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In einer gesonderten Meldung vor einigen Wochen sind wir bereits auf die Vor- und Nachteile von High Bandwith Memory (HBM) von SK Hynix eingegangen, die als nächster Schritt bei der Entwicklung zukünftiger Grafikkarten und den immer größer werdenden Anforderungen bei der Speicherbandbreite gelten. Im aktuellen Databook des Herstellers tauchen diese neuen Speicherchips nun auf und könnten durch Kunden erworben werden.
Der als H5VR8GESM4R-20C aufgeführte Speicherchip stellt dabei die erste Ausbaustufe von HBM dar, der bei einer Kapazität von 1 GBit (128 MB) und einem Takt von 1.000 MHz auf eine Speicherbandbreite von 128 GB pro Sekunde kommt. Es handelt sich dabei um einen Speicherstack aus vier Layern, die mit 1,2 Volt und damit wesentlich weniger Spannung betrieben werden, als der aktuelle GDDR5-Standard, der bei zwischen 1,35 und 1,55 Volt arbeiten. Theoretisch denkbare wäre der Einsatz mehrerer dieser Chips auf einer GPU. Eine mögliche Konfiguration wären vier Chips, was einem Speicherausbau von 4 GB entspräche, die über ein insgesamt 512 GB pro Sekunde breites Speicherinterface angebunden wären.
Auch beim GDDR5-Speicher gibt es eine weitere Entwicklung denn SK Hynix listet mit dem H5GQ4H24AJR-R4C einen ersten Speicher, der mit 2.000 MHz effektivem Takt arbeitet. Aktuell verbauen sowohl AMD wie auch NVIDIA GDDR5-Speicher mit einem maximalen Takt von 1.750 MHz. Der schnelle Speicher ist von SK Hynix zunächst nur in einer Kapazität von 4 Gbit (512 MB) verfügbar (so wird auch meist auch auf den Grafikkarten verbaut). Im FBGA-Package mit 170 Pins arbeitet er mit einer Spannung von 1,55 Volt.
Es kann davon ausgegangen werden, dass sowohl AMD als auch NVIDIA für die kommenden Grafikkarten auf schnelleren GDDR5-Speicher setzen wird, bevor dann beide Hersteller den Schritt hin zu HBM bzw. 3D-Speicher wagen werden. Offizielle Ankündigungen dazu gibt es natürlich noch nicht. AMD wird immer wieder im Zusammenhang mit der Entwicklung von HBM genannt und NVIDIA arbeitet laut eigenen Ankündigungen weiterhin am 3D-Speicher.