Irgendwie wird jeder Speicher falsch erkannt.

[Leech]

Hallo

Mittwoch ist mein Speicher angekommen:
http://www.amazon.de/Corsair-TwinX-...peicher/dp/tech-data/B000CDLCGG/ref=de_a_smtd

Unter Everest wird er als DDR2 800 angezeigt, jedoch im Bios nur als 667.
Folgendes steht im BIOS:

CAS Latenca 5T
1T/2T Command Timing 1T
TwTr Command Delay 3T
Write Recovery Time 6T
Precharge Time 2T
Row Cycle Time 23T
RAS to CAS R/W Delay 5T
RAS to RAS Delay 3T
ROW Precharge Time 5T
Minimum RAS Avtive Time 18T

Reicht es wenn ich im Bios einfach von 667 auf 800 stelle oder muss ich bei den Werten oben noch etwas verändern. Hab das noch nie gemacht deswegen frag ich lieber.

MfG

 

[HMSN]

Das ist so im SPD programmiert (Serial Presence Detect -
Das ist die Bezeichnung des Chips (EEPROM) auf dem RAM, der die Daten gespeichert hat).

Du musst im BIOS 800 einstellen und auch noch die Timings auf 5-5-5-12 (ist sonst auf 5-5-5-18 - ebenfalls so im SPD)

 

[Leech]

Eingestellt ist der Speicher jetzt richtig. Nur jetzt hab ich gesehen wenn ich bei Everest die Benchmarks mache, wird der Speicher mit 747 angezeigt. Normal ist das doch nicht oder?

 

[kiri]

X2 5200+ 65nm = 2700MHz CPU; Speicherteiler DDR2-800 = 7; Speichertakt = 386MHz (DDR2-772)
X2 5200+ 90nm = 2600MHz CPU; Speicherteiler DDR2-800 = 7; Speichertakt = 371,5MHz (DDR2-743)

Da der Referenztakt nicht immer genau 200MHz ist, kann man da auch mal +/- 10MHz nehmen.

 

[Leech]

Nachdem ich jetzt alles richtig eingestellt hatte, musste ich leider feststellen das mein Rechner mit dem 800er Corsair Speicher langsamer ist als mit meinem alten 667er Samsung. Was kann das denn jetzt noch sein? Taugt mein Board nichts oder sollte ich lieber wieder auf 667er umsteigen? Bei Everest steht folgendes:
--------[ SPD ]---------------------------------------------------------------------------------------------------------

[ DIMM1: Corsair XMS2 CM2X1024-6400 ]

Arbeitsspeicher Eigenschaften:
Modulname Corsair XMS2 CM2X1024-6400
Seriennummer Keine
Herstellungsdatum Woche 23 / 2006
Modulgröße 1 GB (2 ranks, 4 banks)
Modulart Unbuffered DIMM
Speicherart DDR2 SDRAM
Speichergeschwindigkeit DDR2-800 (400 MHz)
Modulbreite 64 bit
Modulspannung SSTL 1.8
Fehlerkorrekturmethode Keine
Auffrischungsrate Reduziert (7.8 us), Self-Refresh

Speicher Timings:
@ 400 MHz 5-5-5-18 (CL-RCD-RP-RAS) / 22-42-3-6-3-3 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP)
@ 270 MHz 4-4-4-13 (CL-RCD-RP-RAS) / 15-29-3-5-3-3

Speicher Timings:
CAS Latency (CL) 5T
RAS To CAS Delay (tRCD) 5T
RAS Precharge (tRP) 5T
RAS Active Time (tRAS) 12T
Row Cycle Time (tRC) 23T
Command Rate (CR) 2T
RAS To RAS Delay (tRRD) 3T
Write Recovery Time (tWR) 6T
Write To Read Delay (tWTR) 3T
Read To Precharge Delay (tRTP) 4T
Four Activate Window Delay (tFAW) 14T
Refresh Period (tREF) 7.8 us
DRAM Drive Strength 1.0x
DRAM Data Drive Strength 1.0x
Clock Drive Strength 1.5x
CKE Drive Strength 1.5x
Max Async Latency 6 ns
Idle Cycle Limit 16
Dynamic Idle Cycle Counter Aktiviert
Read/Write Queue Bypass 8

Temperaturen:
CPU 34 °C (93 °F)
1. CPU / 1. Kern 45 °C (113 °F)
1. CPU / 2. Kern 45 °C (113 °F)
Grafikprozessor (GPU) 45 °C (113 °F)
SAMSUNG HD200HJ [ TRIAL VERSION ]

Kühllüfter:
CPU 687 RPM

Spannungswerte:
CPU Core 1.38 V
+3.3 V 3.26 V
+5 V 4.87 V
+12 V [ TRIAL VERSION ]
+5 V Bereitschaftsmodus 4.89 V
VBAT Batterie 3.04 V
DIMM 1.92 V
Debug Info F 03D7 FFFF FFFF 0000 0000
Debug Info T 25 244 34
Debug Info V 56 78 CC B5 C2 36 01 (7F)

Mal steht da die Speicherspannung 1,92V, mal 1,8V. Langsam verzweifel ich wirklich an der Sache