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Der südkoreanische Speicherspezialist Sk hynix kündigt die Massenproduktion des ersten NAND-Speichers mit 321 Lagen an. Einzelne NAND-Chips erreichen damit eine Kapazität von 1 TByte. Der Speicher mit 321 Lagen folgt auf die Entwicklung im vergangenen Jahr, in dem man der erste Hersteller war, der NAND-Chips mit 238 Lagen anbieten konnte. Produkte mit dem neuen NAND-Speicher sollen in der ersten Jahreshälfte 2025 auf dem Markt kommen.
Sk Hynix spricht von einer einfachen Adaption des neuen Speichers mit 321 Lagen, da man viele Prozessschritte der vorherigen Version mit 238 Lagen übernehmen konnte. Dazu gehört auch die sogenannte "3 plugs"-Technologie. Diese beschreibt eine Methode, bei der ein vertikales Loch durch Substratschichten erzeugt wird, um mehrere Zellen auf einmal zu erzeugen. Durch diesen Schritt soll die Fertigung des NAND mit derart vielen Lagen um 59 % produktiver gestaltet werden können.
Der NAND-Speichers mit 321 Lagen bietet zudem eine um 13 % höhere Leseleistung und eine um 12 % höhere Schreibleistung. Bei nahezu identischer Leistungsaufnahme steigt die Effizienz um 10 %.
NAND und DRAM sind aufgrund des KI-Hypes extrem gefragt. Vor allem beim HBM3E können die Hersteller aktuell nicht die Mengen liefern, die AMD und NVIDIA für ihre KI-Beschleuniger benötigen. Zudem sind die HBM3E-Chips mit 24 Lagen wohl schwerer zu fertigen, als dies zu Beginn der Entwicklung zu erwarten gewesen ist.