Samsung beginnt mit Massenproduktion von 30nm DDR-NAND Flashbausteinen

epionier

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Für alle Interessierten, Samsung hat heute eine Pressenachricht veröffentlicht, nach der mit der Produktion von DDR-NAND im 30nm Verfahren begonnen wurde.

Es handelt sich dabei um 3-Bit MLC, der asynchron angesprochen werden kann (DDR -> Double Data Rate). Somit konnte die Leserate von 40Mbit (30nm SDR-NAND -> Single Data Rate) auf 133Mbit gesteigert werden. Über die Schreibraten ist bisher nichts bekannt. Die erstmalige Auslieferung hat anscheinend bereits begonnen.

Es wird sich zeigen was der tatsächliche Zuwachs bringen wird, insbesondere beim Handling gerade von kleinen Dateien. Die SDR-NAND Chips sind bisher 2Bit-MLC. Zwar werden daher die Kapazität der Flash-Steine größer, jedoch ist auch sicherlich ein besseres Controlling erforderlich. Ich vermute mal die Chips werden dann in der nächsten Generation von Samsung-SSDs verbaut, SSDFix hat ja angekündigt, dass diese für 2010 geplant ist.

Hier gehts zur Pressemeldung:

SAMSUNG DDR-NAND
 
Zuletzt bearbeitet:
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Sehr interessant...bleibt die Frage ob 3Bit-Zellen noch größere Latenzen/Zugriffszeiten haben. (Vergleich SLC->MLC)

Die DDR-Flash-Chips klingen sehr interessant.
Ist das eine Eigenentwicklung von Samsung und wurde von anderen Firmen schon ähnliches angekündigt?

Wollen wir hoffen das die Preise dadurch relativ schnell etwas sinken.

Der Schritt von 50nm auf 30nm ist ziemlich groß. Hatte Samsung denn keine 40nm Flash Produktion? (Ich meine mich an solche erinnern zu können...seltsam)
 
30nm vs 50nm : 40% einsparung
3 bit vs 2bit : 50% erhöhung

=> 0,6*0,5 = 0,3

=> ~70% einsparung von kosten ?

Schön wärs :)
 
-> Nightspider, doch Samsung fertigt bereits in 42nm, jedoch ist neben der erneuten Strukturverkleinerung eben die Technik auch eine andere.

-> leser, Massenproduktion heißt nicht auch fertige SSDs. Die ersten SSDs mit den Flash-Steinen kommen sicher nicht vor Mitte 2010. Ich gehe nicht davon aus, dass der Indilinx ECO diese bereits unterstützt.

-> M.D. Geist, so einfach ist die Rechnung leider nicht ;D Ich vermute dennoch einen preislich markanten Unterschied, aber eher unter 30%.
 
30nm vs 50nm : 40% einsparung
3 bit vs 2bit : 50% erhöhung

=> 0,6*0,5 = 0,3

=> ~70% einsparung von kosten ?

Schön wärs :)
multipliziert mit dem Mehraufwand... der Produktion und Entwicklung?
Das ist dann die spannende Frage, wieviel dabei am Ende für den Kunden an Ersparnis übrig bleibt ;)

MFG Jubeltrubel
 
Sehr interessant...bleibt die Frage ob 3Bit-Zellen noch größere Latenzen/Zugriffszeiten haben. (Vergleich SLC->MLC)

Samsung benutzt die Technoloie und Patente von Sandisk.

Der CEO von Sandisk, Eli Harari, sagte im Conference Call zum 3. Quartal 2009 zur Performance:

Eli Harari

I’d like to add -- let me just add that the performance that we see from both X3 and X4, three and four bits per cell, is such that wherever we apply that technology, we have essentially identical performance to the two bit per cell and we do not actually identify a product as being X3 or X4 driven and the pricing is identical between X2, X3, or X4.


X2 = MLC mit 2 bit pro Speicherzelle
X3 = 3 bit / Speicherzelle
X4 = 4 bit / Speicherzelle

Auf Deutsch:
Es gibt keinen Performanceunterschied, sie schreiben das auf den Speicherchips auch nicht an und verkaufen sie zum gleichen Preis (= sie kassieren günstigere Produktionskosten selber - zumindest bis sie die Konkurrenz zu Preissenkungen zwingt)

Quelle: http://seekingalpha.com/article/167709-sandisk-q3-2009-earnings-call-transcript?source=yahoo&page=-1

Grüsse

awehring
 
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