epionier
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Für alle Interessierten, Samsung hat heute eine Pressenachricht veröffentlicht, nach der mit der Produktion von DDR-NAND im 30nm Verfahren begonnen wurde.
Es handelt sich dabei um 3-Bit MLC, der asynchron angesprochen werden kann (DDR -> Double Data Rate). Somit konnte die Leserate von 40Mbit (30nm SDR-NAND -> Single Data Rate) auf 133Mbit gesteigert werden. Über die Schreibraten ist bisher nichts bekannt. Die erstmalige Auslieferung hat anscheinend bereits begonnen.
Es wird sich zeigen was der tatsächliche Zuwachs bringen wird, insbesondere beim Handling gerade von kleinen Dateien. Die SDR-NAND Chips sind bisher 2Bit-MLC. Zwar werden daher die Kapazität der Flash-Steine größer, jedoch ist auch sicherlich ein besseres Controlling erforderlich. Ich vermute mal die Chips werden dann in der nächsten Generation von Samsung-SSDs verbaut, SSDFix hat ja angekündigt, dass diese für 2010 geplant ist.
Hier gehts zur Pressemeldung:
SAMSUNG DDR-NAND
Es handelt sich dabei um 3-Bit MLC, der asynchron angesprochen werden kann (DDR -> Double Data Rate). Somit konnte die Leserate von 40Mbit (30nm SDR-NAND -> Single Data Rate) auf 133Mbit gesteigert werden. Über die Schreibraten ist bisher nichts bekannt. Die erstmalige Auslieferung hat anscheinend bereits begonnen.
Es wird sich zeigen was der tatsächliche Zuwachs bringen wird, insbesondere beim Handling gerade von kleinen Dateien. Die SDR-NAND Chips sind bisher 2Bit-MLC. Zwar werden daher die Kapazität der Flash-Steine größer, jedoch ist auch sicherlich ein besseres Controlling erforderlich. Ich vermute mal die Chips werden dann in der nächsten Generation von Samsung-SSDs verbaut, SSDFix hat ja angekündigt, dass diese für 2010 geplant ist.
Hier gehts zur Pressemeldung:
SAMSUNG DDR-NAND
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