3-3-X 2.6V 240Mhz+ 3-4-4-X 2.6V	skaliert nicht mit höherer Spannung skaliert mit 3-4-4-X bis über 280Mhz stark schwankende Chipgüte	6 Metallpunkte auf der kurzen Seite des Chips mittelgroßer, flacher Punkt für Pin 1	0652

win
Winbond

Chip Typ und Revision	Chip Bezeichnung	typ.OC Verhalten	Anmerkungen	Merkmale des Package	Bauzeitraum	Bild
AH-6 Revision "A"	256mbit x8 W942508AH-6	133Mhz 2-2-2-X 2.5V 200Mhz 2-3-3-X 2.5V 210Mhz 3-4-4-X 2.5V	im 175nm Verfahren gefertigt unterstützt CL=2 bis CL=3 läuft mit 2.5V am Besten, keine Skalierung darüber hinaus für OC nur bedingt geeignet	an der kurzen Kante des Chips 2 längliche Metallkanten mittig im Chip zwei kreisrunde Vertiefungen Loch für "Pin1" relativ klein und tief	0212
BH-5/6 Revision "B"	256mbit x8 W942508BH-5 256mbit x8 W942508BH-6	200Mhz 2-2-2-X 2.8V 250Mhz 2-2-2-X 3.3V 260Mhz+ 2-2-2-X 3.4V+	im 175nm Verfahren gefertigt skaliert sehr gut mit hoher Spannung (3.3V+) gute Chips erreichen 250Mhz bei 3.2V schafft meist 2-2-2-X bei 200Mhz (<2.8V) unterstützt nur CL=2 und CL=2.5, kein CL=3 Support	an der kurzen Kante des Chips 2 längliche Metallkanten mittig im Chip zwei kreisrunde Vertiefungen Loch für "Pin1" relativ klein und tief	-/-
CH-5/6 Revision "C"	256mbit x8 W942508CH-5 256mbit x8 W942508CH-6	200Mhz 2-3-2-X 2.8V 240Mhz 2-2-2-X 3V 250Mhz+ 2-2-2-X 3.3V+	im 133nm Verfahren gefertigt skaliert sehr gut mit hoher Spannung (3.3V+) über 250Mhz möglich schafft meist nur 2-3-2-X bei 200Mhz (2.8V) skaliert oft nur bis ~3.4V unterstützt CL=2, CL=2.5 und CL=3	an der kurzen Kante des Chips 2 längliche Metallkanten mittig im Chip zwei kreisrunde Vertiefungen Loch für "Pin1" relativ klein und tief	-/-
UTT BH-5 Revision "B" "untestet"	256mbit x8 umgelabelt	200Mhz 2-2-2-X 2.9V 240Mhz 2-2-2-X 3V 250Mhz+ 2-2-2-X 3.4V+	skaliert sehr gut mit hoher Spannung (3.3V+) über 250Mhz möglich UTT = ungetestete BH-5 meist etwas schlechter als old BH-5 skaliert oft nur bis ~3.4V Entweder ohne Aufdruck oder umgelabelte Chips nicht empfehlenswert für Nforce2 Systeme	an der kurzen Kante des Chips 2 längliche Metallkanten mittig im Chip zwei kreisrunde Vertiefungen Loch für "Pin1" relativ klein und tief	-/-

umgelabelt
Umgelabelte Chips

Modul Hersteller und Typ	Chip Bezeichnung	Modulbezeichnung	Merkmale des Package	Vermuteter Hersteller	Bild	Link
Twinmos Value 512mb PC3200	TMD7608F8E50D	P/N: M2G9J16JATT9F081AADT	kleine halbkreisförmige Einprägung an kurzer Seite kleiner tiefer Punkt für Pin1	Powerchip 5ns 130nm ("AADT" Endung)		Post #13
Kingston Value 512mb PC3200	D3208DLFCTG5AU	KVR400X64C3A/512	kleine rechteckförmige Vertiefungen an kurzer Kante großer flacher Punkt für Pin1	?		Post #14
Buffalo Value 512mb PC3200	ME46512843PEPP	-/-	rauer Plastikguss großer flacher Punkt für Pin1	Aeneon		Post #15
Corsair Value 1024mb PC3200	64M8BDAG	-/-	rauer Plastikguss großer flacher Punkt für Pin1	Infineon		Post #15
Buffalo 1024mb PC3200	ME46512843PCXP	DD4003-1G/BJ	[*]kleine rechteckförmige Vertiefungen an kurzer Kante [*]mittelgroßer flacher Punkt für Pin1 [/list]	?		Post #27

usertests
Usertests

Aeneon 1 GB, CE-5

Spoiler: Aeneon CE-5 1 GB Riegel auf DFI Lanparty nF4 Ultra-D Sockel 939, Test 1 (stunned_guy)

Aeneon CE-5 1024 MB Riegel Nr. 4 auf DFI Lanparty nF4 Ultra-D Sockel 939

Aeneon AED760UD00-500C98X
double sided, 45. KW 2008, Aufdruck AED93T500 C -> Aeneon CE-5

Spezifikation: 200 MHz @ 3-3-3-8 @ 2,50 Volt

Möglich:
-> CL2 / CL2,5 / CL3

Nicht möglich:
-> tRCD <3

SuperPi 1M Testdurchlauf (alle Subtimings auf "Auto")

2,0-3-2-5 @ 235 MHz @ 2,70 v
2,5-3-3-6 @ 265 MHz @ 2,70 v
3,0-3-2-8 @ 250 MHz @ 2,50 v
3,0-3-3-8 @ 295 MHz @ 2,70 v
3,0-4-3-8 @ 295 MHz @ 2,70 v
3,0-4-4-8 @ 295 MHz @ 2,70 v

Dieser Riegel skaliert sehr gut mit dem Takt. Bei CL3 ist es mit langsamen Timings egal, die 295 MHz sind immer drin. Leider knapp an den 300 MHz gescheitert.

Spoiler: Aeneon CE-5 1 GB Riegel auf ASRock K7NF2-RAID Sockel A, Test 1 (digitalbath)

Aeneon CE-5 1024 MB Riegel auf ASRock K7NF2-RAID Sockel 462

Aeneon AED760UD00-500 C98X
double sided, 51. KW 2007, Aufdruck AED93T500 C -> Aeneon CE-5

Spezifikation: 200 MHz @ 3-3-3-8 @ 2,50 Volt

Möglich:
-> CL2 / CL2,5 / CL3

Nicht möglich:
-> tRCD <3

SuperPi 1M Testdurchlauf (Subtimings 3-4-4-4-3-4-5)

2,0-3-2-11 @ 220 MHz @ 2,80 v
2,5-3-2-11 @ 250 MHz @ 2,80 v
3,0-3-2-11 @ 264* MHz @ 2,80 v

*= 264MHz ist board limit.

Aeneon 512 MB, CE-5

Spoiler: Aeneon CE-5 512 MB Riegel auf DFI Lanparty nF4 Ultra-D Sockel 939, Test 1 (stunned_guy)

Aeneon CE-5 512 MB Riegel Nr. 1 auf DFI Lanparty nF4 Ultra-D Sockel 939

AED660UD00-500C88M
double sided, 26. KW 2007, Aufdruck AED83T500 C4 -> Aeneon CE-5

Spezifikation: 200 MHz @ 3-3-3-8 @ 2,50 Volt

Möglich:
-> CL2 / CL2,5 / CL3

Nicht möglich:
-> tRCD <3

SuperPi 1M Testdurchlauf (alle Subtimings auf "Auto")

2,0-3-2-5 @ 210 MHz @ 2,50 v
2,0-3-3-5 @ 210 MHz @ 2,50 v
2,5-3-2-5 @ 210 MHz @ 2,50 v
2,5-3-3-6 @ 210 MHz @ 2,50 v
3,0-3-3-8 @ 210 MHz @ 2,50 v

Dieser Riegel gibt mir Rätsel auf. Macht mit allen Timings bei 2,50 v die 210 MHz, aber keinen MHz mehr.

Spoiler: Aeneon CE-5 512 MB Riegel auf DFI Lanparty nF4 Ultra-D Sockel 939, Test 2 (stunned_guy)

Aeneon CE-5 512 MB Riegel Nr. 3 auf DFI Lanparty nF4 Ultra-D Sockel 939

OCZ OCZ400512PF
double sided, 26. KW 2005, Aufdruck AED83T500 C -> Aeneon CE-5

Spezifikation: 200 MHz @ 2,5-3-3-6 @ 2,50 Volt

Möglich:
-> CL2 / CL2,5 / CL3

Nicht möglich:
-> tRCD <3

SuperPi 1M Testdurchlauf (alle Subtimings auf "Auto")

2,0-3-2-5 @ 230 MHz @ 2,60 v
2,0-3-3-5 @ 230 MHz @ 2,50 v
3,0-3-2-5 @ 230 MHz @ 2,50 v
3,0-4-4-8 @ 230 MHz @ 2,50 v

Der OCZ-Riegel ist zwar von Haus aus mit schnelleren Timings durch OCZ spezifiziert, allerdings macht der bei 230 MHz zu, egal bei welchen Timings. Mit den schärfsten Latenzen werden 2,60 v benötigt.

Spoiler: Aeneon CE-5 512 MB Riegel auf DFI Lanparty nF4 Ultra-D Sockel 939, Test 3 (stunned_guy)

Aeneon CE-5 512 MB Riegel Nr. 7 auf DFI Lanparty nF4 Ultra-D Sockel 939

Aeneon AED660UD00-500C98Y
single sided, 38. KW 2008, Aufdruck AED93T500 C -> Aeneon CE-5

Spezifikation: 200 MHz @ 3-3-3-8 @ 2,50 Volt

Möglich:
-> CL2 / CL2,5 / CL3

Nicht möglich:
-> tRCD <3

SuperPi 1M Testdurchlauf (alle Subtimings auf "Auto")

2,0-3-2-5 @ 235 MHz @ 2,80 v
2,0-3-3-5 @ 235 MHz @ 2,70 v
2,5-3-3-6 @ 265 MHz @ 2,80 v
3,0-3-3-8 @ 275 MHz @ 2,60 v
3,0-4-4-8 @ 275 MHz @ 2,50 v

Dieser Riegel skaliert mit der Spannung recht gut, braucht aber mit den schärfsten Timings bereits 2,80 v im Gegensatz zum Riegel Nr. 3. Keine Limitierung beim Takt, kann an der Bauart "single sided" liegen.

Spoiler: Aeneon CE-5 512 MB Riegel auf DFI Lanparty nF4 Ultra-D Sockel 939, Test 4 (stunned_guy)

Aeneon CE-5 512 MB Riegel Nr. 9 auf DFI Lanparty nF4 Ultra-D Sockel 939

OCZ OCZ4001024PFDC-K
double sided, 28. KW 2005, Aufdruck AED83T500 C -> Aeneon CE-5

Spezifikation: 200 MHz @ 2,5-3-3-6 @ 2,50 Volt

Möglich:
-> CL2 / CL2,5 / CL3

Nicht möglich:
-> tRCD <3

SuperPi 1M Testdurchlauf (alle Subtimings auf "Auto")

2,0-3-2-5 @ 220 MHz @ 2,50 v
2,0-3-3-5 @ 220 MHz @ 2,50 v
2,5-3-3-6 @ 220 MHz @ 2,50 v
3,0-3-3-8 @ 220 MHz @ 2,50 v
3,0-4-4-8 @ 220 MHz @ 2,50 v

Dieser OCZ-Riegel macht bei 220 MHz dicht und reagiert überhaupt nicht auf Spannung. Was es so alles gibt

Spoiler: Aeneon CE-5 512 MB Riegel auf DFI Lanparty nF4 Ultra-D Sockel 939, Test 5 (stunned_guy)

Aeneon CE-5 512 MB Riegel Nr. 8 auf DFI Lanparty nF4 Ultra-D Sockel 939

PNY 6464WQDXA8G17
double sided, 32. KW 2007, Aufdruck AED83T500 C5 -> Aeneon CE-5

Spezifikation: 200 MHz @ 3-3-3-8 @ 2,50 Volt

Möglich:
-> CL2 / CL2,5 / CL3

Nicht möglich:
-> tRCD <3

SuperPi 1M Testdurchlauf (alle Subtimings auf "Auto")

2,0-3-2-5 @ 220 MHz @ 2,50 v
2,0-3-3-5 @ 220 MHz @ 2,50 v
2,5-3-3-6 @ 220 MHz @ 2,50 v
3,0-3-3-8 @ 220 MHz @ 2,50 v
3,0-4-4-8 @ 220 MHz @ 2,50 v

Gleiches Spiel wie bei den OCZ. Bei 220 MHz ist Schluss

Spoiler: Aeneon CE-5 512 MB Riegel auf DFI Lanparty nF4 Ultra-D Sockel 939, Test 6 (stunned_guy)

Aeneon CE-5 512 MB Riegel Nr. 6 auf DFI Lanparty nF4 Ultra-D Sockel 939

Aeneon AED660UD00-500C88X
double sided, 44. KW 2005, Aufdruck AED83T500 C -> Aeneon CE-5

Spezifikation: 200 MHz @ 3-3-3-8 @ 2,50 Volt

Möglich:
-> CL2 / CL2,5 / CL3

Nicht möglich:
-> tRCD <3

SuperPi 1M Testdurchlauf (alle Subtimings auf "Auto")

2,0-3-2-5 @ 210 MHz @ 2,50 v
2,0-3-3-5 @ 210 MHz @ 2,50 v
2,5-3-3-6 @ 210 MHz @ 2,50 v
3,0-3-3-8 @ 210 MHz @ 2,50 v
3,0-4-4-8 @ 210 MHz @ 2,50 v

Diese Riegel sind ja wirklich das Letzte. Da geht wirklich nichts... Diesen Riegel habe ich genau 2x, brauche also seinen Bruder nicht mal Testen.

Aeneon 512 MB, BE-5

Spoiler: Aeneon BE-5 512 MB Riegel auf DFI Lanparty nF4 Ultra-D Sockel 939, Test 1 (stunned_guy)

Aeneon BE-5 512 MB Riegel Nr. 2 auf DFI Lanparty nF4 Ultra-D Sockel 939

Aeneon AED660UD00-500B98X
single sided, 5. KW 2006, Aufdruck AED93T500 B -> Aeneon BE-5

Spezifikation: 200 MHz @ 3-3-3-8 @ 2,50 Volt

Möglich:
-> CL2 / CL2,5 / CL3

Nicht möglich:
-> tRCD <3

SuperPi 1M Testdurchlauf (alle Subtimings auf "Auto")

2,0-3-2-5 @ 205 MHz @ 2,50 v
2,5-3-3-6 @ 230 MHz @ 2,60 v
3,0-3-3-8 @ 230 MHz @ 2,60 v

Dieser BE-5 Riegel läuft recht schlecht und springt nicht auf Spannungserhöhung an.

Aeneon 256 MB, CE-6

Spoiler: Aeneon CE-6 256 MB Riegel auf DFI Lanparty nF4 Ultra-D Sockel 939, Test 1 (stunned_guy)

Aeneon CE-6 256 MB Riegel Nr. 10 auf DFI Lanparty nF4 Ultra-D Sockel 939

Aeneon AED560UD00-600C88X
single sided, Datum unbekannt, Aufdruck G32Mx8 DDR umgelabelt -> Aeneon CE-6

Spezifikation: 166 MHz @ 2,5-3-3-7 @ 2,50 Volt

Möglich:
-> CL2 / CL2,5 / CL3

Nicht möglich:
-> tRCD <3

SuperPi 1M Testdurchlauf (alle Subtimings auf "Auto")

2,0-3-2-5 @ 210 MHz @ 2,50 v
2,5-3-3-6 @ 210 MHz @ 2,50 v
3,0-3-3-8 @ 210 MHz @ 2,50 v
3,0-4-4-8 @ 210 MHz @ 2,50 v

Dieser Riegel schafft knapp mehr als 200 MHz, reagiert aber überhaupt nicht auf Spannungserhöhung.

Spoiler: Aeneon CE-6 256 MB Riegel auf ASRock K7NF2-RAID Sockel A, Test 1 (digitalbath)

Aeneon CE-6 256 MB Riegel auf ASRock K7NF2-RAID Sockel 462

Aeneon AED560UD00-600C88X
single sided, Datum unbekannt, Aufdruck G32Mx8 DDR umgelabelt -> Aeneon CE-6

Spezifikation: 166 MHz @ 2,5-3-3-7 @ 2,50 Volt

Möglich:
-> CL2 / CL2,5 / CL3

Nicht möglich:
-> tRCD <3

SuperPi 1M Testdurchlauf (Subtimings 3-4-4-4-3-4-5)

2,0-3-2-11 @ 200 MHz @ 2,50 v
2,5-3-2-11 @ 225 MHz @ 2,50 v
3,0-3-2-11 @ 230 MHz @ 2,50 v

HYNIX 1 GB, D43

Spoiler: Hynix D43 1 GB Riegel auf DFI Lanparty nF4 Ultra-D Sockel 939, Test 1 (stunned_guy)

Hynix D D43 1 GB Riegel auf DFI Lanparty nF4 Ultra-D Sockel 939

double sided, 52. KW 2008

Datenblattspezifikation: HY5DU12822DTP-D43 @ 200 MHz @ 3-3-3-x



Möglich:
-> CL2,5 und CL3
-> tRAS 0
-> DRAM Idle Timer 0

Nicht möglich:
-> CL2 bei 200 MHz (Spannung 2,60 v - 3,20 v; kein Booten)
-> tRCD <3
-> rRP <2

SuperPi 1M Testdurchlauf (alle Subtimings auf "Auto")

​	Cl 2,5 - 3 - 2 - 0​	CL 2,5 - 3 - 3 - 0​	CL 2,5 - 4 - 3 - 0​	CL 2,5 - 4 - 4 - 0​
200 MHz​	2,60 v​	2,60 v​	2,60 v​	2,60 v​
205 MHz​	2,70 v​	2,60 v​	2,60 v​	2,60 v​
210 MHz​	-​	2,60 v​	2,60 v​	2,60 v​
215 MHz​	-​	2,60 v​	2,60 v​	2,60 v​
220 MHz​	-​	2,80 v​	2,60 v​	2,60 v​
225 MHz​	-​	3,00 v​	2,80 v​	2,90 v​

​

​	CL 3,0 - 3 - 2 - 0​	CL 3,0 - 3 - 3 - 0​	CL 3,0 - 4 - 3 - 0​	CL 3,0 - 4 - 4 - 0​
200 MHz​	2,60 v​	2,60 v​	2,60 v​	2,60 v​
205 MHz​	2,80 v​	2,60 v​	2,60 v​	2,60 v​
210 MHz​	-​	2,60 v​	2,60 v​	2,60 v​
215 MHz​	-​	2,60 v​	2,60 v​	2,60 v​
220 MHz​	-​	2,60 v​	2,60 v​	2,60 v​
225 MHz​	-​	2,60 v​	2,60 v​	2,60 v​
230 MHz​	-​	2,60 v​	2,60 v​	2,60 v​
235 MHz​	-​	2,60 v​	2,60 v​	2,60 v​
240 MHz​	-​	2,60 v​	2,60 v​	2,60 v​
245 MHz​	-​	-​	2,70 v​	2,70 v​
250 MHz​	-​	-​	2,80 v​	2,80 v​

Fazit:

CL 2,5 geht bis 225 MHz, egal ob mit 3-3-x / 4-3-x oder 4-4-x
CL 3 geht bis 250 MHz, allerdings nur mit tRCD 4

NANYA 512 MB, B-5T

Spoiler: Nanya B-5T 512 MB Riegel auf DFI Lanparty nF4 Ultra-D Sockel 939, Test 1 (stunned_guy)

Nanya B-5T 512 MB Riegel Nr. 1 auf DFI Lanparty nF4 Ultra-D Sockel 939

Nanya NT512D64S8HB1G-5T
double sided, 16./20. KW 2004, Aufdruck NT5DS32M8BT-5T -> Nanya B-5T

Spezifikation: 200 MHz @ 3-3-3-8 @ 2,50 Volt

Möglich:
-> CL2,5 / CL3, rRCD + tRP 2

Nicht möglich:
-> CL2

SuperPi 1M Testdurchlauf (alle Subtimings auf "Auto")

2,5-2-2-5 @ 205 MHz @ 2,60 v
2,5-3-3-6 @ 210 MHz @ 2,60 v
3,0-3-2-8 @ 210 MHz @ 2,60 v
3,0-3-3-8 @ 225 MHz @ 2,50 v

Nanya B-5T macht keine CL2, der Rest ist verfügbar, allerdings reagiert der Riegel so gu wie nicht auf Spannungsänderung. Kurios: sobald ich tRCD und tRP auf 2 stelle, bootet Windows immer mit mindestens 2,60 Volt, auch wenn ich nur 2,50 Volt im BIOS eingestellt habe.

NANYA 256 MB, C-5T

Spoiler: Nanya C-5T 256 MB Riegel auf ASRock K7NF2-RAID Sockel A, Test 1 (digitalbath)

Nanya CS-5 256 MB Riegel auf ASRock K7NF2-RAID Sockel 462

Nanya NT256D64S88C0GY-5T
single sided, 07/2006, NT5DS32M8CS-5T [TW]

Spezifikation: 200 MHz @ 3-3-3-8 @ 2,50 Volt

Möglich:
-> CL2 / CL2,5 / CL3

Nicht möglich:
---

SuperPi 32M (Subtimings 3-4-4-4-3-4-5; 4-5-5-5-3-5-6)

2,0-2-2-11 @ 200 MHz @ 2,70 v (2,50V reichen richt)

Spoiler: 2,0-2-2-11

Anhang anzeigen 550970

2,0-3-2-11 @ 225 MHz @ 2,70 v

Spoiler: 2,0-3-2-11

Anhang anzeigen 550971

2,5-3-2-11 @ 251 MHz @ 2,70 v

Spoiler: 2,5-3-2-11

Anhang anzeigen 550972

3,0-3-3-11 @ 263 MHz @ 2,70 v

Spoiler: 3-3-3-11

Anhang anzeigen 550973

----

Stand:
#630 (inkl. umgelabelte Chips)
#1050 (ohne umgelabelte Chips)

 

[The Sandman]

270-MHz CL 2.5-3-3-11 würden ohnehin schon von ~ 240-MHz CL2-2-2-11 gefressen werden.
CT-5 RAM in rauen Mengen finden wäre cool. Wenn das stimmt, dass die ihre Timings so schaffen, sind alle Boards safe

 

[digitalbath]

270-MHz CL 2.5-3-3-11 würden ohnehin schon von ~ 240-MHz CL2-2-2-11 gefressen werden.

Das wäre ein Versuch wert.

 

[The Sandman]

Wenn ich das LP B als Zockkasten benutzen würde, würde es wahrscheinlich eher in Richtung 10x230-MHz und CL-2-2-2-11 gehen.
Grafikkarte bei 2x/4x AA/16x AF regelt...

 

[Tzk]

So, Zeit für einen Doppelpost. Ich habe die DT-D43 Riegel auf dem ASRock getestet.

2x512mb bei 263Mhz ist richtig richtig stark. Dieses AsRock geht ja mal richtig gut, Respekt. Ich hätte allerdings mehr Differenz im 32M erwartet als "nur" eine Sekunde. Deine DT-D43 scheinen auch allesamt sensationell gut zu laufen, da hatte ich mit meinen (oder der VDimm Regelung am Asus) weniger Glück.

b0 d0 f3 74: 6Ah --> 62h
b0 d0 f3 7C: 66h --> 44h
b0 d0 f3 48: DAh --> 69h
b0 d0 f3 50: 93h --> B2h

Danach lief der Test durch! Somit war Sandman's Arbeit nicht umsonst. Ich werde diese Register auch auf anderen Systemen testen. Diese Register müssten meiner Meinung nach nicht zu den romsips gehören. Was ich auch entdeckt habe: Nach einem Start sind die register b0d0f3 78 und 79 mit einem Wert von 03h / 10h belegt. Startet man Clockgen ändern sich die Werte sofort auf 0Fh / 50h. Keine Ahnung was das bedeutet...

Du hast diese Register auf dem Asus noch nicht quergecheckt, richtig? Dann mache ich das mal, einmal mit den DFI263+ Romsips und einmal mit ED.

@The Sandman
Die Kingston Value mit den BT-J sind übrigens einer der Gründe für meine frühere Abneigung gegen Hynix. Die Dinger haben sich echt grottig takten lassen... Für 220Mhz+ musste schon 3-4-4-8 herhalten, bis dann kurz vor 230Mhz das ungemoddete Asus aufgegeben hat Und ja, da war ich noch grün hinter den Ohren.

Mehr Volt für VDIMM... aber sobald ich das mache, gehöre ich irgendwann zum Club... die mit den toten Boards

Glaub mir, zu diesem Club zu gehören macht keinen Spaß... Lass es besser

 

[digitalbath]

@Tzk
Das ASRock ist in der Tat nicht schlecht. Das einzige, was mich am diesem board stört ist, dass ich nicht mit vollem FSB Takt booten kann. Hier ist bei 220-230MHz schluss. Da ich nur zwei NVMM Versionen für das board habe, werde ich das auch vermutlich nicht abstellen können.
Bei den Hynix Riegeln bin ich froh, dass ich jeweils 6 Riegel von den 256MB und 512MB Riegel DT-D43 bestellt habe. Die gehen nicht alle so gut. Die 512MB Riegel haben dabei bei memtest (auf dem ASUS) etwas besser abgeschnitten. Die 256MB Riegel brauchen für die 260MHz 2,9V und die 512MB Riegel ca. 2,8V. Ich weiß auch nicht mehr wie weit ich mit den 512MB Riegeln auf dem ASUS komme. Auf dem ASRock ist es etwas einfacher. Wobei auch hier die romsips register ändern/anpassen musste damit es einigermaßen lief. Ich vermute, die Bandbreite ist dann zu hoch für den NF2 Chip.
Ich wette, dass deine Hynix Riegel nach einem recap + R308 mod auch besser bei dir besser laufen.

Die romsips register hatte ich auch auf dem ASUS auch (nur kurz) probiert. Ich hatte da keinen Unterschied bemerkt. Die max FSB Wall war immer noch da. Ich wollte das mit einem anderen Speicher nachtesten.

edit.
Das Program RWeverything ist praktisch. Ich habe Sandmanns gesicherte register als Vergleich geladen. Ist eine Funktion bei dem Programm. Dann werden die unterschiedlichen register rot angezeigt. Das ist echt praktisch. Wenn man dann auf dem Vergleich Knopf drückt kann mann zwischen der eigenen und die als Vergleich geladenen register umschalten.

 

[Tzk]

Meine DT-D43 verweigern das Booten oberhalb von 255Mhz, Timings, Spannung sind dabei egal. Das kann aber auch an den Riegeln liegen, habe ja nur 2x256mb. Die BT-D43 gehen da mit entspannten Timings deutlich besser. R308 habe ich ja bereits gemacht, Recap steht so wie der VTT Mod noch aus.

Und man glaubt es kaum, ich habe (mit etwas Hilfe) tatsächlich einen 512mb 6A Riegel zum akzeptablen Preis auftreiben können. Ich bin gespannt.

 

[digitalbath]

Aso, mit den originalen DFI 263+ romsips kam ich auf dem ASRock nicht weit. Ich habe in Windows auf meine eigenen gewechselt. Werte kannst du im screen sehen.

Wo du den 512MB 6A Riegel ansprichst. Die Mischbestückung aus 2x256MB+512MB lief bei mir besser als die reine 2x512MB Bestückung. Wohl minimal langsamer. Bin auf deine Ergebnisse gespannt.

 

[Tzk]

Wohl minimal langsamer.

Kann eigentlich nicht sein, weil das Board den Unterschied zwischen 2x256mb Singlerank und 1x512mb Dualrank nicht bemerkt, also außer das ein zusätzliches SPD ausgelesen wird. Trotzdem sollte es aus Performance Sicht keine Unterschiede geben... Evtl. ist das nur ein bissel Varianz durch Hintergrundlast o.Ä.?

Habe gerade das Asus mal mit den DFI263 bei 200Mhz FSB gebootet. Ergebnis:
b0 d0 f3 74: 62h
b0 d0 f3 7C: 44h
b0 d0 f3 48: 75h
b0 d0 f3 50: 93h

ED ist komplett identisch dazu auf dem Asus. Die "Quelle" für diese Register muss folglich irgendwo anders liegen. Eventuell ja in den BPL? Mich beschleicht so langsam das Gefühl das man das Bios mal dekompilieren und dann analysieren sollte...

 

[digitalbath]

Hintergrundlast könnte sein. Habe bei allen Tests alles ausgeschaltet, was man ausschalten kann. Sollte keine großen Unterschiede ergeben. Messtolleranzen bei 32m hat man ja immer.

Die Werte müssten bei meinem ASUS ähnlich gewesen sein (aus dem Gedächnis). Beim ASUS waren nur zwei register anders. Welche Riegel hast du drin? Als ich beim ASRock mit 3x512MB Riegel bestückt habe, konnte ich den Register 74 nicht von 6Ah auf 62h umstellen. Da kam ein Freeze.
Btw. bei b0d0f3 sind die meisten register fast gleich zwischen ASRock-ASUS-DFI. Die großten Unterschiede sind in den anderen register Reitern (b0d0f0 bis f4). Da sind viele Werte rot. Am meisten interessieren mich die Werte bei b0d0f2 und f4.

In der BPL wird so einiges wichtiges drin sein. Das BIOS zu dekompilieren / analysieren ist für mich noch zu hoch. Interessant aber auf jeden fall.

 

[Tzk]

Ich hatte mit 2x256mb BT-D43 CL2.5-3-3-8 bei 200Mhz gebootet, Multi war 7.5. Die Quizfrage ist wohl ob man die Stelle im Code findet, die die Register füllt. Dann kann man auch direkt sehen was von wo gelesen wird und was nicht. Ist für mich aber leider bei meinem Wissensstand auch zu hoch. Mal gucken ob sich da was machen lässt.

 

[The Sandman]

tihihi

Winbond BH-5/CH-5 recognition guide - Bartxstore

Winbond BH-5 & CH-5 guide including the types of sticks, Brainpower PCB explanation and most common RAM modules.

bartxstore.com

 

[stunned_guy]

M kann ja eigentlich nur für Mosel oder Micron stehen, wobei ich Micron auf HyperX eher nicht vermuten würde.

Ich habe die Riegel abgestaubt, sind heute hier eingetroffen. Ohne den Heat Spreader abzumachen, es sind Micron ICs, erkennbar an der Kerbe am Chip. Ich war einfach zu neugierig. Somit bestätigt sich meine These, dass auf HyperX keine Mosel Vitalic verbaut worden sind.

 

[digitalbath]

 

[stunned_guy]

Was willst du uns damit ohne Kommentar sagen ? Hast du neue OC-Könige gefunden ?

Noch eine Info zu den Kingston Value: der Buchstabe P wurde leider auch wie das M doppelt belegt: ProMOS und Powerchips. Habe heute wieder ein paar Riegel verglichen.

 

[digitalbath]

Was willst du uns damit ohne Kommentar sagen ? Hast du neue OC-Könige gefunden ?

zuerst wollte ich schreiben, habe es aber sein lassen. Die Farbe des PCB steht hier im Vordergrund. Was die Riegel können weiß ich noch nicht.

Powerchips kommen recht selten bei DDR1 vor. können die was?

 

[stunned_guy]

Die können genausowenig wie Nanya, MDT usw.
230 @ CL2,5 könnte aber drin sein. Sprechen nicht auf Spannungserhöhung an.
Powerchips wurden meiner Meinung nach wenige verbaut und wenn, dann oft mit originalem Chipaufdruck. Ich habe auch nur 6 Riegel davon da. Allerdings haben die genauso den markanten großen runden Kreis in der linken Chipecke und markante Drahtpunkte an den Kanten wie die Infineon. Daher kann man da nicht ganz nachvollziehen, was verbaut wurde.

Nanya habe ich 24x in meiner Liste drin. 256 und 512 MB / DDR266, 333 und 400.

 

[digitalbath]

Ich habe keine da. Dann habe ich nicht viel verpasst, danke

 

[Atlan1980]

Anbei mal ein paar schöne KHX2700 OLD CH6. Das Verhalten in etwa:

200MHz 2-2-2-7 ab ca. 3.05V (GM)
230MHz 2-2-2-7 ab ca. 3.3V (GM)
250MHz 2-2-2-7 ab ca. 3.4V (GM)
252MHz 2-2-2-7 ca. 3.5V (GM + HCI-MemTest, Sub Timings schärfer)

 

[Tzk]

Die Skalierung kommt mir von meinen Corsair bekannt vor... Meist geht mit 3.55V noch ein kleines bisschen mehr, aber bei 255Mhz ist wohl Schluss mit dem Pärchen. Für PC2700 aber dennoch ein sehr ordentliches Ergebnis Skaliert Goldmemory besser als Memtest? Ich hab die Erfahrung gemacht das Settings die in Memtest abschmieren zu 100% instabil sind, aber fehlerfreies Memtest trotzdem im 32M abschmieren kann.

EDIT:
Das 258Mhz 32M Ergebnis hab ich natürlich gekonnt übersehen Damit sind die besser als meine Corsair CH-5, die machen bei 3.55V und 255Mhz zu.

 

[digitalbath]

@Atlan1980
Sehr gute Ergebnisse! CH-6 Riegel, die tRCD=2 mitmachen und auch so mit der Spannung skallieren wird es nicht viele von geben.

 

[Atlan1980]

Naja das DOS MemTest hat mir noch nie viel gebracht außer zum prüfen ob Speicher wirklich tot sind. Wenn es dort Fehler gibt, dann sind sie auf jeden Fall im Eimer Was meinst Du mit GoldMemory skaliert besser als MemTest?

Edit: Mit Standardeinstellungen bringen KHX PCBs ab 3.3V Fehler auf dem DFI. Nur mit ewiger Spielerei aus DriveStrength DataDrive Strength, Idle Cycle Limit, Tref ist es mir gelungen das sie VDimm annehmen. Bei Standard DFI Einstellungen laufen nur 6A und Corsair bei mir gut.

 

[Tzk]

Ich meinte damit ob man über Goldmemory eher den Speicher ausloten kann als mit Memtest. Memtest taugt bei mir nur zum Prüfen der Stabilität des NF2. Schmiert Test #7 ab, dann ist das Board nicht stabil. Aber wenn ich deinen letzten Post so sehe, dann ist GM wohl nicht aussagekräftiger.

Ich hab übrigens noch eine Eigenart meines Systems festgestellt. Wenn die Kiste nicht stabil ist, dann fehlt mir auf Laufwerk D: der komplette Inhalt bis auf eine Datei. Damit lässt sich ziemlich fix gucken ob 32M stabil ist oder nicht. Laufwerk leer = Crash im 32M. Laufwerk voll = 32M läuft mindestens zur Hälfte oder sogar ganz durch

 

[Atlan1980]

Doch ich mache alles mit GoldMemory. Das unterscheided sich zu Windows meistens nur um 1MHz und erspart mir defekte Images. In den letzten Versionen werden sogar CE-5 ordentlich geteset. Das will ich mir aber noch genauer ansehen. Mit GoldMemory wurden 253MHz ausgelotet. Im Windows musste ich für HCI noch 1MHz runter gehen.

 

[stunned_guy]

Anbei mal ein paar schöne KHX2700 OLD CH6. Das Verhalten in etwa:

200MHz 2-2-2-7 ab ca. 3.05V (GM)
230MHz 2-2-2-7 ab ca. 3.3V (GM)
250MHz 2-2-2-7 ab ca. 3.4V (GM)
252MHz 2-2-2-7 ca. 3.5V (GM + HCI-MemTest, Sub Timings schärfer)

Gutes Ergebnis, wenn es CH-5 sind. Woher nimmst du die Angabe ? Ich würde bei PC2700 eher auf CH-6 tippen. Die Chips sind umgelabelt, da steht Kingston usw. drauf. Aber gute Sache mit den Spannungsangaben, dass DDR400 erst mit etwas mehr als 3 Volt läuft. DDR333 geht ja bereits ab 2,5/2,6 Volt.

 

[Atlan1980]

Habe ja auch vermutet daß es CH6 sind weil sie so spät in Gang kommen. Ab 3.4V geht es erst los. Ich hatte damals OCZ VX, die waren gerade mal 3MHz besser. Passt schon.

 

[The Sandman]

Auch eine schöne Datenbank mit angabe zu den verbauten Chips:

SANDRA 2005 MEMORY OVERCLOCKING CHALLENGE

Sandra 2005 Memory Ranking # this thread/ranking is meant for memory overclocking database.# kindly post your screenshot of Sandra 2005 Memory Benchmark# also needed is a screenshot of CPU-Z Memory Info# pls copy the template below and complete the information based on your system.CODERAM =...

forum.lowyat.net

 

[Tzk]

Ich hab zwar kein Interesse an folgenden Riegeln, bin aber neugierig was da drauf verlötet ist. Sind Twinmos "Value" mit Endung AADT... Damit Powerchip? @stunned_guy du weißt das doch bestimmt...

TwinMOS M2G9J16A TT PC 3200 1GB (2 x 512MB) DDR1 400MHz CL2.5 Arbeitsspeicher | eBay

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www.ebay.de

NVM, hab das hier gefunden:

Aktuelle TwinMOS Module und Bestückung

TwinMOS/M.tec DDR400 (getestet auf DDR400 2,5-3-3-8 Single-Channel) (die Angaber AADT usw. beziehen sich auf die letzten 4 Stellen der P/N auf dem Barcode Aufkleber der Module) AADT // Powerchip 0,13 CADT // Powerchip 0,11 AA4T // Winbond 0,13 CH-5 1A4T // Winbond 0,175 BH-5 Die Low-Cost...

www.hardwareluxx.de

 

[stunned_guy]

Powerchips 5 ns in 130 nm Davon habe ich 16 Stück AADT hier dokumentiert.

 

[Tzk]

Dachte ich mir doch... Kleine Ergänzung, weils nicht oben im Thread steht: Die Twinmos Twister "new BH-5" DDR400 CL2-2-2-5 haben als Endung 1A4B. Da ist logischerweise UTT BH-5 drauf.

 

[stunned_guy]

Brauchst du noch TwinMOS Endungen ?? Bitteschön, soweit sie mir bekannt sind:

A-T -> Powerchips
S9DT -> Powerchips
1A4T -> UTT BH-5
1A4B -> UTT BH-5
AA4T -> CH-5
AADT -> Powerchips 5 ns 130 nm
CADT -> Powerchips 5 ns 110 nm
AADW -> Hynix D43
1AMW -> Hynix D5

Die anderen habe ich noch nicht entschlüsselt.