MBCFET
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Samsung 3GAE: Die ersten MBCFET stecken in Mining-ASICs
In den vergangenen Tagen machte Samsung in Hinblick auf seine modernsten Fertigungsverfahren auf sich aufmerksam. In den vergangenen Jahren war die Berichterstattung in dieser Hinsicht eher von Negativschlagzeilen geprägt: Verzögerungen, schlechte Ausbeute, das Wegfallen vieler Großkunden. Nun scheint es jedoch in die andere Richtung zu gehen. Zunächst einmal vermeldeten verschiedene Branchen-Magazine (Kmib.co.kr und DigiTimes),... [mehr] -
Ab 2022 in 3 nm: Samsungs Multi Bridge Channel FET als Zukunft der Halbleitertechnik
Samsung stellt mit den Multi Bridge Channel FETs (MBCFET) die nächste Generation der Feldeffekttransistoren (FET) vor. Diese sollen alle aktuellen physikalischen und elektrischen Schranken umgehen können und ab 2022 bei Samsung in der Massenfertigung in 3 nm zum Einsatz kommen. Bereits 2021 soll es aber erste Samples geben. Bereits Anfang 2019 sprach Samsung erstmals über das Thema, fügt diesem nun aber weitere Details hinzu. Durch den... [mehr]