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Der südkoreanische Halbleiterhersteller SK hynix hat jetzt erstmals 1z-nm 16Gb DDR4-DRAM der Öffentlichkeit vorgestellt. Mit der kleineren Strukturbreite, in der die DRAM-Chips gefertigt werden, soll die Produktivität in der Fertigung um 27 % gesteigert werden können. Die genauen Details zur Fertigung nennt SK Hynix aber nicht, denn anders als bei den Prozessoren sind die Bezeichnungen für die Fertigung nicht sonderlich eingängig.
Der neue 1z-nm DRAM unterstützt eine Datenübertragungsrate von bis zu 3.200 MT/s. Laut Aussagen von SK Hynix gelang es dem Unternehmen, die Energieeffizienz deutlich zu optimieren, indem der Stromverbrauch um etwa 40 % im Vergleich zu Modulen mit älterer Fertigungstechnik reduziert werden kann.
Um die Kapazität zu maximieren verwendete das Unternehmen eine neue Substanz. Welche dies jedoch genau ist, wollte der Hersteller nicht bekannt geben. Ebenfalls wurde bei der Herstellung des DRAM ein neues Design verwendet um so die Betriebsstabilität zu erhöhen.
Lee Jung-hoon, Head of 1z TF von DRAM Development & Business, gab zu Protokoll, dass der 1z-nm DDR4-DRAM über die branchenweit höchste Dichte, Geschwindigkeit und Energieeffizienz verfügt. Außerdem gab Lee Jung-hoon bekannt, dass SK Hynix bereits im nächsten Jahr mit der Serienproduktion und der Serienlieferung beginnen wird.
SK Hynix plant, den Prozess der 1z-nm-Technologie auf eine Vielzahl von Anwendungen auszudehnen. Als Beispiel nennt das Unternehmen unter anderem LPDDR5 - die nächste Generation des mobilen DRAMs - aber auch HBM3. Bis dahin werden aber noch einige Jahre vergehen.