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SK Hynix hat die inzwischen vierte Generation seines 3D-NANDs angekündigt. Wie der Chiphersteller mitteilt, wird die neue Generation nochmals mehr Lagen auf einem Chip vereinen. Insgesamt sollen 72 Lagen übereinander gestapelt werden und damit eine Speicherdichte von 256 Gbit respektive 32 GB pro Chip erreicht werden. Zuvor wurden 48 Lagen aufeinander gestapelt. Bei der Speichertechnik greift SK Hynix auf TLC zurück, womit pro Zelle drei Bit gespeichert werden können.
Neben der höheren Speicherkapazität sollen als weiterer Vorteil die Produktionskosten geringer ausfallen. SK Hynix spricht gegenüber der dritten Generation von einer Ersparnis von rund 30 %. Zudem soll auch die Leistung verbessert worden sein und gegenüber dem Vorgänger um 20 % ansteigen.
Die Massenproduktion der vierten Generation des 3D-NAND von SK Hynix soll im zweiten Halbjahr starten. Zu einem späteren Zeitpunkt seien dann noch größere Speicherbausteine mit einer Kapazität von 512 Gbit geplant. Diese Pläne hatte der Hersteller auch bereits Ende Januar publiziert.