Inklusive Samsung A-Die: Erste Eindrücke der 16 Gbit ICs
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Ein kleines Update vom Startthread folgt die Tage.
Als kleiner Preview: Die Micron (Spectek) Single Sided ICs lassen sich was den Takt angeht sehr gut übertakten aber zu entsprechend hohen Timings. Selbst DDR4-5000 halte ich für möglich aber dies würde höhere tRCD/tRP Werte erfordern, welches das Bios aber nicht zulässt.
Als kleiner Preview: Die Micron (Spectek) Single Sided ICs lassen sich was den Takt angeht sehr gut übertakten aber zu entsprechend hohen Timings. Selbst DDR4-5000 halte ich für möglich aber dies würde höhere tRCD/tRP Werte erfordern, welches das Bios aber nicht zulässt.
Sind das die Retail oder Single-Tray? Sind die 4600 Mhz deine IMC/Board Grenze oder denkst du dass die RAMs dicht machen?
Kannst du mal ein Foto vom PCB posten?
Wie schauts mit der tRFC und tRAS aus? Skaliert mit Spannung?
Kannst du mal ein Foto vom PCB posten?
Wie schauts mit der tRFC und tRAS aus? Skaliert mit Spannung?
Retail. Hier macht dann eher das Bios zu, da ich keine höheren Timings einstellen kann. Bis DDR4-4866 war es noch bootbar aber dann war aufgrund der zu niedrigen tRCD/tRP Werte Ende. tRFC skalliert nicht auf Spannung oder wenn dann nur minimal.
Fotos gibt es, sobald Don Zeit für das Update findet.
Fotos gibt es, sobald Don Zeit für das Update findet.
Hab die M-Dies mal bestellt. Mal sehen was da so geht
Update: habe bislang nicht mal eine Versandmitteilung
h00bi
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Der Satz ergibt doch keinen Sinn. Das Package ist größer weil 16Gbit mehr Fläche braucht als 8Gbit. Durch DDP wird das Package nicht zwingend größer.
Der 16Gbit A Die ist ein monolithischer 16Gbit die.
Der Hynix H5ANAG8AJR ebenfalls und der Micron MT40A2G8VA-062E:B auch.
Hynix CMR wäre noch DDP, das ist richtig.
Mit einem 16Gbit DDP kann man aber keine 32GB UDIMMs bauen, denn in einem DDP sind 2 unabhängige Chips in einem Gehäuse. DDP spart nur Platz, es ermöglicht nicht die Verdopplung der Speicherkapazität pro Rank.
Ich bezweifle ernsthaft dass auf den CMK64GX4M2C3000C15 Hynix CMR drauf sind. Wohl eher ein Auslesefehler. Evtl. mal Heatspreader runter machen und Chip P/N ablesen.
MFR und AFR sind vorallem 8 Gbit/s Chips von Hynix. Bei den 16 Gbit Chips gibts irgendwie noch zu wenig Infos im Netz.
Ich bin mir auch nicht 100% sicher, dass da CMR Chips drauf sind. MJR macht aus meiner Sicht, jetzt wo du es sagst, auch Sinn. Die sind zumindest auf den GSkill 32GB Modulen auch drauf.
Also auf den F4-3200C16D-64GVK wären dann wohl ebenfalls Hynix MJR.
Ich bin mir auch nicht 100% sicher, dass da CMR Chips drauf sind. MJR macht aus meiner Sicht, jetzt wo du es sagst, auch Sinn. Die sind zumindest auf den GSkill 32GB Modulen auch drauf.
Also auf den F4-3200C16D-64GVK wären dann wohl ebenfalls Hynix MJR.
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h00bi
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Ich hab mal bei meinem Samsung Distri angefragt wegen der ungewöhnlichen partnummer bei den 16 GB single rank Modulen.
Das X steht ja an der Stelle für die Gehäusebauform. Das steht wohl für Edge PAD, was von der LPDDRx Bauform abgeleitet ist.
Üblicherweise ist auf der Lötseite des Chips in der Mitte ein freier Bereich (PAD) und die Lötkügelchen sind drum herum.
Beim Edge Pad sind die Lötkügelchen in der Mitte und die PADs sind an der Kante.
Kein Plan warum man das so gemacht hat.
Im Gehäuse ist wohl trotzdem ein normaler 16Gbit M-Die.
EDIT: Ich seh auch grade dass auf dem tphn Screenshot der Hynix Module im Artikel H5ANAG8N??R angegeben wird.
Das X steht ja an der Stelle für die Gehäusebauform. Das steht wohl für Edge PAD, was von der LPDDRx Bauform abgeleitet ist.
Üblicherweise ist auf der Lötseite des Chips in der Mitte ein freier Bereich (PAD) und die Lötkügelchen sind drum herum.
Beim Edge Pad sind die Lötkügelchen in der Mitte und die PADs sind an der Kante.
Kein Plan warum man das so gemacht hat.
Im Gehäuse ist wohl trotzdem ein normaler 16Gbit M-Die.
EDIT: Ich seh auch grade dass auf dem tphn Screenshot der Hynix Module im Artikel H5ANAG8N??R angegeben wird.
Zuletzt bearbeitet:
Wie schon bei B-Die und C-Die ist das grüne Samsung OEM PCB ab 3600 MHz nicht mehr mit über 1,28-1,3v zu betreiben. Da fehlts den ICs dann einfach an Saft.
Bei 3800 MHz mit Latenzen von 19-23-23-43 und 1,35v erhielt ich direkt im Windows-Anmelde-Screen einen Bluescreen.
Mit 1,275v kann ich dann noch ins Windows booten und auch benchen, aber Karhu wirft dann schnell Fehler.
3600 MHz bei CL16 sind mit akzeptablen Subtimings zu erreichen bei 1,40v. Mehr Spannung möchte ich dem PCB nicht zutrauen.
Auffällig ist, dass die tRFC nicht unter ~320ns kommt. Das sind bei 3600 Mhz knapp 580 Cycles. Auch hier wie bei den Micron a6 Gbit/s ICs konnte ich beispielsweise 560er tRFC nicht mal posten. Man erhält direkt d5 Post-Error. 587 laufen aber sofort stabil durch Karhu RAM Test. Die tRP und tRCD posteten bei 3600 MHz und 1,40v noch mit 20 Cycles, mit 21 Cycles erhielt ich aber nach knapp 60 Sekunden bei Karhu haufenweise Fehler. 22 Cycles laufen mit 1,40v stabil. Auch hier vermute ich könnte man die tRP auf AMD Plattform noch senken. Bei Intel lassen sich die beiden Werte nicht getrennt ansteuern.
Die 3rd Timings kann man auch bei den M-Dies ziemlich straff ziehen. So läuft das Setting beispielweise mit einer tCWL von 14 und tCKE von 4. Auch die tRRD_L und S lassen sich auf einer Kombination aus 6/4 drücken. Das Optimieren der Subtimings bringt auch hier im Vergleich zum AUTO Training einen erheblichen Durchsatz-Boost.
tREFI ließ sich problemlos auf das Maximum von 65535 schrauben. Der Durchsatz steigt dadurch nochmal an.
Auch bedingt durch das eher schlechte PCB trainiert das sonst sehr zuverlässige XI Apex Board ohne aktiviertem "Round Trip Latency" und "Trace Centering" ziemlich hohe/schlechte RTLs und IO-Ls. Durch das Aktivieren der beiden Optionen wurden dann Werte von 58/59 6/6 (CHA/CHB) trainiert, was im Vergleich zum Stock Zustand nochmal eine bessere Latenz und höheren Kopier-Durchsatz bringt. Das manuelle setzen von 57/58 5/5 (was bei guten PCBs eigentlich problemlos funktioniert) endete in einem d5 POST-Error.
Es fühlt sich so an, als wollten die ICs liebend gerne mit Spannung skalieren - sowohl im Takt, als auch bei den Latenzen, aber das PCB lässt das leider nicht zu.
Ob Samsung da durch die Bauteile eine gewissen "Sperre" eingebaut hat bei den OEM Riegeln oder das PCB einfach nur qualitativ schlecht ist übersteigt meine Kenntnisse in der Mikro-Elektronik.
Die M-Die ICs sind leider auch recht temperaturempfindlich. So liefen 3600 MHz bei CL16 und 1,40v eine Stunde lang mit Lüfter vor den Modulen fehlerfrei.
Temperatur lag auf den ICs bei ~40°C (gemessen mit Laser-Thermometer).
Nach einer Stunde entfernte ich dann den Lüfter und die ICs erwärmten sich auf 48°C wo auch direkt Fehler bei Karhu aufkamen.
Bei 3800 MHz mit Latenzen von 19-23-23-43 und 1,35v erhielt ich direkt im Windows-Anmelde-Screen einen Bluescreen.
Mit 1,275v kann ich dann noch ins Windows booten und auch benchen, aber Karhu wirft dann schnell Fehler.
3600 MHz bei CL16 sind mit akzeptablen Subtimings zu erreichen bei 1,40v. Mehr Spannung möchte ich dem PCB nicht zutrauen.
Auffällig ist, dass die tRFC nicht unter ~320ns kommt. Das sind bei 3600 Mhz knapp 580 Cycles. Auch hier wie bei den Micron a6 Gbit/s ICs konnte ich beispielsweise 560er tRFC nicht mal posten. Man erhält direkt d5 Post-Error. 587 laufen aber sofort stabil durch Karhu RAM Test. Die tRP und tRCD posteten bei 3600 MHz und 1,40v noch mit 20 Cycles, mit 21 Cycles erhielt ich aber nach knapp 60 Sekunden bei Karhu haufenweise Fehler. 22 Cycles laufen mit 1,40v stabil. Auch hier vermute ich könnte man die tRP auf AMD Plattform noch senken. Bei Intel lassen sich die beiden Werte nicht getrennt ansteuern.
Die 3rd Timings kann man auch bei den M-Dies ziemlich straff ziehen. So läuft das Setting beispielweise mit einer tCWL von 14 und tCKE von 4. Auch die tRRD_L und S lassen sich auf einer Kombination aus 6/4 drücken. Das Optimieren der Subtimings bringt auch hier im Vergleich zum AUTO Training einen erheblichen Durchsatz-Boost.
tREFI ließ sich problemlos auf das Maximum von 65535 schrauben. Der Durchsatz steigt dadurch nochmal an.
Auch bedingt durch das eher schlechte PCB trainiert das sonst sehr zuverlässige XI Apex Board ohne aktiviertem "Round Trip Latency" und "Trace Centering" ziemlich hohe/schlechte RTLs und IO-Ls. Durch das Aktivieren der beiden Optionen wurden dann Werte von 58/59 6/6 (CHA/CHB) trainiert, was im Vergleich zum Stock Zustand nochmal eine bessere Latenz und höheren Kopier-Durchsatz bringt. Das manuelle setzen von 57/58 5/5 (was bei guten PCBs eigentlich problemlos funktioniert) endete in einem d5 POST-Error.
Es fühlt sich so an, als wollten die ICs liebend gerne mit Spannung skalieren - sowohl im Takt, als auch bei den Latenzen, aber das PCB lässt das leider nicht zu.
Ob Samsung da durch die Bauteile eine gewissen "Sperre" eingebaut hat bei den OEM Riegeln oder das PCB einfach nur qualitativ schlecht ist übersteigt meine Kenntnisse in der Mikro-Elektronik.
Die M-Die ICs sind leider auch recht temperaturempfindlich. So liefen 3600 MHz bei CL16 und 1,40v eine Stunde lang mit Lüfter vor den Modulen fehlerfrei.
Temperatur lag auf den ICs bei ~40°C (gemessen mit Laser-Thermometer).
Nach einer Stunde entfernte ich dann den Lüfter und die ICs erwärmten sich auf 48°C wo auch direkt Fehler bei Karhu aufkamen.
Zuletzt bearbeitet:
Aufgrund der in Thaiphoon Burner verfügbaren Informationen kam zu diesem Zeitpunkt nur CMR in Frage. Selbst jetzt stehen mir auf der skhynix.com Seite auch nur CMR und AMR zur Auswahl. MJR kann ich dort nicht finden.
@even.de
Deckt sich soweit mit meinen Erfahrungen.
Mit den A-Die hatte ich solche Erfahrungen aber nicht. Da konnte ich unabhängig vom Takt auch 1.45V anlegen. Habe es heute auch noch einmal mit niedrigerer Spannung getestet aber es war trotzdem kein Boot mit 4000 möglich. Meine damaligen M-Die Dual Sided gingen aber ebenfalls sehr bescheiden.
Umso mehr bin ich jetzt von den Adada/Micron Single Sided beeindruckt. Da sind Taktraten unabhängig von Spannung oder PCB.
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Zuletzt bearbeitet:
Tochter ist natürlich korrekt, aber sollte man nicht auch erwähnen, dass SpecTek Micron "off-spec" Ware ist?
Oder hat sich da in den Letzten Jahren was geändert?
EDIT:
Bei den 093TP handelt es sich btw um Spectek eTT. Vielleicht interessiert es ja jemanden.
Zuletzt bearbeitet:
Ich habe den Thread jetzt schon eine Weile verfolgt, weil ich 4x 32GB für ein neues Threadripper System plane. Anscheinend gibt es jetzt Micron E-Dies mit 32GB pro Modul, siehe:
www.computerbase.de
geizhals.de
Was haltet ihr von denen? Sind die dann besser als die hier getesteten Module?
Ballistix und Ballistix MAX: Neue Crucial-Kits mit bis zu 4.400 MT/s gelistet
Mit den RAM-Serien Ballistix und Ballistix MAX erreichen zahlreiche neue Speicherkits mit bis zu 4.400 MT/s und Micron E-Dies den Markt.
www.computerbase.de
Arbeitsspeicher (RAM) Speicher mit Typen: DDR4/DIMM, Hersteller: Crucial, Einzelmodulgröße: 32GB, Gelistet seit: ab 2020 Preisvergleich Geizhals Deutschland
Preisvergleich und Bewertungen für Arbeitsspeicher (RAM) Speicher mit Typen: DDR4/DIMM, Hersteller: Crucial, Einzelmodulgröße: 32GB, Gelistet seit: ab 2020
geizhals.de
Laut Crucial werden Micron ICs verbaut. Werden dann vermutlich Micron 16Gbit B-Die sein. Die 3600 CL16 sehen aber vielversprechend aus. Das hatte ich mit meinen damals nicht geschafft. Bin mal gespannt wie die anderen Haupttimings aussehen.
Zuletzt bearbeitet:
emissary42
Kapitän zur See
Die Samples sind schon unterwegs, sollte also nicht mehr allzulange dauern.
h00bi
Enthusiast
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aus welchem Teil des Fotos leitest du diese Info ab?
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