Hallo habe da mal ne frage zu den Speichereinstellungen im Bios.
Hatte vorher ein P4C800-E und hatte folgende Einstellungen:
FSB 220
Volt 2,75
CAS# 2,5
RAS# 3
RAS# to CAS# 3
Precharge 5
Burst Lengh 8
DRAM Idle Time [Auto]
DRAM Refresh Rate [Auto]
Performance Accleration Mode [Aktiviert]
und lief Perfekt!
Nun sieht das Bios vom P4GPL-X etwas anders aus:
Habe es jetzt erstmal so eingestellt
FSB220
Volt 2,70
CAS# 2,5
RAS# 3
RAS# to CAS# 3
RAS# Activate to Precharge 5
Write Recovery Time 5
Hyper Path 2 [Enabled]
Kann aber kein Burst Lengh finden??
Hat jemand verbesserungsvorschläge? (evtl. die Write Recovery Time auf 2 oder 3 stellen??) oder andere Feinheiten !
Laufen tut es aber vielleicht gehts ja noch ein bischen schneller
mfg
nordY
Hatte vorher ein P4C800-E und hatte folgende Einstellungen:
FSB 220
Volt 2,75
CAS# 2,5
RAS# 3
RAS# to CAS# 3
Precharge 5
Burst Lengh 8
DRAM Idle Time [Auto]
DRAM Refresh Rate [Auto]
Performance Accleration Mode [Aktiviert]
und lief Perfekt!
Nun sieht das Bios vom P4GPL-X etwas anders aus:
Habe es jetzt erstmal so eingestellt
FSB220
Volt 2,70
CAS# 2,5
RAS# 3
RAS# to CAS# 3
RAS# Activate to Precharge 5
Write Recovery Time 5
Hyper Path 2 [Enabled]
Kann aber kein Burst Lengh finden??
Hat jemand verbesserungsvorschläge? (evtl. die Write Recovery Time auf 2 oder 3 stellen??) oder andere Feinheiten !
Laufen tut es aber vielleicht gehts ja noch ein bischen schneller
mfg
nordY