High-NA EUV: E-Tests bestätigen gute Weiterentwicklung bei Metallleitungsstrukturen

[HWL News Bot]

Das Forschungsinstitut imec informiert über erfolgreiche sogenannte E-Test-Ergebnisse in der High-NA-EUV-Lithografie für metallisierte Leitungsstrukturen mit einem Abstand von nur 20 nm. Diese Tests sind der nächste Schritt in der Entwicklung eines Fertigungs-Prozesses und in der Inbetriebnahme der High-NA-EUV-Scanner im gemeinsamen Forschungslabor von imec und ASML.
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[Mr.Mito]

Unterschied bei High-NA EUV ist bei Zeiss einfach erklärt, falls es jemanden interessiert. Ich hab auch erst mal google angeworfen.

High-NA-EUV-Lithographie - die nächste EUV-Generation | ZEISS SMT

Der nächste Technologiesprung in der Halbleiterindustrie: High-NA-EUV-Lithographie von ZEISS ermöglicht noch leistungsfähigere und effektivere Mikrochips.

www.zeiss.de

Muss gestehen das mich Infos über Belichtungstechnologien immer wieder umbauen.

 

[Don]

Etwas Erklärung findet man auch hier: https://www.hardwareluxx.de/index.p...zu-chancen-und-risiken-der-neuen-technik.html

 

[Mr.Mito]

Mich haut allein schon die mechanische Präzision um, die beim Belichten immer und immer wieder erreicht wird. Irgendwie ist das unvorstellbar, dass sich das nicht "verstellt" bei dem Durchsatz.