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In diesem Jahr wird die sechste Xeon-Generation alias Granite Rapids erscheinen. Intel will zusammen mit den neuen Prozessoren eine weitere Klasse an Arbeitsspeicher einführen: MCRDIMM. Dieser soll mit 8.800 MT/s nicht nur schneller als der vermutlich für diese Generation eingesetzte DDR5-6400 sein, sondern auch bei der Kapazität keinerlei Kompromisse erfordern.
Intel hat den Standard mit einigen DRAM-Herstellern wie Sk hynix und Micron entwickelt. Renesas stellt die notwendigen PMICs, SPD Hubs, RCDs und Puffer zur Verfügung und ist damit ebenfalls an der Entwicklung beteiligt.
Auf der GTC24, der diesjährigen Hausmessen von NVIDIA, auf der unter anderem die Blackwell-Architektur für zukünftige Beschleuniger präsentiert wurde, stellte Micron sogenannte "Tall-Module" von MCRDIMM mit Kapazitäten von 128 und 256 GB aus. Damit sehen wir nun auch Kapazitäten, wie sie vermutlich in den Servern zum Einsatz kommen werden. Bisher haben wir nur Engineering Samples mit Kapazitäten von 64 GB zu Gesicht bekommen.
Dieser Tall Form Faktor kann natürlich nicht in Server mit 1U eingesetzt werden und so plant Micron auch flachere Module anzubieten.
Die von Micron gezeigten Module setzen auf DRAM-Chips mit einer Kapazität von jeweils 32 GBit. Für die flacheren Module wird Micron auf sogenannte Double Stack Chips setzen, die dann auf 64 GBit pro Chip kommen. Mit diesen erreichen Micron auf gleicher Fläche die doppelte Kapazität. Bei diesen Modulen wird die Kühlung dann aber natürlich schwieriger.
Hintergrund zu MCRDIMM
MCR steht dabei für Multiplexer Combined Ranks. Der Trick des MCRDIMM ist ein Puffer-Speicher, bzw. eine Bündelung der Datenleitungen, die von den Speicherchips kommen. Die Speicherchips sind in zwei Ranks organisiert und werden zu jeweils 64 Bytes an Übertragungsmöglichkeiten in den Puffer geführt. Von dort geht es dann mit 128 Byte über das Speicherinterface an den Prozessor. Der DRAM arbeitet mit der halben Signalrate, in diesem Fall 4.400 MHz. Zwei Pseudo-Kanäle werden per Multiplex-Verfahren wider zusammengeführt und so ergeben sich aus zweimal 4.400 MT/s zusammengenommen eben 8.800 MT/s.
Starten sollen die MCR-DIMMs mit 8.800 MT/s, in den nächsten Generationen soll es dann auf 12.000 MT/s und 16.000 MT/s gehen. Der klassische DDR5-Speicher wird in diesem Jahr vermutlich mit 6.400 MT/s für die sechste Xeon-Generation alias Granite Rapids starten. Durch die Verdopplung der Transferrate über das Multiplex-Verfahren kann der Durchsatz für MCDRIMM deutlich schneller steigen, als dies bei DDR5 der Fall ist.
Die Nachteile der MCR-DIMMs sind in etwa 2-3 ns an Latenz die hinzukommen und eine etwas höhere Abwärme der Module. Auf dem Flash Memory Summit zeigte Intel einen Vergleich zwischen RDIMMs mit 4.400 MT/s und MCRDIMMs bei 8.800 MT/s. Die Kapazität betrug jeweils 64 GB. Während die RDIMMs auf eine Leistungsaufnahme von 9 W kommen sollen, sind es für die MCRDIMMs 16,5 W. Eine Verdopplung der Bandbreite bei einer "nur" 80 % höheren Leistungsaufnahme klingen zunächst einmal sicherlich gut.
Inzwischen aber dürften die RDIMMs mit 6.400 MT/s ebenfalls im Bereich von 9 W liegen und dann schmilzt dieser Vorteil von MCR deutlich zusammen. Sollte die Birch-Stream-Plattform für die kommende Xeon-Generation tatsächlich mit DDR5-6400 an den Start gehen, sind die Vorteile des MCRDIMM abermals geringer zu bewerten.
In diesem Jahr wird Intel die kommende Xeon-Plattform zusammen mit MCRDIMM vorstellen. Dann werden wir sicherlich auch einige Antworten auf die von uns hier aufgeworfenen Fragen bekommen.