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SK hynix

  • 321-Lagen-NAND: SK hynix startet Massenproduktion

    Der südkoreanische Speicherspezialist Sk hynix kündigt die Massenproduktion des ersten NAND-Speichers mit 321 Lagen an. Einzelne NAND-Chips erreichen damit eine Kapazität von 1 TByte. Der Speicher mit 321 Lagen folgt auf die Entwicklung im vergangenen Jahr, in dem man der erste Hersteller war, der NAND-Chips mit 238 Lagen anbieten konnte. Produkte mit dem neuen NAND-Speicher sollen in der ersten Jahreshälfte 2025 auf dem Markt kommen. Sk... [mehr]

  • SK Hynix PCB01: PCIe-5.0-SSD soll bald erscheinen

    Halbleiter-Hersteller SK hynix aus Korea ist spezialisiert auf DRAM, NAND-Flash-Speicher und CMOS-Bildsensoren. Nun hat der Konzern seine neue SSD vorgestellt. Die Massenproduktion der PCB01 soll noch in diesem Jahr beginnen.  Bei der PCB01 handelt es sich um die fünfte Generation von 8-Kanal-PCIe. Laut SK hynix ist die SSD speziell auf den Einsatz für On-Device-KI Weiterentwicklung ausgerichtet. Somit soll sich die Platte... [mehr]

  • Erstes Quartal 2025: Sk hynix ist bei GDDR7 spät dran

    Bereits seit einigen Monaten sprechen die drei großen Speicherhersteller darüber, dass sie in Kürze mit GDDR7 die nächste Generation an Grafikspeicher ausliefern wollen. Zur GTC Ende März haben wir von Samsung und Sk hynix die ersten konkreten technischen Details zum Start erfahren. Micron ist der dritte Hersteller, der diesen Speichertyp anbieten wird. Da die kommende GeForce-RTX-Generation mit dem Einsatz von GDDR7 in Verbindung... [mehr]

  • HBM4: SK hynix und TSMC vereinbaren Zusammenarbeit

    Der Speicherhersteller SK hynix und TSMC haben eine engere Zusammenarbeit in der Entwicklung von HBM4 sowie für zukünftige Packaging-Technologien verkündet. SK hynix plant die Entwicklung von HBM4, der dann sechsten Generation der HBM-Familie, ab 2026 in Serie zu produzieren. Dem südkoreanischen Hersteller geht es vor allem darum, in der Zusammenarbeit zwischen Produktdesign, der Fertigung und dem eigenen Interesse... [mehr]

  • Advanced Packaging für HBM: Sk hynix investiert fast vier Milliarden US-Dollar im US-Bundesstaat Indiana

    Intel, Samsung, TSMC und nun auch Sk hynix. Der Südkoreanische Speicherhersteller will in West Lafayette im US-Bundesstaat Indiana fast vier Milliarden US-Dollar in eine Fabrik für Advanced Packaging sowie eine Forschungs- und Entwicklungsabteilung investieren. Die genaue Summe der Investition beläuft sich auf 3,87 Milliarden US-Dollar. Hauptsächlich soll hier das Packaging von High Bandwidth Memory oder kurz HBM stattfinden. Der... [mehr]

  • 465 Milliarden Megaprojekt: Grundsteinlegung im Frühjahr 2025

    Anfang des Jahres wurde bekannt, dass sich in Südkorea ein riesigen Chip-Cluster in Planung befindet, in das bis 2047 bis zu 465 Milliarden US-Dollar investiert werden sollen. Insgesamt sollen 32 Chipwerke und fünf Forschungseinrichtungen entstehen. Nun sind die ersten Pläne bekanntgeworden, bzw. ältere Pläne von Sk hynix wurden erneut konkretisiert und mit einer Grundsteinlegung ist im März 2025 zu rechnen. Dies geht aus einem Bericht... [mehr]

  • Platinum P51: Sk hynix zeigt PCIe-5.0-SSD auf der GTC

    Neben den allgegenwärtigen GPU-Beschleunigern von NVIDIA gibt es im Ausstellungsbereich der GTC immer wieder ein paar Neuheiten zu sehen – nicht nur den neuen GDDR7-Speicher. Sk hynix zeigt auf seinem Stand die kommende PCIe-5.0-SSD Platinum P51. Zunächst entdeckt wurde dies von Anandtech, danach haben aber auch wir einen genaueren Blick auf den Stand geworfen. Die Platinum P51 soll den Platz der P41 einnehmen und setzt ebenfalls auf einen... [mehr]

  • 465 Milliarden US-Dollar Investition: Südkorea plant riesiges Chip-Cluster

    Immer wieder berichten wir über Investitionen in Milliardenhöhe, die aktuell im Halbleiterbereich weltweit getätigt werden. US Chips Act, EU Chips Act – Länder, Regionen und anderen Zusammenschlüsse legen ihre Geldtöpfe zusammen. In Südkorea plant man in anderen Dimensionen. Bis 2047 soll hier ein riesiges Halbleiter-Megacluster entstehen, für das 622 Billionen Won, also etwa 465 Milliarden US-Dollar investiert werden sollen. Dies... [mehr]

  • 2 TB/s über breiteres Speicherinterface: Samsung will HBM4 schon 2025 einführen

    Auch wenn HBM (High Bandwidth Memory) bei Endkundenhardware kaum mehr eine Rolle spielt, so ist dieser schnelle Speichertyp aus dem Datacenter und hier der Beschleunigerhardware kaum mehr wegzudenken. Entsprechend schritt die Entwicklung in den vergangenen 24 Monaten schnell voran. Nachdem die ersten Beschleuniger mit HBM3 in diesem Jahr ausgeliefert wurden und werden sollen, soll im kommenden Jahr bereits HBM3E zum Einsatz kommen. In der unten... [mehr]

  • Sk hynix und Samsung: Speicher mit In-Memory-AI wird konkreter

    Sk hynix und Samsung arbeiten bereits seit geraumer Zeit daran, den Speicher und den AI-Beschleuniger dichter zusammen zu bringen. Bei Sk hynix nennt sich die entsprechende Technologie AiM (Accelerator in Memory), bei Samsung Processing-in-Memory (PIM). Beide Ansätze sind nicht neu, rücken auf der diesjährigen HotChips 2023 aber näher an einen möglichen Praxiseinsatz. So sieht Sk hynix zu einem GDDR6-AiM einen Prototypen vor,... [mehr]

  • HBM4 von Sk hynix: 2026 soll es mit 32 GB losgehen

    Aktuell werden die ersten AI-Beschleuniger mit HBM3 bestückt. Dazu gehören NVIDIAs H100, aber auch der Radeon Instinct MI300A und MI300X von AMD. Lieferanten des schnellen Speichers sind Samsung und Sk hynix – beides in Südkorea ansässige Unternehmen. Laut BusinessKorea hat Sk hynix auf einem Investoren-Event seine Bestrebungen bestätigt, diesen Speicherbereich in diesem und dem kommenden Jahr weiter auszubauen. Zwar macht der HBM... [mehr]

  • SK hynix: Massenproduktion des 238-Layer-4D-NAND gestartet

    SK hynix hat bekannt gegeben, dass es nach der Entwicklung im August 2022 nun mit der Massenproduktion seines 238-lagigen 4D-NAND-Flash-Speichers im Mai dieses Jahres begonnen hat. Der Produktkompatibilitätstest mit einem namhaften Smartphone-Hersteller wurde bereits gestartet. Mit der Massenproduktion des neuen 4D-NAND-Flash-Speichers bereitet sich das Unternehmen gezielt auf die nächsten Next-Gen-Plattformen vor. Denn das Unternehmen rechnet... [mehr]

  • Flaute am Markt: SK Hynix macht horrende Verluste im vergangenen Quartal

    Von der geringen Nachfrage am Markt sind vor allem Speicherhersteller am härtesten betroffen. Nicht selten quillen die Lagerbestände mit fertigen Produkten über und finden keine Abnehmer. Dies drückt wiederum auf die Preise der Produkte. Es ist daher kaum anders zu erwarten, dass Speicherhersteller zur Zeit herbe Verluste hinnehmen müssen. So ergeht es auch dem südkoreanischen Speicherhersteller SK Hynix, der in seinem aktuellen Geschäftszahlen... [mehr]

  • SK Hynix: SSD mit mehr als 61 TB vorgestellt

    Insbesondere Spieler wissen, dass 1 TB mittlerweile keinesfalls ausreichend ist, sofern diverse Spiele regelmäßig auf dem heimischen Computer oder der Konsole genutzt werden. Spiele, die 60 GB an freiem Speicher benötigen, sind keine Seltenheit mehr. Aber auch im Enterprise-Sektor laufen immer mehr Daten auf, die gespeichert werden müssen. Da die Dateien in der Regel zudem schnell abgerufen werden müssen, sind SSDs inzwischen zum Standard... [mehr]

  • 48 und 96 GB: SK hynix zeigt DDR5 mit ungewöhnlichen Kapazitäten

    Auf der Innovation hat SK hynix als Partner von Intel sein Angebot an DDR5-Arbeitsspeicher ausgestellt. Das Besondere am Speicher sind dabei die angebotenen Kapazitäten. Genau wie im Endkundenbereich hat sich auch im Server-Segment eine binäre Steigerung der Kapazitäten durchgesetzt: 8, 16, 32, 64, 128, 256, 512 GB. Nun von SK hynix ausgestellt wurden DDR5-DIMMs mit 48 und 96 GB. Entdeckt wurden diese von ServeTheHome und... [mehr]

  • Massenfertigung ab 2023: SK hynix stapelt 238 NAND-Lagen

    Das Rennen um NAND-Chips mit den meisten Lagen geht in die nächste Runde. Nachdem Micron in der vergangenen Woche seinen neuen NAND-Speicher mit 232 Lagen vorgestellt hat, folgt nun SK hynix und legt mit 238 Lagen nach. In die Massenproduktion sollen die entsprechenden Chips in der zweiten Jahreshälfte 2023 gehen. Gegenüber dem aktuellen 176L-NAND von SK hynix soll die 238L-NAND-Variante im TLC-Design eine um 34 % höhere Ausbeute in... [mehr]

  • Packaging als Herausforderung: Speicher und Compute rücken zusammen

    Bereits häufiger haben wir über die Weiterentwicklung in der Speichertechnik berichtet, in der ein Processing-in-Memory (PIM) stattfindet. Die Kommunikation zwischen den eigentlichen Recheneinheiten und dem Speicherort der Daten wird zunehmend zu einem Flaschenhals. Geringe Latenzen und hohe Bandbreiten sind für AI-Anwendungen besonders wichtig – entsprechend breit und schnell werden die Speicherinterfaces. Auf dem VLSI Symposium hat SK... [mehr]

  • SK hynix liefert ersten HBM3 an NVIDIA

    Bereits bekannt ist, dass NVIDIA für seinen H100-Beschleuniger auf Basis der Hopper-Architektur HBM3-Speicher verwenden will. Nun hat SK hynix bestätigt, dass der Speicher vom südkoreanischen Hersteller stammen wird und dass man gemeinsam mit NVIDIA die Validierung abgeschlossen habe. Ab dem dritten Quartal 2022 sollen die ersten H100-Beschleuniger ausgeliefert werden. Dies deckt sich mit den Ankündigungen von NVIDIA. "NVIDIA has recently... [mehr]

  • ISSCC 2022: Sk hynix spricht über die aktuelle Entwicklung beim HBM3

    Erst kürzlich hat die JEDEC ein Update der Spezifikationen von HBM3 veröffentlicht. Auf Basis dieser Daten hat SK hynix einen Vortrag auf der ISSCC 2022 gehalten, dessen Essenz wir an dieser Stelle weitergeben wollen. Nach der ersten Generation machte HBM zur zweiten und vor allem als HBM2E bekannten Variante nur noch vergleichsweise kleine Schritte. Ja, die Chips wurden schneller, ein großer Sprung in der Erhöhung der Kapazität und... [mehr]

  • SK hynix entwickelt GDDR6-Speicher mit integrierter AI-Engine

    Ziemlich genau vor einem Jahr kündigte Samsung einen HBM-PIM an, der über integrierte AI-Beschleuniger verfügen soll und die auf dem Speicher befindlichen Daten schon einmal vorverarbeiten kann. PIM steht dabei für Processing-in-Memory und nun hat auch SK hynix einen solchen Speicher vorgestellt – allerdings auf Basis von GDDR6. Der nun vorgestellte GDDR6-AiM (Accelerator in Memory) arbeitet mit 16 Gbps als Interface zwischen... [mehr]

  • DDR5 von Dell mit SK-hynix-Chips sind ein echter Geheimtip

    Bereits mit der Vorstellung der ersten DDR5-Module überschlugen sich die Hersteller mit Ankündigungen immer schnellerer Kits. Ein Takt von 8.888 MHz per Single-Channel und Timings von CL88-88-88-88 sind hier ebenso erwähnenswert wie das Angebot von DDR5-6400 bei CL32-39-39-102, wobei es in diesem Fall gerade die Timings sind, die besser aussehen, als sie wirklich sind. Man sollte auf mehr als nur den Wert für die CAS-Latency schauen. Bis... [mehr]

  • Intel verkauft SSD-Business an SK-hynix-Tochter Solidigm

    Im Oktober des vergangenen Jahres verkündete Intel, dass man die NAND-SSD-Sparte an SK hynix verkaufen werde. In einem ersten Schritt hat SK hynix nun die Tochtergesellschaft Solidigm gegründet, die eben diesen Geschäftsbereich teilweise aufnimmt. Der Deal, der einen Umfang von 9 Milliarden US-Dollar umfasst, betrifft nicht Technologien und Patente rund um den Optane bzw. 3D-XPoint-Speicher. In besagter erster Stufe werden alle... [mehr]

  • SK hynix steigert DDR5-DRAM-Kapazität auf 24 GBit

    Auch wenn in diesem Jahr schon die erste Endkunden-Plattform auf DDR5 umgestiegen ist, so wird die große Masse erst 2022 folgen. Auch wenn die Server auf den neuen Speicherstandard umschwenken, wird der Bedarf noch einmal ein ganz anderer sein. SK hynix hat die ersten Samples von DDR5-DRAM mit 24 Gbit pro Chip angekündigt. Üblicherweise kommen die einzelnen Chips auf eine Kapazität von 16 GBit – sprich 2 GB. Laut SK hynix fertigt man den... [mehr]

  • HBM3 von SK Hynix: 24 GB pro Chip und bis zu 6,4 GBit/s pro Pin

    Lange ist es zu einer neuen Generation des HBM-Speichers still gewesen. Bei den Grafikkarten für Endkunden und auch im Workstation-Bereich haben sich AMD und Intel wieder auf den Einsatz von GDDR beschränkt, bei Beschleunigern im Datacenter kommt HBM aber weiterhin zum Einsatz – aktuell als HBM2E. Die JEDEC hat die finalen Spezifikationen zu HBM3 nicht final freigegeben, dennoch prescht SK Hynix jetzt nach vorne und stellt die... [mehr]

  • Langsamer als erwartet: SK Hynix nennt Daten zu HBM3

    Neben einigen wenigen Ausnahmen hat es der schnelle High Bandwidth Memory bisher noch nicht in die breite Masse geschafft. Auf HBM folgte mit HBM2 die zweite Generation und inzwischen sind wir bei HBM2E angekommen, der als schnellster Stapelspeicher zum Einsatz kommt. Das Einsatzgebiet beschränkt sich vor allem auf AI/ML-Beschleuniger, die auf eine möglichst hohe Speicherbandbreite angewiesen sind. Seit einigen Jahren wird der Start von HBM3... [mehr]

  • Sk Hynix startet Massenproduktion von LPDDR5 mit 18 GB

    Auch bei SK Hynix läuft nun die Massenproduktion von LPDDR5 an, sodass in den kommenden Monaten mit mehr und mehr Geräten zu rechnen ist, die diesen Speichertyp auch verwenden werden. An dieser Stelle sei daran erinnert, dass LPDDR5 aus technischer Sicht nichts mit DDR5 zu tun hat. LPDDR5 ist eine konsequente Weiterentwicklung des "Low Power Double Data Rate"-Speichers und soll laut JEDEC-Spezifikationen Datenraten von 6.400 MT/s ermöglichen... [mehr].

  • Intel verkauft seine NAND-Memory-Sparte an SK hynix

    Intel trennt sich von seiner NAND-Memory-Sparte. Für insgesamt 7,7 Milliarden Euro übernimmt das südkoreanische Unternehmen SK hynix die Intel-Sparte. Dabei handelt es sich um die bisher größte Übernahme der Südkoreaner. Beide Hersteller beabsichtigen bis zum Jahr 2025 den Geschäftsübergang abgeschlossen zu haben. Die Optane-Flashspeicher-Technik bleibt aber im Besitz von Intel.  SK hynix ist weltweit bereits der zweitgrößte... [mehr]

  • SK hynix stellt ersten DDR5-DRAM vor

    SK hynix hat seinen ersten DDR5-DRAM angekündigt. Nach der Ankündigung der Entwicklung von 16-Gigabit-DDR5-DRAM im Jahr 2018 sieht sich das südkoreanische Unternehmen damit gut aufgestellt, den Markt mit DDR5-Speicher versorgen zu können. SK hynix hat inzwischen zahlreiche Validierungs-Tests durchgeführt, so dass eine Kompatibilität zu allen DDR5-Lösungen gewährleistet sein soll. Mitte Juli hatte die JEDEC den finalen DDR5-Standard... [mehr]

  • SK hynix startet die Massenproduktion von HBM2E

    Das südkoreanische Unternehmen SK hynix hat angekündigt mit der Massenproduktion von HBM2E begonnen zu haben. Im Sommer des vergangenen Jahres kündigte man den schnelleren High-Bandwidth-Memory-Standard an, nur zehn Monate später ist nun die Massenproduktion angelaufen. Für einen HBM2E-Chip erreicht SK hynix eine Speicherbandbreite von 460 GB/s. Ermöglicht wird dies über eine Datenrate von 3,6 GBit/s pro Pin und 1.024 IOs pro Layer und... [mehr]

  • SK hynix stellt Datacenter-SSDs mit U.2/U.3- und im Ruler-Format vor

    Mit der PE8000-Serie hat SK hynix eine neue Datacenter-Serie seiner SSDs vorgestellt. Diese verwenden einen Controller, der zu PCI-Express 4.0 kompatibel ist und die Übertragungsraten dementsprechend deutlich steigert. Die PE8010 und PE8030 erreichen einen Wert von 6.500 MB/s für das Lesen und 3.700 MB/s für das Schreiben von Daten. Zufällige Datenzugriffe gibt der Hersteller mit 1.100.000 bzw. 320.000 IOPS an. Im... [mehr]

  • SK hynix plant mit DDR5-8400 und zeigt weitere Vorteile

    In den vergangenen Wochen trauen sich mehr und mehr Hersteller sich zum Thema DDR5 zu äußern. Dies liegt sicherlich auch daran, dass es im kommenden Jahr schon losgehen soll und die Hersteller in Kürze mit der Massenfertigung beginnen. Nun hat sich auch SK hynix zum Thema DDR5 geäußert, welcher in erster Linie dem Joint-Electron-Device-Engineering-Council-(JEDEC)-Standard entsprechen soll, dessen Entwicklung in den kommenden Jahren... [mehr]

  • Für 3DS DRAM und HBM: SK Hynix lizensiert DBI Ultra Interconnect

    Der zunehmende Bedarf an 2,5- und 3D-Packaging-Technologien geht an SK Hynix nicht vorbei. Dazu hat man sich nun bei der Xperi Corporation bedient und mit dem eher unbekannten Technologie-Unternehmen ein Lizenzabkommen geschlossen, welches die DBI Ultra getaufte Interconnect-Technik umfasst. Entwickelt wurde die Technik jedoch nicht von Xperi selbst, sondern von Invensas. DBI Ultra soll es ermöglichen, bis zu 16 Speicherlayer... [mehr]

  • SK Hynix zeigt mit der P31-Serie schnelle SSDs mit 4D-NAND

    SK Hynix wird bei seinen beiden SSDs Platinum P31 und Gold P31 auf einen neuen NAND-Speicher zurückgreifen. Wie der Chiphersteller mitteilt, werden die beiden Speicherlaufwerke mit einem 4D-NAND mit 128 Lagen aus der eigenen Entwicklung ausgestattet. Während der CES 2020 hat man bereits erste Leistungsdaten bekannt gegeben. Demnach werden beide Modelle auf die PCI-Express-3.0-Schnittstelle zurückgreifen und zusammen mit dem NVMe-Protokoll... [mehr]

  • SK hynix entwickelt 1z-nm 16 Gb DDR4-DRAM

    Der südkoreanische Halbleiterhersteller SK hynix hat jetzt erstmals 1z-nm 16Gb DDR4-DRAM der Öffentlichkeit vorgestellt. Mit der kleineren Strukturbreite, in der die DRAM-Chips gefertigt werden, soll die Produktivität in der Fertigung um 27 % gesteigert werden können. Die genauen Details zur Fertigung nennt SK Hynix aber nicht, denn anders als bei den Prozessoren sind die Bezeichnungen für die Fertigung nicht sonderlich... [mehr]

  • SK Hynix stellt schnellsten HBM2E mit 460 GB/s und 16 GB vor

    SK Hynix hat eine neue HBM-Speichervariante vorgestellt, die ab 2020 im Zusammenspiel mit zahlreichen Beschleunigern jeglicher Art zum Einsatz kommen soll. HBM2E ist als Übergangsvariante bis zur dritten Generation des High Bandwidth Memory angedacht, denn die Entwicklungskurve bei der HBM-Speichertechnologie ist etwas abgeflacht und hat sich nicht derart entwickelt, wie dies noch vor wenigen Jahren prognostiziert wurde. Bereits im... [mehr]

  • SK Hynix startet Fertigung von 128-Layer 4D NAND

    SK Hynix hat angekündigt, dass man als erster NAND-Fertiger damit begonnen habe, einen 4D NAND mit 128 Layern zu fertigen. Ab der zweiten Jahreshälfte will der Hersteller damit beginnen den Markt damit zu bedienen. Aufgrund der Anzahl von 128 Schichten rechnet SK Hynix damit, dass man NAND-Speicher um 40 % profitabler anbieten kann. Entsprechend sollen die Preise für den TLC-Speicher sinken, was günstigere SSDs möglich... [mehr]

  • SK Hynix mit eigenem NVMe-Controller für Enterprise-SSDs (Update)

    SK Hynix hat die Entwicklung eines eigenen NVMe-Controllers für Enterprise-SSDs verkündet. Damit sei man einer der wenigen Hersteller, der alle wichtigen Komponenten einer SSD, also den NAND, DRAM und Controller, selbst entwickelt haben und auch selbst herstellen können. Noch nennt SK Hynix keinerlei technische Daten. Die Rede ist nur von einer Enterprise-SSD, deren Controller 72-Layer TLC 3D NAND anspricht. SK Hynix adressiert vorerst... [mehr]

  • SK Hynix liefert ersten QLC-NAND mit 96-Layern aus

    SK Hynix treibt die Speicherdichte bei NAND-Bausteinen weiter voran und liefert an seine Partner erste Musterchips mit einer Kapazität von 1 Terabit aus. Die Speicherbausteine sind für den Einsatz in SSDs gedacht und werden mit 96 Speicherlagen hergestellt. Durch den zusätzlichen Einsatz der QLC-Technik kann der Hersteller die Kapazität von 1 Terabit pro Baustein realisieren. Beim QLC-NAND werden pro Speicherzelle vier Bits gespeichert,... [mehr]

  • SK Hynix plant vier neue Fabriken

    Der südkoreanische Halbleiterhersteller SK Hynix lässt sich allem Anschein nach von der Konkurrenz Intel inspirieren und erweitert nun auch seine Fabriken. So planen die Südkoreaner, insgesamt vier neue Fertigungsstätten zu bauen. Diese sollen anschließend einen Mega-Komplex bilden. Insgesamt will SK Hynix 120 Billionen Won in die neuen Bauwerke investieren, in etwa entspricht das 107 Milliarden US-Dollar.  Außerdem plant der Hersteller,... [mehr]

  • SK Hynix kündigt Produktion von 4D-NAND an

    SK Hynix treibt die Entwicklung von Flash-Speicher weiter voran und stellt mit dem 4D-NAND die nächste Generation an Speicherchips vor. Derzeit setzen die meisten Hersteller von Flash-Speicher auf gestapelten 3D-NAND, doch mit 4D-NAND steht nun die nächste Generation in den Startlöchern. Der Hersteller nennt diese Technik Periphery Under Cell (PUC), womit die Auslagerung der Peripherie-Schaltkreise gemeint ist. Der I/O-Bereich findet sich dabei... [mehr]

  • RAM-Preise: Ermittlungen wegen möglicher Preisabsprache eingeleitet

    Während sich die Grafikkarten-Preise nach dem langanhaltenden Mining-Boom so allmählich beruhigen, bleiben die Preise für Arbeitsspeicher weiterhin auf sehr hohem Niveau. Aufgrund von mutmaßlichen Preisabsprachen zwischen den führenden Speicher-Herstellern Samsung, SK Hynix und Micron schaltet sich nun die NDRC (National Development and Reform Commission) aus China ein. Im Falle einer nachweislichen Preisabsprache droht die NDRC nun... [mehr]

  • Zweite Generation HBM2 von SK Hynix und Samsung sind kein Kompromiss mehr

    Vor etwa zwei Jahren begannen Samsung und SK Hynix mit der Risc-Production von High Bandwidth Memory der zweiten Generation. Seit Sommer wird dieser in der Massenfertigung produziert und NVIDIA verbaut diesen auf der Tesla P100, Quadro GP100, Tesla V100 und Titan V. Im Endkunden-Bereich ist AMD mit der Radeon RX Vega 56 und 64 der bisher einzige Abnehmer. Vor einigen Wochen kündigte Samsung die 2. Generation des HBM2 namens... [mehr]

  • 256 GB pro DIMM: SK Hynix bietet 16-GB-DDR4-Chips an

    SK Hynix hat seinen Produktkatalog um DDR4-Chips mit einer Speicherkapazität von 16 GB erweitert. DDR4-Speichermodule mit 16 GB sind keine neue Erscheinung, wurden bisher aber durch ein Stapeln von Dies mit einer Speicherkapazität von jeweils 8 GB erreicht. Dazu wurden zwei Layer übereinandergestapelt und damit 16 GB erreicht. Auch vier Layer für eine Gesamtkapazität von 32 GB waren damit möglich. Die Verbindungen zwischen den... [mehr]

  • SK Hynix beginnt Massenproduktion von 3D Flash mit 72 Lagen

    Der südkoreanische Speicherhersteller SK Hynix hat mit der Massenproduktion von 3D NAND Flash der vierten Generation begonnen. Dabei handelt es sich um einen neuen Flashspeicher mit 72 Lagen, den das Unternehmen erst vor drei Monaten angekündigt hatte. Laut Industriekreisen hat SK Hynix die Ausbeute optimiert und fertigt nun 256 Gb Flashspeicher (32 GB) mit 72 Lagen für SSDs an, sowie eMMCs für Smartphones. Die Firmware und Controller stammen... [mehr]

  • SK Hynix arbeitet an 3D-NAND mit 96 und 128 Lagen

    Aktuell setzen immer mehr Speicherhersteller auf gestapelten 3D-NAND. Dabei werden mehrere Layer übereinander platziert, um einerseits die Speicherdichte pro Chip zu erhöhen und andererseits die Produktionskosten zu senken. SK Hynix hat bereits vor einigen Monaten die vierte Generation seines 3D-NANDs mit 72 Lagen vorgestellt, doch dies scheint nicht das Ende der Entwicklung zu sein. Geht es nach aktuellen Berichten, entwickelt der... [mehr]

  • SK Hynix führt HBM2 weiterhin mit 4 GB pro Chip auf

    Im High-End-Bereich wird High Bandwidth Memory in den nächsten Jahren eine immer wichtigere Rolle spielen. Von AMD gemeinsam mit SK Hynix entwickelt, zudem zum JEDEC-Standard gemacht und mit der Fiji-GPU erstmals eingesetzt hat sich das Unternehmen zusammen mit der Vega-Architektur ebenfalls auf diesen Speicher eingeschossen und wird ihn in Form der Radeon RX Vega wohl in wenigen Wochen erstmals in der zweiten Generation auf einer... [mehr]

  • GTC17: SK Hynix zeigt GDDR6 – Einsatz auf zukünftigen NVIDIA-Grafikkarten?

    Im April kündigte SK Hynix die konkreten Arbeiten an einer ersten Variante des schnelleren Grafikspeichers GDDR6 an. Auf der GPU Technology Conference ist SK Hynix einmal mehr als Partner von NVIDIA vertreten und zeigt dort auch die eigenen Speicherlösungen – darunter auch erste GDDR6-Chips. Anders als im vergangenen Jahr gibt es allerdings keinerlei Hinweis auf HBM2, einzig der Begriff High Bandwidth Memory fällt im Rahmen der Ausstellung,... [mehr]

  • Grafikkarten ab Anfang 2018 mit GDDR6-Grafikspeicher

    Mit der Umstellung auf High Bandwidth Memory erhofften sich viele einen schnellen Wechsel auf eine neue Speichertechnologie, die Bandbreitenprobleme vorerst ausräumen sollte. Doch HBM ist teuer und die Kapazitäten sind noch nicht auf dem Niveau angekommen, wie dies bei GDDR5 der Fall ist. Es ist also nicht weiter verwunderlich, dass AMD mit der ersten Vega-Grafikkarte zwar auf HBM2 setzen wird, diese aber wohl nur auf 8 GB Grafikspeicher... [mehr]

  • SK Hynix kündigt vierte Generation seines 3D-NAND mit 72 Lagen an

    SK Hynix hat die inzwischen vierte Generation seines 3D-NANDs angekündigt. Wie der Chiphersteller mitteilt, wird die neue Generation nochmals mehr Lagen auf einem Chip vereinen. Insgesamt sollen 72 Lagen übereinander gestapelt werden und damit eine Speicherdichte von 256 Gbit respektive 32 GB pro Chip erreicht werden. Zuvor wurden 48 Lagen aufeinander gestapelt. Bei der Speichertechnik greift SK Hynix auf TLC zurück, womit pro Zelle drei Bit... [mehr]

  • SK Hynix kündigt 3D-NAND v4 mit 512 GBit und HBM2 an

    SK Hynix wird laut eigenen Angaben zufolge ab dem zweiten Quartal seinen 3D-NAND der vierten Generation ausliefern. Dieser wird mit insgesamt 72 Lagen produziert und soll eine Kapazität von 256 GBit pro Chip bieten. Zu einem späteren Zeitpunkt soll die Kapazität noch weiter nach oben geschraubt werden und es werden pro Chip 512 GBit Speicherkapazität zur Verfügung stehen. Hier spricht der Hersteller jedoch von einer Verfügbarkeit erst zum... [mehr]