Speicher-Settings für G.SKILL F1-4000BIU2-2GBHV

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Wollte meine Settings nochmal detailiert auflisten:

Code:
[COLOR="Red"]G.SKILL F1-4000BIU2-2GBHV[/COLOR]

DRAM Voltage Control..........................  -  2.80V
DRAM+,03V If it`s not 3,2v....................  -  Disable

DRAM Configuration Settings:

DRAM Frequency Set............................  -  166=RAM/FSB:01/01
Command Per Clock (CPC).......................  -  Enable
CAS Latency Control (Tcl).....................  -  3.0
RAS# to CAS# delay (Trcd).....................  -  03 Bus Clocks
Min RAS# active time (Tras)...................  -  02 Bus Clocks
Row precharge time (Trp)......................  -  02 Bus Clocks
Row Cycle time (Trc)..........................  -  07 Bus Clocks
Row refresh cyc time (Trfc)...................  -  13 Bus Clocks
Row to Row delay (Trrd).......................  -  01 Bus Clocks
Write recovery time (Twr).....................  -  02 Bus Clocks
Write to Read delay (Twtr)....................  -  01 Bus Clocks
Read to Write delay (Trtw)....................  -  02 Bus Clocks
Refresh Period (Tref).........................  -  Auto
DRAM Bank Interleave..........................  -  Enabled

DQS Skew Control..............................  -  Auto
DQS Skew Value................................  -  0
DRAM Drive Strength...........................  -  Level 8
DRAM Data Drive Strength......................  -  Level 4
Max Async Latency.............................  -  8.0
DRAM Response Time............................  -  Fastest
Read Preamble Time............................  -  5.0
IdleCycle Limit...............................  -  16 Cycles
Dynamic Counter...............................  -  Disable
R/W Queue Bypass..............................  -  16 x
Bypass Max....................................  -  07 x
32 Byte Granularity...........................  -  Disable(4 Bursts)

über 6std getestet ;-)
 
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