High-NA EUV
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High-NA EUV: E-Tests bestätigen gute Weiterentwicklung bei Metallleitungsstrukturen
Das Forschungsinstitut imec informiert über erfolgreiche sogenannte E-Test-Ergebnisse in der High-NA-EUV-Lithografie für metallisierte Leitungsstrukturen mit einem Abstand von nur 20 nm. Diese Tests sind der nächste Schritt in der Entwicklung eines Fertigungs-Prozesses und in der Inbetriebnahme der High-NA-EUV-Scanner im gemeinsamen Forschungslabor von imec und ASML. Im Sommer des vergangenen Jahres vermeldete ASML, dass erstmals... [mehr] -
High-NA EUV: Intel zu Chancen und Risiken der neuen Technik
Im Dezember hat Intel den ersten High-NA-EUV-Scanner von ASML erhalten. Dieser steht nun in der Fab D1X im US-Bundesstaat Oregon und wird in den kommenden Monaten vom niederländischen Unternehmen so eingerichtet, dass Intel damit Anfang 2025 damit beginnen kann, die eigenen Prozesse darauf abzubilden. Im Verlaufe des kommenden Jahres will man dann die wichtigsten Prüfpunkte erreichen, die eine Massenproduktion am 2026 zulassen. In Oregon... [mehr]
