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Ist immer wieder Interessant zu sehen wie mit kleinen Fleischfetzen die Meute bei Laune gehalten wird.Für Ponte Vecchio, so der Codename des HPC-Chips, verwendet Intel verschiedene Tiles oder Chiplets. So gibt es einen Base Tile, einen Compute Tile, einen Rambo Cache Tile und einen Xe Link I/O Tile. Letztgenannter soll extern gefertigt werden, genau wie gewisse Stückzahlen des Compute Tiles. Diesen will Intel aber auch in einem nicht näher genannten Next-Gen-Prozess selbst fertigen. Den Base Tile fertigt man in der aktuellen 10nm-SuperFin-Technologie. Der Rambo Cache Tile soll in 10 nm Enhanced SuperFin, also einer bereits verbesserten Variante, gefertigt werden.
Auf den Base Tile werden Compute Tile, Rambo Cache Tile, der HBM und die Xe Link Extension gestapelt, das ist eben Foveros mit Die-on-Die genau.Sehe ich das richtig, das die sowohl Die-on-Die stapeln (Rambo Cache und dem Compute Die), als auch mehrere Dice auf dem Package haben? Das ist ziemlich abgespaced
Die Angaben der Strukturbreite sind unter der verschiedenen Hersteller nicht vergleichbar. Es kommt im Grunde auf die Transistordichte an und hier müsste man zudem noch unterscheiden, von welchem Bereich des Prozessors und damit der Transistoren wir sprechen.Ist immer wieder Interessant zu sehen wie mit kleinen Fleischfetzen die Meute bei Laune gehalten wird.
Und wieder einmal hat Intel in die Braune Masse gegriffen
10nm Fertigung , was soll das ?
TSMC und andere fertiger sind schon bei 5nm angekommen und vertreiben schon erste Produkte darüber. AMD ist ebenfalls im 5nm Fertigungsprozess mit drin.
Will Intel erneut Ressourcen Verschleudern für nix ?
Wenn dann auf 7nm wo es sich auch für die Interessenten Lohnen würde und nicht mit dem Pseudo 10nm Fertigung a la Intel.
Intel versucht es immer wieder veraltete Technik der Kundschaft Schmackhaft zu machen.
Traurig nur das viele immer und immer wieder drauf reinfallen.
Hoffentlich wird der Test ein Fehlschlag , 10nm einstampfen , mit 7nm Anfangen und davon lernen ,so wäre es richtig !
Nicht Sinnlos Ressourcen Verschwenden und meinen wir haben wieder was Innovatives geschaffen und den Leuten das Sabbern beibringen.
Renoir hatte grob ~65MTr/mm² (9.8MTr und 150mm²), also etwas mehr. Ich tippe das gewisse Teile der Cpu schlicht mehr Platz beanspruchen als andere... Cezanne hat ja den doppelten Cache von Renoir, da würde es mich nicht wundern falls dieser auf die Dichte drückt.TSMC für die Ryzen-Prozessoren (in dem Fall Cezanne) auf 59,44 MTr/mm²
Ich hoffe dir ist bewusst das Intel zwar hinterher hängt, aber mitnichten so viel wie du hier schreibst. Intels 10nm ist direkt an TSMCs 7nm Prozess dran. Intel hat mittlerweile 2 Jahre Rückstand hinter TSMC, allerdings waren die auch vorher 2-3 Jahre im Vorsprung.TSMC und andere fertiger sind schon bei 5nm angekommen und vertreiben schon erste Produkte darüber.
Raja Koduri hat noch einmal nachgelegt und liefert zusätzliche Informationen.
So hat man den Xe-HPC-Chip offenbar tatsächlich funktionstüchtig testen können. Den "Hello World"-Moment hat man in Form eines Mandelbrot-Fraktals zelebriert, welches der Chip berechnet hat. Koduri liefert zudem die Information, dass sich 41 aktive Chiplets im Package befinden. Zählt man die insgesamt erkennbaren einzelnen Chips, kommt man auf zweimal 25, so dass es neun inaktive Chips bzw. Komponenten geben müsste.
Siehe Update in der News mit dem eingebettet Tweet.Hat Koduri gesagt das auf diesem Sample 41 von 50 laufen oder das generell nur 41 von 50 genutzt werden?
Das ist im Grunde die ursprüngliche Aussage zur Einführung des 10nm-Prozesses. Mit 10nmSF will Intel ja mit einer kleinen Verspätung das tatsächlich realisiert haben, nur gesehen haben wir noch keine Daten zu realen Lösungen auf dem Die. Marketingfolien sind geduldig....Intel sagt, 10nm SuperFin sei in der Transistordichte um den Faktor 2,7 besser als der vorherige Prozess. Für 10nm SuperFin will Intel bei 100 MTr/mm² (Millionen Transistoren pro Quadratmillimeter) liegen.
AMD nutzt eine HP-Variante des N7-Prozesses. Im Prinzip bestehen dabei die Transistoren aus mehr parallelen Fins als bei den HD-Varianten. Stichtworte dazu: 6T- und 7.5T-Libraries; T = Tracks und das bezieht sich auf den 2. Metal-Layer, der parallel zu den Fins angeordnet ist. Beispiel N7: Der Fin-Pitch ist 30nm, der M2-Pitch ist 40nm. HD ist hat eine Transistorhöhe von 6T, also 240nm; macht 8 Fins. HP hat einen Transistorhöhe von 7.5T, also 300nm; macht 10 Fins. Bei HD bilden je 2 Fins den N- und P-Teil des CMOS-Transistors, bei HP je 3 Fins. Zusätzlich sind bei HP mehr und dickere Metal-Layer vorgesehen.Das Interessante daran ist aber eigentlich, dass TSMC für 7nm ~100Mtr/mm² angesagt hat, also deutlich mehr als AMD derzeit nutzt. Ich tippe daher das AMD einen speziell für hohen Takt angepassten Prozess bei TSMC nutzt, der nur noch wenig mit dem eigentlichen N7 zu tun hat. Das erklärt dann auch, warum AMD nicht offiziell "einfach" auf N7+ oder N7P gewechselt hat.