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SK hynix hat bekannt gegeben, dass es nach der Entwicklung im August 2022 nun mit der Massenproduktion seines 238-lagigen 4D-NAND-Flash-Speichers im Mai dieses Jahres begonnen hat. Der Produktkompatibilitätstest mit einem namhaften Smartphone-Hersteller wurde bereits gestartet. Mit der Massenproduktion des neuen 4D-NAND-Flash-Speichers bereitet sich das Unternehmen gezielt auf die nächsten Next-Gen-Plattformen vor. Denn das Unternehmen rechnet fest mit einem bevorstehenden Marktaufschwung, bei dem es sich mit seiner neusten NAND-Technologie weitere Marktanteile sichern möchte.
Bereits bei der vorherigen Generation von 176-Layer-NANDs gelang es SK hynix eine gute Wettbewerbsfähigkeit in Bezug auf Preis, Leistung und Qualität zu erreichen. Der Speicherhersteller rechnet daher fest damit, dass ihm diese Kombination auch mit den neusten 238-Layer-NANDs gelingen wird. Laut Unternehmensangaben soll der 238-Layer-NAND eine um 34 % höhere Fertigungseffizienz im Vergleich zur vorherigen Generation besitzen, was in der Folge zu einer weiteren Verbesserung der Kostenwettbewerbsfähigkeit führen dürfte.
Außerdem ist das Unternehmen sehr zuversichtlich, dass es mit einer Datenübertragungsgeschwindigkeit von 2,4 GB pro Sekunde eine Steigerung von bis zu 50 % gegenüber der Vorgängergeneration erreichen kann. Smartphone- und PC-Kunden sollen sich mit dieser Technologie auf eine um etwa 20 % höheren Lese- und Schreibgeschwindigkeit freuen können.
Das Unternehmen plant direkt nach der Beendigung der aktuellen Produktkompatibilitätstests umgehend mit der Lieferung des 238-Layer-NAND für Smartphones in der zweiten Jahreshälfte zu beginnen. Ebenfalls sieht Sk hynix vor, die Technologie künftig auch auf sein gesamtes Produktportfolio ausweiten, darunter PCIe-5.0-SSDs und Server-SSDs mit hoher Kapazität.