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Samsung hat die erhöhte Produktion von schnellem HBM2-Speicher mit einer Kapazität von 8 GB bekanntgegeben. Wie der Hersteller mitteilt, seien ab sofort größere Mengen des schnellen Speichers in der Produktion. Der Chiphersteller bietet den HBM2-Speicher schon länger an, doch bisher gelang es Samsung nur eine begrenzte Anzahl zu produzieren. Aufgrund von Verbesserungen im Produktionsprozess konnte die Ausbeute nun deutlich erhöht werden, sodass der Marktbedarf laut Samsung deutlich besser gedeckt werden könne.
HBM2 zeichnet sich durch seine besonders hohe Geschwindigkeit aus. Die Daten können mit bis zu 256 GB/s übertragen werden und deshalb kommt HBM2 hauptsächlich bei leistungsfähigen Grafikkarten wie zum Beispiel der aktuellen AMD Radeon Vega Frontier Edition zum Einsatz. Bisher limitierte allerdings die fehlende Kapazität die Leistung, doch mit den 8-GB-Bausteinen soll sich dies nun ändern.
Produziert wird HBM2 mit der TSV-Technik. Dabei werden die einzelnen Dies nicht mit einem Draht verbunden, sondern vertikal angeordnet und somit die Signalwege verkürzt. Laut Samsung kommen in einem 8-GB-Baustein insgesamt acht Dies mit jeweils 8 Gbit zum Einsatz und diese sind über 40.000 TSVs miteinander verbunden. Sollte es bei einem Datenpfad zu Verzögerungen kommen, wird automatisch auf einen anderen Datenpfad gewechselt.
Laut Samsung soll die Produktion des 8GB-HBM2-DRAM bis zur ersten Hälfte nächsten Jahres einen Anteil von über 50 % seiner HBM2-DRAM-Produktion einnehmen.