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Das Rennen um NAND-Chips mit den meisten Lagen geht in die nächste Runde. Nachdem Micron in der vergangenen Woche seinen neuen NAND-Speicher mit 232 Lagen vorgestellt hat, folgt nun SK hynix und legt mit 238 Lagen nach. In die Massenproduktion sollen die entsprechenden Chips in der zweiten Jahreshälfte 2023 gehen.
Gegenüber dem aktuellen 176L-NAND von SK hynix soll die 238L-NAND-Variante im TLC-Design eine um 34 % höhere Ausbeute in der Fertigung ermöglichen. An dieser Stelle verweist SK hynix darauf, dass mehr Chips mit einer höheren Speicherdichte gefertigt werden können. Micron kommt mit seinem 232L-NAND auf eine Speicherdichte von 14,6 GBit/mm² und will damit eine Steigerung der Produktivität von 43 % erreichen.
Auch der 238L-NAND von SK hynix erreicht nun 2.400 MT/s und arbeitet energieeffizienter als sein Vorgänger. Dazu kommt unter anderem der sogenannte Charge Trap Flash (CTF) zum Einsatz, bei dem die elektrische Ladung nicht in Leitern, sondern in Isolatoren gespeichert werden. Damit werden Interferenzen zwischen den Zellen vermieden, was die Lese- und Schreibleistung verbessern soll und zugleich die Zellenfläche im Vergleich zur Floating-Gate-Technologie verringert.
Die Platzersparnis innerhalb des NAND ergibt sich durch die Umsetzung von Peri. Under Cell (PUC). Dabei handelt es sich um eine Technik, bei der die peripheren Schaltkreise des Speicherchips nicht neben sondern unter dem Cell Array platziert werden.
SK hynix will den 238L-NAND zunächst in Client-SSDs einsetzen, bevor er dann später auch in Smartphone-Speicher und Server-SSDs eingesetzt werden soll. Anfangs kommen die dazugehörigen Speicherchips auf eine Kapazität von 512 GBit, später soll dann 1 Tbit umgesetzt werden.