Allgemeine Fragen zu Ram

[Jonny]

Allgemeine Fragen zu Ram

Ich hab hier mal ein paar ganz dumme fragen zu RAM:
1. Was bedeuten die drei Buchstaben, von denen dauernd geredet wird z.B.DMC o.ä.
2.Was bedeuten Zahlenkombinationen wie 2-5-2-2-5
3.Was ist Twinmos Ram??
Schomal THX

 

[Apexx]

Hi.

1. Weiss nicht was du genau meinst.
2. 2-5-2-2-1T z.B. sind Timings/Latenzen.
CL2 is die bekannteste Latenz. Mit ihr wird angegeben, wie lange der RAM braucht, bis neue Daten geladen werden (hier 2 Takte). Kann aber auch CL2,5 (oder bei SDRAM) CL3 sein.
die Zahlen danach sind auch einzelne Timings. Generell bedeutet: je kleiner desto schneller!
3. Twinmos ist ein Hersteller. Viele User nehmen lieber Twinmos anstelle von Corsair, OCZ oder GEIL Ram (auch alles Hersteller), da sie günstiger sind, aber dennoch mit guten Timings und hohen Takten nicht geizen.

Ich hoffe, Dir ein wenig geholfen zu haben

 

[w@nderer]

zu 1.

...also CTL, DTM usw. sind verschiedene Versionen von Ramchips , welche auf den 2700er SamsungRiegeln verbaut werden oder wurden.

Die goldenen davon sind wohl die CTL's , jedenfalls soweit ich das verstanden hab.
Die haben in einem bestimmten Test wohl so richtig gut abgeschnitten und daran orientieren sich anscheinend noch ne Menge Leute ohne zu wissen, dass diese schnellen Chips längst nicht mehr verbaut werden.

Die Nachfolger sind die Jagd nicht wert...

greetz

 

[CM50K]

genau, bei den Samsung DDR333 waren die CTLs die Hammerchips (CL2 noch bei 200mhz)
die DTLs waren sehr schlecht (grad mal CL2.5 bei 166mhz) <img border="0" title="" alt="[Frown]" src="frown.gif" />

 

[MusicIsMyLife]

Schlecht? Ansichtssache! Schlechter als CTL allemal, aber wenn der Ram bei 190 FSB noch 1T und 4 Bank Interleaving bei 2,65 Volt mitmacht, dann kann ich nicht meckern! Bis etwa 170 gingen allerschärfste Timings.

 

[Jonny]

THX

Vielen Dank, ihr habt mir echt geholfen

 

[webby]

Noch zu Punkt 3

2.0-3-3-8 (CL-RCD-RP-RAS)

CaS-Latency CL (1,5/2,0/2,5/3,0) tiefer besser
RAS-to-CAS-Delay RCD (2/3/4/5) tiefer besser
RAS-Precharge-Time RP (2/3) tiefer besser
Row-Active-Time RAS (5/6/7) tiefer besser


CaS-Latency tCL (1,5/2,0/2,5/3,0)(CAS Latency Time, CAS Timing Delay) Zeitdauer in Taktzyklen zwischen Adressierung der Spalte und Bereitstellung der Daten im Ausgaberegister. Die bestmögliche Einstellung wird von Speicher-Herstellern als CL-Wert angegeben.

RAS-to-CAS-Delay tRCD (2/3/4/5)(RAS to CAS Delay, Active to CMD) Zeit zwischen Anlegen der Zeilenadresse und Übertragen der Spaltenadresse. Die Einstellung von 2 Taktzyklen bringt bis zu vier Prozent mehr Leistung.

RAS-Precharge-Time tRP (2/3)(RAS Precharge, Precharge to active) Anzahl der Taktzyklen zum Vorladen der Datenleitungen bis zum Anlegen der Spaltenadressierung.

Row-Active-Time tRAS (5/6/7)(Active to Precharge Delay, Precharge Wait State, Row active Delay, Row Precharge Delay) Verzögerung, wenn nacheinander zwei unterschiedliche Zeilen eines Speicherchips angesprochen werden.

 

[Axolotl]

1. Nett, daß du helfen willst...
2. Auf's Datum hast du jetzt aber weniger geachtet, oder?

 

[Jesse Blue]

16.01.2003,

 

[illninho]

16.01.2003,

lööööl

 

[Axolotl]

Kriegt euch wieder ein...

 

[webby]

heheh verdammt...... lölchen.
ne muß ich zugeben habe ich nicht drauf geachtet.
Dachte wäre noch recht aktuell, da der Thread ziemlich weit oben war.

 

[sephi]