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SK Hynix treibt die Entwicklung von Flash-Speicher weiter voran und stellt mit dem 4D-NAND die nächste Generation an Speicherchips vor. Derzeit setzen die meisten Hersteller von Flash-Speicher auf gestapelten 3D-NAND, doch mit 4D-NAND steht nun die nächste Generation in den Startlöchern. Der Hersteller nennt diese Technik Periphery Under Cell (PUC), womit die Auslagerung der Peripherie-Schaltkreise gemeint ist. Der I/O-Bereich findet sich dabei am Rand des Chips wieder. Dadurch sollen die Chipfläche reduziert und die Produktionskosten gesenkt werden.
SK Hynix spricht davon, dass der 4D-NAND eine um 30 % reduzierte Chipfläche einnimmt. Somit können aus einem Wafer mehr Speicherchips herausgeschnitten werden und damit in gleicher Zeit mehr Chips vom Band laufen. Bei der Technik setzt man weiterhin auf TLC, bei der pro Speicherzelle drei Bits gespeichert werden. Ob zukünftig auch der Umstieg auf QLC-NAND geplant ist, bleibt derzeit offen. Damit würde die Speicherdichte pro Chip nochmals weiter ansteigen.
Der neue 4D-NAND wird aus insgesamt 96 Speicherlagen bestehen und soll pro Chip eine Kapazität von bis zu 512 Gbit bieten. Durch die Technik soll zudem die Schreib- und auch Leseleistung des NANDs weiter erhöht werden. Damit seien zusammen mit neuen SSD-Controllern noch schnellere Laufwerke möglich.
SK Hynix möchte noch in diesem Jahr die ersten Chips mit der 4D-Technik produzieren. Diese werden jedoch erst einmal nur als Muster für Partner zur Verfügung stehen. Bis die ersten Produkte auf Basis des neuen Flash-Speichers im Handel stehen werden, dürfte es noch einige Monate dauern. Aktuell peilt der Hersteller den Sommer 2019 als Startdatum an. Dieser Termin könnte sich aufgrund nicht vorhersehbarer Probleme bei der Produktion jedoch nochmals verschieben.