[Sammelthread] Der DDR1 Ram-Chip Thread

Einleitung

Ich habe mir gedacht, dass eine separate Übersicht über die verfügbaren DDR1 Ram Chips, ihr Verhalten bei Übertaktung und das -potenzial sicher einigen hier im Forum weiterhilft. Außerdem möchte ich Detailsaufnahmen der Chips zusammenstellen, damit man umgelabelte Chips einfacher identifizieren kann. Außerdem können wir noch einfache Tests dazunehmen, mit denen man die jeweiligen Chip erkennen kann, falls sie z.B. unter Heatspreadern verborgen sind. Das Ganze soll nach Hersteller und Chiptyp sowie -kapazität sortiert sein.

Kurzlinks zu den jeweiligen Herstellern:
Aeneon / Infineon / Qimonda | Elpida | Hynix | Micron | Mosel Vitelic | Nanya / Elixir | Promos | Samsung | Winbond |

Umgelabelte Chips

Usertests

SPD Tool

[Sammelthread] - Der DDR1 Ram-Chip Thread

Einleitung Ich habe mir gedacht, dass eine separate Übersicht über die verfügbaren DDR1 Ram Chips, ihr Verhalten bei Übertaktung und das -potenzial sicher einigen hier im Forum weiterhilft. Außerdem möchte ich Detailsaufnahmen der Chips zusammenstellen, damit man umgelabelte Chips einfacher...

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SPDTool Tutorial

Spoiler: HOW-TO SPD modden und flashen

SPDTool Tutorial:



(Bildquelle: https://occlub.ru/news/software/269...oj-oblasti-spd-v-modulyax-operativnoj-pamyati)

Vorgehen zum SPD modden:

1. SPDTool v0.63 herunterladen und starten
2. Im Menü mittels File -> Read den entsprechenden Stick auslesen
3. SPD Tool zeigt nun den Inhalt des SPD an. In der oberen Hälfte wird der Inhalt in Hex angezeigt, in der unteren Hälfte ist das ganze dekodiert aufgeschlüsselt
3a. Falls gewünscht kann das SPD über File -> Save auf die Festplatte gesichert werden
4. Um nun einen Riegel um einen Rank zu "berauben" wird "number of DIMM Ranks" um eins heruntergesetzt

An dieser Stelle sollte man darauf achten das sich das korrekte Bit oben im HEX Bereich ändert. Für die Ranks zuständig ist Byte 5, also das sechte Byte in der ersten Zeile (gezählt wird ab Null!). Bei einem DDR1 Doublerank Riegel sollte Byte 5 02h sein, bei einem Singlerank Riegel 01h. !Achtung! Bei mir hatte das SPD Tool an dieser Stelle einen Fehler, es wurde 02h als "3 Ranks" ausgelesen, was natürlich quatsch ist! Wichtig ist der Hex Wert, nicht was das SPDTool unten anzeigt!

5. Wenn die Änderung erfolgt ist, dann muss über das Menü via EDIT -> fix Checksum noch die Checksumme des SPD korrigiert werden.
6. Nun wird noch der Riegel per File -> Write geflasht
7. Neustart und freuen das der Riegel nur noch die halbe Kapazität hat...

SPD Inhalt entschlüsselt:

Spoiler: SPD Inhalt by DocMemory

Understanding DDR Serial Presence Detect (SPD) Table
By: DocMemory
Serial Presence Detect (SPD) data is probably the most misunderstood subject in the memory module industry. Most people only know it as the little Eprom device on the DIMM that often kept the module from working properly in the computer. On the contrary, it is quite the opposite. The SPD data actually provide vital information to the system Bios to keep the system working in optimal condition with the memory DIMM. This article attempts to guide you through the construction of an SPD table with "Turbo-Tax" type of multiple choices questions. I hope you will fin the information here interesting and useful.

Byte	Description	Value
Byte 0	Number of Serial PD Bytes written during module production The most common for standard 184pin DIMM and 200pin SODIMM is 128 bytes written although some special modules and manufacturer would occasionally insert different number.	128 Byte 80h 255 Byte FFh
Byte 1	Total number of Bytes in Serial PD device This is referring to the EEPROM size used. For standard 184pin DIMM and 200pin SODIMM, device used is usually 128 Bytes or 256 Bytes with 256 Bytes as the most common.	128 Byte (24C01) 07h 256 Byte (24C02) 08h
Byte 2	Fundamental Memory Type This refers to the DRAM type. The most common now-a-days are either SDRAM or DDR. In this case, we are only dealing with DDR	00h reserved 01h Standard FPM DRAM 02h EDO 03h Pipelined Nibble 04h SDRam 07h DDR (recommended default) 08h DDR2 SDRam
Byte 3	Number of Row Addresses on this assembly This relates to the DRAM size as well as the Refresh scheme of the DRAM. The best way to discover this is to use the AutoID function of the CST DIMM tester. You would first run the AutoID on the tester. You then use the [Edit] [AdrDat] function to display the Row and Column Address counts.	0Dh 13 0Ch 12 0Bh 11 0Ah 10 09h 9
Byte 4	Number of Column Addresses on this assembly This relates to the DRAM size as well as the Refresh scheme of the DRAM. The best way to discover this is to use the AutoID function of the CST DIMM tester. You would first run the AutoID on the tester. You then use the [Edit] [AdrDat] function to display the Row and Column Address counts.	0Dh 13 0Ch 12 0Bh 11 0Ah 10 09h 9
Byte 5	Number of Physical Banks on DIMM This is referring to the internal banks (or ranks) on the module. Normally, you can count the number of chips on the module and make a guest that there would be one bank (rank) for each 8 pieces of DRAM chips. However, downgrade modules often use two defective chips to replace one. Stacked modules also uses two chip stacked as one physical chip. Those would make the identification very complex. The best way to identify the banks (ranks) would be to use the AutoID function in the CST testers. The tester displays number of internal Banks directly after AutoID is executed.	01h 1Bank 02h 2Banks 03h 3Banks 04h 4Banks
Byte 6	Module Width of this assembly This refers to the number of data bit width on the module. For a standard 8 byte DIMM, 64 bits would be most common while an 8 byte ECC module would have 72 bits. Some special module might even have up to 144 bits. In any case, a CST tester AutoID function would tell you this number in plan English.	40h 64bit 48h 72bit 90h 144bit
Byte 7	Module width of this assembly (Continue) This byte is used only if your DIMM exceeds 16 bytes (144 bits).	additional bit 00h recommended default
Byte 8	Voltage Interface Level of this assembly This refers to the power supply voltage Vdd of the DIMM. Standard DDR module would be 2.5V SSTL	03h 3.3V SSTL 04h 2.5V SSTL DDR recommended default 05h 1.8V SSTL
Byte 9	SDRAM Device Cycle time at Maximum Supported CAS Latency (ns) This commonly referred to the clock frequency of the DIMM. Running at its specified CL latency. The higher order nibble (bits 4-7) designates the cycle time to a granularity of 1ns; the value presented by the lower order nibble (bits 0-3) has a granularity of .1ns and is added to the value designated by the higher nibble. Example: 75h -> 7xh = 7ns and x5h = +0.5ns -> 7.5ns	75h 266MHz data rate DDR 60h 333MHz data rate DDR 50h 400MHz data rate DDR 46h 433MHz data rate DDR 42h 466MHz data rate DDR
Byte 10	SDRAM Device Access from Clock (tAC) This is referred to the data valid time from the clock. This can be read directly from the DRAM manufacturer data sheet. But caution must be taken to read off the correct column since this is CL (clock latency) related. In the DDR data sheet, it is listed as tAC and is in fraction of a nano-second (ns). Example: 75h -> 7xh = 0.7ns and x5h = +0.05ns -> 0.75ns	+/-0.6ns 60h +/-0.65ns 65h +/- 0.7ns 70h +/-0.75ns 75h
Byte 11	DIMM Configuration Type This is to identify the DIMM as ECC, Parity, or Non-parity. Normally non-parity is related to 64 bit module, Parity and ECC are related to 72 bit or higher memory bit width on the module.	00h Non ECC 01h Parity 02h ECC
Byte 12	Refresh Rate/Type This byte describes the module’s refresh rate and if it is self-refreshing or non-self refreshing. Today, most standard modules would be capable of self-refreshing. The refresh time is easily read from the DRAM manufacturer data sheet. Refresh time can be listed in two different ways. 1. In Refresh Interval Time. For example: 15.6usec. or 7.8usec. 2. In milli-seconds per x Refresh Cycles. For example: 62.4ms in 8K refresh cycles. This can be converted back into refresh interval time with the equation: Refresh Interval = Total Refresh Period / number of refresh cycles	80h 15.6 usec. Self-refresh (4K) 82h 7.8 usec. Self-refresh (8K)
Byte 13	Primary SDRAM Width This refers to the bit width of the DDR DRAM for a standard DIMM module.	04h 4 bits 08h 8 bits 10h 16 bits
Byte 14	Error Checking SDRAM Width This refers to the bit width of the error checking DRAM. For a standard module, it is either no ECC bit, 8 bits, or 16 bits on a 144 bit module.	00h 0 bit 08h 8 bits 10h 16bits
Byte 15	Minimum Clock Delay, Back-to-Back Random Column Access (tCCD min). This is read off the tCCD min column of the DRAM data sheet and is in the unit of clock cycles. For the most case, it is 1 clock cycle.	1 clock cycle 01h 2 clock cycle 02h
Byte 16	Burst Lengths Supported This is indicates the burst length supported. In most case, it is 2,4,8 burst supported.	2, 4,8 Burst length supported 0Eh recommended default
Byte 17	Number of Banks on SDRAM Device This is referring to the internal bank on the DRAM chip. All modern DDR have 4 internal banks.	4 Internal Banks 04h recommended default
Byte 18	CAS Latency (CL) This refers to the all the different Cas Latency supported by your chip. This can vary with the frequency you operate your DIMM. This number can be read off your DRAM data sheet.	CL=2.5 and 3 supported 18h CL=2.0, 2.5 and 3 are all supported 1Ch
Byte 19	Chip Select Latency This is the maximum time between the activation of CS to the time the Chip Select is effective. This is counted in number of clock cycles. For modern DRAM, this number is 0 clock cycle.	0 clock cycle 01h recommended default
Byte 20	Write Latency This is the maximum time between the activation of WE to the time that writing is effective. This is counted in number of clock cycles. For most modern DDR SDRAM, this number is 1 clock cycle.	1 clock cycle 02h recommended default
Byte 21	SDRAM Module Attributes This byte describes the DIMM, whether it is unbuffered, registered, differential clocked or with FET switches.	Unbuffer DDR DIMM with differential clock 20h Registered DDR DIMM 26h
Byte 22	SDRAM Device Attributes This byte describes the DRAM specification on voltage tolerance, the type of pre-charge supported, plus support of dual strength drivers. Modern DRAM are standardized on these features. These features are usually found on the feature list of the DRAM specification sheet.	DDR (Fast AP, Concurrent AP supported) C0h recommended default
Byte 23	SDRAM Minimum Clock Cycle Time Derated by Half a Clock This is referred to the speed the DRAM can run at when the Cas Latency is reduced by 0.5 clock. This data can be looked up from the datasheet of the DRAM. This is usually listed at the first page of the data sheet where it mentioned highest frequency it can run at a certain cas latency setting.	With 0.5 CL derate, it would work as a DDR200 A0h With 0.5 CL derate, it would work as a DDR266 75h With 0.5 CL derate, it would work as a DDR333 60h Derated operation not allowed 00h
Byte 24	Data Access Time from clock when CL is Derated by Half a Clock (derated tAC) This is referred to the tAC (access time) the DRAM can run at when the Cas Latency is reduced by 0.5 clock. This data can be looked up from the datasheet of the DRAM. This is usually listed at the first page of the data sheet where it mention maximum frequency it can run at a certain cas latency setting.	+/-0.65 ns 65h +/- 0.7 ns 70h +/-0.75 ns 75h Derated operation not allowed 00h
Byte 25	SDRAM Minimum Clock Cycle when CL is Derated by One Clock This is referred to the speed the DRAM can run at when the Cas Latency is forced to reduce by two notches. (that is 1 clock for DDR) This data can be looked up from the datasheet of the DRAM. This is usually listed at the first page of the data sheet where it mentioned what frequency it can run at a certain cas latency setting.	DDR 400 CL3 cannot be degraded to lower than CL2.5 as listed in Byte 18 00h With 1 CL derate, it would work as a DDR200 A0h With 1 CL derate, it would work as a DDR266 75h With 1 CL derate, it would work as a DDR333 60h Derated operation not allowed 00h
Byte 26	Data Access Time from clock when CL is Derated by One Clock. (derated tAC) This is referred to the tAC (access time) the DRAM can run at when the Cas Latency is derated by 1 clock. This data can be looked up from the datasheet of the DRAM. This is usually listed at the first page of the data sheet where it mentions the maximum frequency it can run at a certain cas latency setting.	+/-0.65 ns 65h +/- 0.7 ns 70h +/-0.75 ns 75h Derated operation not allowed 00h
Byte 27	Minimum Row Pre-charge Time (tRP) This is tRP read off the DRAM data sheet.	12ns 30h 15ns 3Ch 18ns 48h 20ns 50h
Byte 28	Minimum Row to Row Access Delay (tRRD) This is the tRRD time read off the DRAM data sheet	10ns 28h 12ns 30h 15ns 3Ch
Byte 29	Minimum Ras to Cas Delay (tRCD) This is the tRCD time read off the DRAM data sheet.	12ns 30h 15ns 3Ch 18ns 48h 20ns 50h
Byte 30	Minimum Active to Pre-charge Time (tRAS) This is the tRAS time read off the DRAM data sheet.	40ns 28h 45ns 2Dh 50ns 32h 55ns 37h
Byte 31	Module Bank Density This refers to the Mega-Byte in each physical bank (rank) on the DIMM. For example: if a 256MB module has two physical banks, then each physical bank should have 128MB.	32 MB 08h 64MB 10h 128MB 20h 256MB 40h 512MB 80h
Byte 32	Address and Command Input Setup Time Before Clock (tIS) This refers to the time of the address and command lines have to occur before the next clock edge. It is labeled as tIS in the case of DDR. (tIS)	0.6ns. 60h 0.8ns 80h 1.0ns. A0h
Byte 33	Address and Command Input Hold Time After Clock (tIH) This refers to the period of time the address and command lines have to hold after the last clock edge has appeared. It is labeled as tSH in SDRAM and tIH in the case of DDR. (tIH)	0.4ns. 40h 0.6ns. 60h 0.8ns. 80h 1.0ns. A0h
Byte 34	SDRAM Device Data/Data Mask Input setup Time Before Data Strobe (tDS) This refers to the time of the Data and Data Mask lines have to occur before the next clock edge. It is labeled as tDS in the case of DDR. (tDS)	0.4ns. 40h 0.6ns 60h 0.8ns. 80h
Byte 35	Address and Command Input Hold Time After Clock (tDH) This refers to the period of time the Data and Data Mask lines have to hold after the last clock edge has appeared. It is labeled as tDH in the case of DDR. (tDH)	0.4ns. 40h 0.6ns. 60h 0.8ns. 80h 1.0ns. A0h
Byte 36-40	Reserved for Virtual Channel SDRAM	Normally Not VC SDRAM 00h
Byte 41	Minimum Active to Active Auto Refresh Time (tRC)	55ns 37h 60ns 3Ch 65ns 41h 70ns 46h
Byte 42	Minimum Auto Refresh to Active Auto Refresh Time (tRFC)	70ns 46h 75ns 4Bh
Byte 43	Maximum Device Cycle time (tCKmax)	10ns 28h 12ns 30h
Byte 44	Maximum Skew Between DQS and DQ (tDQSQ) Maximum DQS tolerance	0.4ns 28h 0.5ns 32h 0.6ns 3Ch
Byte 45	Maximum Read DataHold Skew Factor (tQHS) Maximum DQS and DQ window tolerance.	0.5ns 32h 0.6ns 3Ch
Byte 46	PLL Relock Time	Not available 00h recommended default
Byte 47-61	Superset Information	Not available 00h recommended default
Byte 62	SPD Data Revision Code	Revision 0.0 00h Revision 1.0 10h Revision 2.0 20h
Byte 63	Checksum for Byte 0 to 62 Checksum is calculated and placed into this byte. All CST testers have automatic checksum calculation for this byte. All you have to do is to fill in and audit byte 0-62, the tester will automatically fill in byte 63 for you through the auto-checksum calculation.	N/A
Byte 64-71	Manufacturer’s JEDEC ID Code This is a code obtained through manufacturer’s registration with JEDEC ( the standard setting committee). A small fee is charged by JEDEC to support and maintain this record. Please contact JEDEC office. Byte 64 is the most significant byte. If the ID is not larger then one byte (in hex), byte 65-71 should be filled with 00h.	N/A
Byte 72	Module manufacturing Location Optional manufacturer assigned code.	N/A
Byte 73-90	Module Part Number Optional manufacturer assigned part number. The manufacturer’s part number is written in ASCII format within these bytes. Byte 73 is the most significant digit in ASCII while byte 90 is the least significant digit in ASCII. Unused digits are coded as ASCII blanks (20h).	N/A
Byte 91-92	Module Revision Code Optional manufacturer assigned code.
Byte 93-94	Module Manufacturing Date	Byte 93 is the year: 2002 66h 2003 67h 2004 68h Byte 94 is the week of the year: wk1-wk15 01h – 0Fh wk16-wk31 10h – 1Fh wk32-wk47 20h – 2Fh wk48-wk52 30h – 34h
Byte 95-98	Module Serial Number Optional manufacturer assigned number. On the serial number setting, JEDEC has no specification on the data format nor dictates the location of Most Significant Bit. Therefore, it’s up to individual manufacturer to assign his numbering system. All CST testers and EZ-SPD programmers have the option for user to select either byte 95 or byte 98 as the MSB (most significant bit). The testers assume the use of ASCII format; which is the most commonly used. The CST testers also have the function to automatically increment the serial number on each module tested.	N/A
Byte 98-127	Manufacturer’s Specific Data Optional manufacturer assigned data.	N/A
Byte 128-255	Open for Customer Use Optional for any information codes.	N/A

inf
Aeneon/Infineon/Qimonda


Bezeichnung von Infineon Chips:

Spoiler

Quelle: https://pdf.datasheet.live/5c855cb7/infineon.com/HYB39T512160TGL-5.pdf

Chip Typ und Revision	Chip Bezeichnung	typ.OC Verhalten	Anmerkungen	Merkmale des Package	Bauzeitraum	Bild
AT-6 Revision "A"	256mbit x8 HYB25D256809AT-6	200Mhz 2-2-2-X 2.8V 240Mhz 2-2-2-X 3V 250Mhz+ 2-2-2-X 3.3V+	skaliert sehr gut mit hoher Spannung (3.3V+) über 250Mhz möglich gerüchteweise baugleich zu Winbond BH-6 unterstützt CL=2 und CL=2.5 aber kein CL=3	an der kurzen Kante des Chips 2 längliche Metallkanten mittig im Chip zwei kreisrunde Vertiefungen Loch für "Pin1" relativ klein und tief	0232 - 0311
BT-5/6 Revision "B"	256mbit x8 HYB25D256800BT-5/6	200Mhz 2.5-3-3-X 2.6V	-/-	-/-	0334
BT-5/6 Revision "B"	256mbit x8 HYB25D256800BT-5/6	200Mhz 2.5-3-3-X 2.8V	-/-	Andere Metallpunkte an der Chipkante als der 0334 Chip	0447
BE-5/6 Revision "B"	256mbit x8 HYB25D256800BE-5/6 512mbit x8 HYB25D512800BE-5/6	200Mhz 2-3-2-X 2.8V	verfügbar von Infineon sowie umgelabelt als Qimonda und Aeneon skaliert minimal mit erhöhter Spannung (~2.9V) über 250Mhz möglich streut sehr stark bzgl. OC	-/-	Aeneon 0516 - 0804 Infineon -/- Qimonda -/-	-/-
CE-5/6 Revision "C"	256mbit x8 HYB25D256800CE-5/6 512mbit x8 HYB25D512800CE-5/6	200Mhz 2-3-2-X 2.8V 220Mhz 2.5-3-2-X 2.8V 240Mhz 3-3-2-X 2.8V 250Mhz+ 3-3-3/2-X 2.8V	verfügbar von Infineon sowie umgelabelt als Qimonda und Aeneon skaliert minimal mit erhöhter Spannung (~2.9V) über 250Mhz möglich streut sehr stark bzgl. OC	an der kurzen Kante des Chips 4 Metallpunkte paarweise angeordnet Loch für "Pin1" relativ groß und flach	Aeneon 0508 - 0838 Infineon -/- Qimonda 0642 - 0712	512Mx8: 256Mx8:
DE-5 Revision "D"	512mbit x8 HYB25D512800DE-5	240Mhz 3-3-2-X 2.6V	-/-	an der kurzen Kante des Chips 4 Metallpunkte paarweise angeordnet Loch für "Pin1" relativ groß und flach	Qimonda 0830

elp
Elpida

Chip Typ und Revision	Chip Bezeichnung	typ.OC Verhalten	Anmerkungen	Merkmale des Package	Bauzeitraum	Bild
5B	256mbit x8 DD2508AMTA 512mbit x8 D5108AFTA-5B-E/TD]	-/-	-/-	an der kurzen Kante des Chips vier Metallpunkte, paarweise angeordnet, Punkte sitzen an der Unterkante des Chips Punkt für "Pin1" aufgedruckt, keine Vertiefung im Chip mittig in einer kurzen Seite halbkreisförmige Ausparung	-/-	256mbitx8: 512mbitx8:

hyn
Hynix

Bezeichnung von Hynix Chips:

Spoiler

* der vorletzte Buchstabe vor dem Trennzeichen gibt die Chip Revision an. Bekannte Revisionen: A,B,C,D
* Hinter dem Trennziechen steht der Speedbin. Bekannte Bins: -J, -D4, -D43, D5

Chip Typ und Revision	Chip Bezeichnung	typ.OC Verhalten	Anmerkungen	Merkmale des Package	Bauzeitraum	Bild
BT-D43 Revision "B"	256mbit x8 HY5DU56822BT-D43	220MHz 2.0-4-4-X 2.8V 250MHz+ 2.5-4-4-X 2.8V 260MHz+ 3.0-4-4-X 2.8V	skaliert ein wenig mit der Spannung (bis 3,3V?) DS 4 ; SR 9 für NF2 laufen gut mit NF2 512MBit Chips takten schlecht!	vier Metallpunkte paar weise angeordnet, Abstand zwischen den Punkten fast gleichmäßig	2003-2004?
CT-D43 Revision "C"	256mbit x8 HY5DU56822CT-D43 256mbit x16 HY5DU561622CT-D43	220MHz 2.0-3-3-X 3.0V 235MHz 2.0-4-4-X 3.0V 225MHz+ 2.5-3-3-X 3.0V 260MHz+ 2.5-4-4-X 3.0V 260MHz+ 3.0-4-4-X 2.9V	skaliert ein wenig mit der Spannung (bis 3,0V?) DS 4 ; SR 9 für NF2 laufen gut mit NF2	vier Metallpunkte paar weise angeordnet, Abstand zwischen den Punkten fast gleichmäßig	2003/2004?
DT-D43 Revision "D"	256mbit x8 HY5DU56822DT-D43 256mbit x16 HY5DU561622DT-D43	210MHz 2.0-3-3-X 2.8V 250Mhz+ 2.5-3-3-X 2.9V 250Mhz+ 3-4-4-X 2.9V	skaliert ein wenig mit der Spannung (bis 3,3V?) DS 4 ; SR 9 für NF2 laufen gut mit NF2 werden warm	vier Metallpunkte paar weise angeordnet, Abstand zwischen den Punkten fast gleichmäßig	2004?
BTP-D43 Revision "BP"	512mbit x16 HY5DU121622BTP-D43 512mbit x8 HY5DU12822BTP-D43	-/-	-/-	vier Metallpunkte paar weise angeordnet, Abstand zwischen den Punkten fast gleichmäßig P = lead free	>2005?	-/-
CTP-D43 Revision "CP"	512mbit x16 HY5DU121622CTP-D43 512mbit x8 HY5DU12822CTP-D43	250MHz+ 3-4-4-X 2.9V	skaliert kaum mit der Spannung DS 4 ; SR 9 für NF2 laufen gut mit NF2 (3-4-4-X)	vier Metallpunkte paar weise angeordnet, Abstand zwischen den Punkten fast gleichmäßig P = lead free	>2005/2006
DTP-D43 Revision "DP"	512mbit x16 HY5DU121622DTP-D43 512mbit x8 HY5DU12822DTP-D43	240MHz+ 3-4-4-X 2.8V	skaliert kaum mit der Spannung	vier Metallpunkte paar weise angeordnet, Abstand zwischen den Punkten fast gleichmäßig P = lead free	>2007
ETR-E3C Revision "ER"	512mbit x8 H5DU5182ETR-E3C 512mbit x16 H5DU5162ETR-E3C	200MHz 2.0-2-2-X >2.7V 230MHZ 2.0-3-3-X 2.5V 250MHz 2.5-3-3-X 2.5V 250MHz+ 3.0-3-3-X 2.5V	skaliert kaum mit der Spannung DS4; SR 9 für NF2 sehr selten	vier Metallpunkte paar weise angeordnet, Anordnung Punte anders als andere Hynix Chips lead free; R= ROHS?	>2009/2010

mic
Micron

Bezeichnung von Micron Chips:

Spoiler

Quellen:
256mb: https://www.micron.com/-/media/client/global/documents/products/data-sheet/dram/ddr1/256mb_ddr.pdf
512mb: https://www.micron.com/-/media/client/global/documents/products/data-sheet/dram/ddr1/512mb_ddr.pdf
1gb: https://www.micron.com/-/media/client/global/documents/products/data-sheet/dram/ddr1/1gb_ddr.pdf

Chip Typ und Revision	Chip Bezeichnung	typ.OC Verhalten	Anmerkungen	Merkmale des Package	Bauzeitraum	Bild
5B C Revision "C"	256mbit x8 -/- 512mbit x8 -/-	220Mhz 2.5-2-2-X 2.8V 240Mhz 2.5-3-2-X 2.8V 250Mhz+ 3-3-2-X 2.8V	skaliert je nach Revision bis 3.1V neuere Revisionen werden bei höherer Spannung sehr heiss mit guten Chips 250Mhz 2.5-3-2-X möglich schafft 2.5-2-2-X bei 200Mhz (2.8V)	-/-	-/-	-/-
5B G Revision "G"	256mbit x8 -/- 512mbit x8 -/-	200Mhz 2-2-2-X 2.8V 240Mhz 2.5-2-2-X 2.8V 260Mhz+ 3-3-3-X 2.8V	skaliert je nach Revision bis 3V neuere Revisionen werden bei höherer Spannung sehr heiss mit guten Chips 250Mhz 2.5-2-2-X möglich schafft 2-2-2-X bei 200Mhz (2.8V)	je eine halbrunde Kerbe in der kurzen Seite des Chips in den Kerben ist Metall sichtbar	0638	512Mx8: 256Mx8:

mov
Mosel Vitelic

Chip Typ und Revision	Chip Bezeichnung	typ.OC Verhalten	Anmerkungen	Merkmale des Package	Bauzeitraum	Bild
SAT5B	256mbit x8 V58C225680SAT5B	200Mhz 2.5-3-3-X 2.8V 240Mhz+ 3-4-4-X 2.8V	-/-	-/-	0446
SAT6	256mbit x8 V58C225680SAT6	200Mhz 2.5-3-3-X 2.8V	-/-	-/-	0340 - 0511
VAT7	128mbit x8 V58C3128804VAT7	133Mhz 3-3-3-X 2.8V	-/-	-/-	0133

nan
Nanya / Elixir

Chip Bezeichnung

Chip Typ und Revision	Chip Bezeichnung	typ.OC Verhalten	Anmerkungen	Merkmale des Package	Bauzeitraum	Bild
AT-75B Revision "A"	128mbit x8 N2DS12880AT-75B	133Mhz 2.5-3-3-X 2.6V	-/-	-/-	0128
AT-7K Revision "A"	128mbit x8 NT5DS32M8AT-7K	133Mhz 2.5-3-3-X 2.6V	-/-	-/-	0226
BT-5T Revision "B"	256mbit x8 NT5DS32M8BT-5T	200Mhz 225Mhz 3-3-3-8 3-3-3-8 2.5V 2.5V	kein CL2 möglich schafft 2,5-2-2-5 reagiert kaum auf Spannung läuft mit CL3 am Höchsten	mittelgroßer Kreis im linken unteren Rand 2 Metallpunkte weit auseinander	0416
CS-5T Revision "C"	256mbit x8 NT5DS32M8CS-5T	200Mhz 200Mhz 250Mhz 265Mhz 3-3-3-8 2-2-2-11 2,5-3-2-11 3-3-3-11 2.5V 2.7V 2.7V 2.7V	CL2 / CL2,5 / CL3 möglich schafft 2-2-2-11 auf nF2 reagiert kaum auf Spannung läuft sehr gut auf nF2	mittelgroßer Kreis im linken unteren Rand 4 Metallpunkte paarweise an den Kanten	0607
CT-5T Revision "C"	256mbit x8 NT5DS32M8CT-5T	200Mhz 2.5-3-3-11 2.5V		großer flacher Stanzpunkt = Herstellort Taiwan kleiner flacher Stanzpunkt = Herstellort Italien 4 Metallpunkte paarweise an den Kanten	0526 - 0601
ES-5T Revision "E"	512mbit x8 N2DS51280ES-5T	200Mhz 2.5-3-3-X 2.6V	-/-	-/-	0647

pro
Promos

Chip Bezeichnung

Spoiler

Chip Typ und Revision	Chip Bezeichnung	typ.OC Verhalten	Anmerkungen	Merkmale des Package	Bauzeitraum	Bild
SBI5 Revision "B"	512mbit x8 V58C2512804SB	200Mhz 3-3-3-X 2.8V	-/-	-/-	1046

sam
Samsung

Bezeichnung von Samsung Chips:

Spoiler

Chip Typ und Revision	Chip Bezeichnung	typ.OC Verhalten	Anmerkungen	Merkmale des Package	Bauzeitraum	Bild
TCB3 Revision "C"	256mbit x8 k4h560838c-tcb3	200Mhz 2-3-3-X 2.8V	skaliert je nach Revision bis 3.1V Achtung: Teilweise wurde über Defekte bei höherer Spannung (>2.9V) berichtet	4 Metallpunkte auf der kurzen Seite des Chips (2 ganz außen) mittelgroßer Punkt für Pin 1	0223	[/URL]
TCB3 Revision "D"	256mbit x8 k4h560838d-tcb3	200Mhz 2-3-3-X 2.8V	skaliert je nach Revision bis 3.1V Achtung: Teilweise wurde über Defekte bei höherer Spannung (>2.9V) berichtet	4 Metallpunkte auf der kurzen Seite des Chips (2 ganz außen) mittelgroßer Punkt für Pin 1	0304
TCB3 Revision "F"	256mbit x8 k4h560838f-tcb3	200Mhz 2-3-3-X 2.8V	skaliert je nach Revision bis 3.1V Achtung: Teilweise wurde über Defekte bei höherer Spannung (>2.9V) berichtet	mittelgroßer Punkt für Pin 1	0404
TCCC Revision "F"	256mbit x8 k4h560838f-tccc	200Mhz 250Mhz 3-3-3-X 3-4-4-X 2.8V	Achtung: Teilweise wurde über Defekte bei höherer Spannung (>2.9V) berichtet	mittelgroßer Punkt für Pin 1	0413
TCCD Revision "F"	256mbit x8 k4h560838f-tccd	200Mhz 2-2-2-X 2.8V 250Mhz 2.5-3-3-X 2.6-2.8V 270Mhz+ 3-3-3-X 2.8V 280Mhz+ 3-4-3-X 2.8V	skaliert je nach Revision bis 3.1V Achtung: Teilweise wurde über Defekte bei höherer Spannung (>2.9V) berichtet mit guten Chips über 300Mhz bei 3-4-3-X möglich schafft 2-2-2-X bei 200Mhz (<=2.8V)	6 Metallpunkte auf der kurzen Seite des Chips (2 ganz außen) mittelgroßer Punkt für Pin 1	0449
TCC4 Revision "D"	256mbit x8 k4h560838d-tcc4	200Mhz 2.5-3-3-X 2.8V	skaliert je nach Revision bis 3.1V Achtung: Teilweise wurde über Defekte bei höherer Spannung (>2.9V) berichtet	mittelgroßer Punkt für Pin 1	0226
TCC5 Revision "E"	256mbit x8 k4h560838e-tcc5	233Mhz 2.5-3-3-X 2.8V	skaliert je nach Revision bis 3.1V Achtung: Teilweise wurde über Defekte bei höherer Spannung (>2.9V) berichtet	4 Metallpunkte auf der kurzen Seite des Chips mittelgroßer Punkt für Pin 1	0352
UCCC Revision "C"	512mbit x8 k4h510838C-uccc	200Mhz 3-3-3-X 2.6V 240Mhz+ 3-4-4-X 2.6V	skaliert nicht mit höherer Spannung skaliert mit 3-4-4-X bis über 280Mhz stark schwankende Chipgüte	6 Metallpunkte auf der kurzen Seite des Chips mittelgroßer, flacher Punkt für Pin 1	0531 - 0610
UCCC Revision "D"	512mbit x8 k4h510838D-uccc	200Mhz 3-3-3-X 2.6V 240Mhz+ 3-4-4-X 2.6V	skaliert nicht mit höherer Spannung skaliert mit 3-4-4-X bis über 280Mhz stark schwankende Chipgüte	6 Metallpunkte auf der kurzen Seite des Chips mittelgroßer, flacher Punkt für Pin 1	0652

win
Winbond

Chip Typ und Revision	Chip Bezeichnung	typ.OC Verhalten	Anmerkungen	Merkmale des Package	Bauzeitraum	Bild
AH-6 Revision "A"	256mbit x8 W942508AH-6	133Mhz 2-2-2-X 2.5V 200Mhz 2-3-3-X 2.5V 210Mhz 3-4-4-X 2.5V	im 175nm Verfahren gefertigt unterstützt CL=2 bis CL=3 läuft mit 2.5V am Besten, keine Skalierung darüber hinaus für OC nur bedingt geeignet	an der kurzen Kante des Chips 2 längliche Metallkanten mittig im Chip zwei kreisrunde Vertiefungen Loch für "Pin1" relativ klein und tief	0212
BH-5/6 Revision "B"	256mbit x8 W942508BH-5 256mbit x8 W942508BH-6	200Mhz 2-2-2-X 2.8V 250Mhz 2-2-2-X 3.3V 260Mhz+ 2-2-2-X 3.4V+	im 175nm Verfahren gefertigt skaliert sehr gut mit hoher Spannung (3.3V+) gute Chips erreichen 250Mhz bei 3.2V schafft meist 2-2-2-X bei 200Mhz (<2.8V) unterstützt nur CL=2 und CL=2.5, kein CL=3 Support	an der kurzen Kante des Chips 2 längliche Metallkanten mittig im Chip zwei kreisrunde Vertiefungen Loch für "Pin1" relativ klein und tief	-/-
CH-5/6 Revision "C"	256mbit x8 W942508CH-5 256mbit x8 W942508CH-6	200Mhz 2-3-2-X 2.8V 240Mhz 2-2-2-X 3V 250Mhz+ 2-2-2-X 3.3V+	im 133nm Verfahren gefertigt skaliert sehr gut mit hoher Spannung (3.3V+) über 250Mhz möglich schafft meist nur 2-3-2-X bei 200Mhz (2.8V) skaliert oft nur bis ~3.4V unterstützt CL=2, CL=2.5 und CL=3	an der kurzen Kante des Chips 2 längliche Metallkanten mittig im Chip zwei kreisrunde Vertiefungen Loch für "Pin1" relativ klein und tief	-/-
UTT BH-5 Revision "B" "untestet"	256mbit x8 umgelabelt	200Mhz 2-2-2-X 2.9V 240Mhz 2-2-2-X 3V 250Mhz+ 2-2-2-X 3.4V+	skaliert sehr gut mit hoher Spannung (3.3V+) über 250Mhz möglich UTT = ungetestete BH-5 meist etwas schlechter als old BH-5 skaliert oft nur bis ~3.4V Entweder ohne Aufdruck oder umgelabelte Chips nicht empfehlenswert für Nforce2 Systeme	an der kurzen Kante des Chips 2 längliche Metallkanten mittig im Chip zwei kreisrunde Vertiefungen Loch für "Pin1" relativ klein und tief	-/-

umgelabelt
Umgelabelte Chips

Modul Hersteller und Typ	Chip Bezeichnung	Modulbezeichnung	Merkmale des Package	Vermuteter Hersteller	Bild	Link
Twinmos Value 512mb PC3200	TMD7608F8E50D	P/N: M2G9J16JATT9F081AADT	kleine halbkreisförmige Einprägung an kurzer Seite kleiner tiefer Punkt für Pin1	Powerchip 5ns 130nm ("AADT" Endung)		Post #13
Kingston Value 512mb PC3200	D3208DLFCTG5AU	KVR400X64C3A/512	kleine rechteckförmige Vertiefungen an kurzer Kante großer flacher Punkt für Pin1	?		Post #14
Buffalo Value 512mb PC3200	ME46512843PEPP	-/-	rauer Plastikguss großer flacher Punkt für Pin1	Aeneon		Post #15
Corsair Value 1024mb PC3200	64M8BDAG	-/-	rauer Plastikguss großer flacher Punkt für Pin1	Infineon		Post #15
Buffalo 1024mb PC3200	ME46512843PCXP	DD4003-1G/BJ	[*]kleine rechteckförmige Vertiefungen an kurzer Kante [*]mittelgroßer flacher Punkt für Pin1 [/list]	?		Post #27

usertests
Usertests

Aeneon 1 GB, CE-5

Spoiler: Aeneon CE-5 1 GB Riegel auf DFI Lanparty nF4 Ultra-D Sockel 939, Test 1 (stunned_guy)

Aeneon CE-5 1024 MB Riegel Nr. 4 auf DFI Lanparty nF4 Ultra-D Sockel 939

Aeneon AED760UD00-500C98X
double sided, 45. KW 2008, Aufdruck AED93T500 C -> Aeneon CE-5

Spezifikation: 200 MHz @ 3-3-3-8 @ 2,50 Volt

Möglich:
-> CL2 / CL2,5 / CL3

Nicht möglich:
-> tRCD <3

SuperPi 1M Testdurchlauf (alle Subtimings auf "Auto")

2,0-3-2-5 @ 235 MHz @ 2,70 v
2,5-3-3-6 @ 265 MHz @ 2,70 v
3,0-3-2-8 @ 250 MHz @ 2,50 v
3,0-3-3-8 @ 295 MHz @ 2,70 v
3,0-4-3-8 @ 295 MHz @ 2,70 v
3,0-4-4-8 @ 295 MHz @ 2,70 v

Dieser Riegel skaliert sehr gut mit dem Takt. Bei CL3 ist es mit langsamen Timings egal, die 295 MHz sind immer drin. Leider knapp an den 300 MHz gescheitert.

Spoiler: Aeneon CE-5 1 GB Riegel auf ASRock K7NF2-RAID Sockel A, Test 1 (digitalbath)

Aeneon CE-5 1024 MB Riegel auf ASRock K7NF2-RAID Sockel 462

Aeneon AED760UD00-500 C98X
double sided, 51. KW 2007, Aufdruck AED93T500 C -> Aeneon CE-5

Spezifikation: 200 MHz @ 3-3-3-8 @ 2,50 Volt

Möglich:
-> CL2 / CL2,5 / CL3

Nicht möglich:
-> tRCD <3

SuperPi 1M Testdurchlauf (Subtimings 3-4-4-4-3-4-5)

2,0-3-2-11 @ 220 MHz @ 2,80 v
2,5-3-2-11 @ 250 MHz @ 2,80 v
3,0-3-2-11 @ 264* MHz @ 2,80 v

*= 264MHz ist board limit.

Aeneon 512 MB, CE-5

Spoiler: Aeneon CE-5 512 MB Riegel auf DFI Lanparty nF4 Ultra-D Sockel 939, Test 1 (stunned_guy)

Aeneon CE-5 512 MB Riegel Nr. 1 auf DFI Lanparty nF4 Ultra-D Sockel 939

AED660UD00-500C88M
double sided, 26. KW 2007, Aufdruck AED83T500 C4 -> Aeneon CE-5

Spezifikation: 200 MHz @ 3-3-3-8 @ 2,50 Volt

Möglich:
-> CL2 / CL2,5 / CL3

Nicht möglich:
-> tRCD <3

SuperPi 1M Testdurchlauf (alle Subtimings auf "Auto")

2,0-3-2-5 @ 210 MHz @ 2,50 v
2,0-3-3-5 @ 210 MHz @ 2,50 v
2,5-3-2-5 @ 210 MHz @ 2,50 v
2,5-3-3-6 @ 210 MHz @ 2,50 v
3,0-3-3-8 @ 210 MHz @ 2,50 v

Dieser Riegel gibt mir Rätsel auf. Macht mit allen Timings bei 2,50 v die 210 MHz, aber keinen MHz mehr.

Spoiler: Aeneon CE-5 512 MB Riegel auf DFI Lanparty nF4 Ultra-D Sockel 939, Test 2 (stunned_guy)

Aeneon CE-5 512 MB Riegel Nr. 3 auf DFI Lanparty nF4 Ultra-D Sockel 939

OCZ OCZ400512PF
double sided, 26. KW 2005, Aufdruck AED83T500 C -> Aeneon CE-5

Spezifikation: 200 MHz @ 2,5-3-3-6 @ 2,50 Volt

Möglich:
-> CL2 / CL2,5 / CL3

Nicht möglich:
-> tRCD <3

SuperPi 1M Testdurchlauf (alle Subtimings auf "Auto")

2,0-3-2-5 @ 230 MHz @ 2,60 v
2,0-3-3-5 @ 230 MHz @ 2,50 v
3,0-3-2-5 @ 230 MHz @ 2,50 v
3,0-4-4-8 @ 230 MHz @ 2,50 v

Der OCZ-Riegel ist zwar von Haus aus mit schnelleren Timings durch OCZ spezifiziert, allerdings macht der bei 230 MHz zu, egal bei welchen Timings. Mit den schärfsten Latenzen werden 2,60 v benötigt.

Spoiler: Aeneon CE-5 512 MB Riegel auf DFI Lanparty nF4 Ultra-D Sockel 939, Test 3 (stunned_guy)

Aeneon CE-5 512 MB Riegel Nr. 7 auf DFI Lanparty nF4 Ultra-D Sockel 939

Aeneon AED660UD00-500C98Y
single sided, 38. KW 2008, Aufdruck AED93T500 C -> Aeneon CE-5

Spezifikation: 200 MHz @ 3-3-3-8 @ 2,50 Volt

Möglich:
-> CL2 / CL2,5 / CL3

Nicht möglich:
-> tRCD <3

SuperPi 1M Testdurchlauf (alle Subtimings auf "Auto")

2,0-3-2-5 @ 235 MHz @ 2,80 v
2,0-3-3-5 @ 235 MHz @ 2,70 v
2,5-3-3-6 @ 265 MHz @ 2,80 v
3,0-3-3-8 @ 275 MHz @ 2,60 v
3,0-4-4-8 @ 275 MHz @ 2,50 v

Dieser Riegel skaliert mit der Spannung recht gut, braucht aber mit den schärfsten Timings bereits 2,80 v im Gegensatz zum Riegel Nr. 3. Keine Limitierung beim Takt, kann an der Bauart "single sided" liegen.

Spoiler: Aeneon CE-5 512 MB Riegel auf DFI Lanparty nF4 Ultra-D Sockel 939, Test 4 (stunned_guy)

Aeneon CE-5 512 MB Riegel Nr. 9 auf DFI Lanparty nF4 Ultra-D Sockel 939

OCZ OCZ4001024PFDC-K
double sided, 28. KW 2005, Aufdruck AED83T500 C -> Aeneon CE-5

Spezifikation: 200 MHz @ 2,5-3-3-6 @ 2,50 Volt

Möglich:
-> CL2 / CL2,5 / CL3

Nicht möglich:
-> tRCD <3

SuperPi 1M Testdurchlauf (alle Subtimings auf "Auto")

2,0-3-2-5 @ 220 MHz @ 2,50 v
2,0-3-3-5 @ 220 MHz @ 2,50 v
2,5-3-3-6 @ 220 MHz @ 2,50 v
3,0-3-3-8 @ 220 MHz @ 2,50 v
3,0-4-4-8 @ 220 MHz @ 2,50 v

Dieser OCZ-Riegel macht bei 220 MHz dicht und reagiert überhaupt nicht auf Spannung. Was es so alles gibt

Spoiler: Aeneon CE-5 512 MB Riegel auf DFI Lanparty nF4 Ultra-D Sockel 939, Test 5 (stunned_guy)

Aeneon CE-5 512 MB Riegel Nr. 8 auf DFI Lanparty nF4 Ultra-D Sockel 939

PNY 6464WQDXA8G17
double sided, 32. KW 2007, Aufdruck AED83T500 C5 -> Aeneon CE-5

Spezifikation: 200 MHz @ 3-3-3-8 @ 2,50 Volt

Möglich:
-> CL2 / CL2,5 / CL3

Nicht möglich:
-> tRCD <3

SuperPi 1M Testdurchlauf (alle Subtimings auf "Auto")

2,0-3-2-5 @ 220 MHz @ 2,50 v
2,0-3-3-5 @ 220 MHz @ 2,50 v
2,5-3-3-6 @ 220 MHz @ 2,50 v
3,0-3-3-8 @ 220 MHz @ 2,50 v
3,0-4-4-8 @ 220 MHz @ 2,50 v

Gleiches Spiel wie bei den OCZ. Bei 220 MHz ist Schluss

Spoiler: Aeneon CE-5 512 MB Riegel auf DFI Lanparty nF4 Ultra-D Sockel 939, Test 6 (stunned_guy)

Aeneon CE-5 512 MB Riegel Nr. 6 auf DFI Lanparty nF4 Ultra-D Sockel 939

Aeneon AED660UD00-500C88X
double sided, 44. KW 2005, Aufdruck AED83T500 C -> Aeneon CE-5

Spezifikation: 200 MHz @ 3-3-3-8 @ 2,50 Volt

Möglich:
-> CL2 / CL2,5 / CL3

Nicht möglich:
-> tRCD <3

SuperPi 1M Testdurchlauf (alle Subtimings auf "Auto")

2,0-3-2-5 @ 210 MHz @ 2,50 v
2,0-3-3-5 @ 210 MHz @ 2,50 v
2,5-3-3-6 @ 210 MHz @ 2,50 v
3,0-3-3-8 @ 210 MHz @ 2,50 v
3,0-4-4-8 @ 210 MHz @ 2,50 v

Diese Riegel sind ja wirklich das Letzte. Da geht wirklich nichts... Diesen Riegel habe ich genau 2x, brauche also seinen Bruder nicht mal Testen.

Aeneon 512 MB, BE-5

Spoiler: Aeneon BE-5 512 MB Riegel auf DFI Lanparty nF4 Ultra-D Sockel 939, Test 1 (stunned_guy)

Aeneon BE-5 512 MB Riegel Nr. 2 auf DFI Lanparty nF4 Ultra-D Sockel 939

Aeneon AED660UD00-500B98X
single sided, 5. KW 2006, Aufdruck AED93T500 B -> Aeneon BE-5

Spezifikation: 200 MHz @ 3-3-3-8 @ 2,50 Volt

Möglich:
-> CL2 / CL2,5 / CL3

Nicht möglich:
-> tRCD <3

SuperPi 1M Testdurchlauf (alle Subtimings auf "Auto")

2,0-3-2-5 @ 205 MHz @ 2,50 v
2,5-3-3-6 @ 230 MHz @ 2,60 v
3,0-3-3-8 @ 230 MHz @ 2,60 v

Dieser BE-5 Riegel läuft recht schlecht und springt nicht auf Spannungserhöhung an.

Aeneon 256 MB, CE-6

Spoiler: Aeneon CE-6 256 MB Riegel auf DFI Lanparty nF4 Ultra-D Sockel 939, Test 1 (stunned_guy)

Aeneon CE-6 256 MB Riegel Nr. 10 auf DFI Lanparty nF4 Ultra-D Sockel 939

Aeneon AED560UD00-600C88X
single sided, Datum unbekannt, Aufdruck G32Mx8 DDR umgelabelt -> Aeneon CE-6

Spezifikation: 166 MHz @ 2,5-3-3-7 @ 2,50 Volt

Möglich:
-> CL2 / CL2,5 / CL3

Nicht möglich:
-> tRCD <3

SuperPi 1M Testdurchlauf (alle Subtimings auf "Auto")

2,0-3-2-5 @ 210 MHz @ 2,50 v
2,5-3-3-6 @ 210 MHz @ 2,50 v
3,0-3-3-8 @ 210 MHz @ 2,50 v
3,0-4-4-8 @ 210 MHz @ 2,50 v

Dieser Riegel schafft knapp mehr als 200 MHz, reagiert aber überhaupt nicht auf Spannungserhöhung.

Spoiler: Aeneon CE-6 256 MB Riegel auf ASRock K7NF2-RAID Sockel A, Test 1 (digitalbath)

Aeneon CE-6 256 MB Riegel auf ASRock K7NF2-RAID Sockel 462

Aeneon AED560UD00-600C88X
single sided, Datum unbekannt, Aufdruck G32Mx8 DDR umgelabelt -> Aeneon CE-6

Spezifikation: 166 MHz @ 2,5-3-3-7 @ 2,50 Volt

Möglich:
-> CL2 / CL2,5 / CL3

Nicht möglich:
-> tRCD <3

SuperPi 1M Testdurchlauf (Subtimings 3-4-4-4-3-4-5)

2,0-3-2-11 @ 200 MHz @ 2,50 v
2,5-3-2-11 @ 225 MHz @ 2,50 v
3,0-3-2-11 @ 230 MHz @ 2,50 v

HYNIX 1 GB, D43

Spoiler: Hynix D43 1 GB Riegel auf DFI Lanparty nF4 Ultra-D Sockel 939, Test 1 (stunned_guy)

Hynix D D43 1 GB Riegel auf DFI Lanparty nF4 Ultra-D Sockel 939

double sided, 52. KW 2008

Datenblattspezifikation: HY5DU12822DTP-D43 @ 200 MHz @ 3-3-3-x



Möglich:
-> CL2,5 und CL3
-> tRAS 0
-> DRAM Idle Timer 0

Nicht möglich:
-> CL2 bei 200 MHz (Spannung 2,60 v - 3,20 v; kein Booten)
-> tRCD <3
-> rRP <2

SuperPi 1M Testdurchlauf (alle Subtimings auf "Auto")

​	Cl 2,5 - 3 - 2 - 0​	CL 2,5 - 3 - 3 - 0​	CL 2,5 - 4 - 3 - 0​	CL 2,5 - 4 - 4 - 0​
200 MHz​	2,60 v​	2,60 v​	2,60 v​	2,60 v​
205 MHz​	2,70 v​	2,60 v​	2,60 v​	2,60 v​
210 MHz​	-​	2,60 v​	2,60 v​	2,60 v​
215 MHz​	-​	2,60 v​	2,60 v​	2,60 v​
220 MHz​	-​	2,80 v​	2,60 v​	2,60 v​
225 MHz​	-​	3,00 v​	2,80 v​	2,90 v​

​

​	CL 3,0 - 3 - 2 - 0​	CL 3,0 - 3 - 3 - 0​	CL 3,0 - 4 - 3 - 0​	CL 3,0 - 4 - 4 - 0​
200 MHz​	2,60 v​	2,60 v​	2,60 v​	2,60 v​
205 MHz​	2,80 v​	2,60 v​	2,60 v​	2,60 v​
210 MHz​	-​	2,60 v​	2,60 v​	2,60 v​
215 MHz​	-​	2,60 v​	2,60 v​	2,60 v​
220 MHz​	-​	2,60 v​	2,60 v​	2,60 v​
225 MHz​	-​	2,60 v​	2,60 v​	2,60 v​
230 MHz​	-​	2,60 v​	2,60 v​	2,60 v​
235 MHz​	-​	2,60 v​	2,60 v​	2,60 v​
240 MHz​	-​	2,60 v​	2,60 v​	2,60 v​
245 MHz​	-​	-​	2,70 v​	2,70 v​
250 MHz​	-​	-​	2,80 v​	2,80 v​

Fazit:

CL 2,5 geht bis 225 MHz, egal ob mit 3-3-x / 4-3-x oder 4-4-x
CL 3 geht bis 250 MHz, allerdings nur mit tRCD 4

NANYA 512 MB, B-5T

Spoiler: Nanya B-5T 512 MB Riegel auf DFI Lanparty nF4 Ultra-D Sockel 939, Test 1 (stunned_guy)

Nanya B-5T 512 MB Riegel Nr. 1 auf DFI Lanparty nF4 Ultra-D Sockel 939

Nanya NT512D64S8HB1G-5T
double sided, 16./20. KW 2004, Aufdruck NT5DS32M8BT-5T -> Nanya B-5T

Spezifikation: 200 MHz @ 3-3-3-8 @ 2,50 Volt

Möglich:
-> CL2,5 / CL3, rRCD + tRP 2

Nicht möglich:
-> CL2

SuperPi 1M Testdurchlauf (alle Subtimings auf "Auto")

2,5-2-2-5 @ 205 MHz @ 2,60 v
2,5-3-3-6 @ 210 MHz @ 2,60 v
3,0-3-2-8 @ 210 MHz @ 2,60 v
3,0-3-3-8 @ 225 MHz @ 2,50 v

Nanya B-5T macht keine CL2, der Rest ist verfügbar, allerdings reagiert der Riegel so gu wie nicht auf Spannungsänderung. Kurios: sobald ich tRCD und tRP auf 2 stelle, bootet Windows immer mit mindestens 2,60 Volt, auch wenn ich nur 2,50 Volt im BIOS eingestellt habe.

NANYA 256 MB, C-5T

Spoiler: Nanya C-5T 256 MB Riegel auf ASRock K7NF2-RAID Sockel A, Test 1 (digitalbath)

Nanya CS-5 256 MB Riegel auf ASRock K7NF2-RAID Sockel 462

Nanya NT256D64S88C0GY-5T
single sided, 07/2006, NT5DS32M8CS-5T [TW]

Spezifikation: 200 MHz @ 3-3-3-8 @ 2,50 Volt

Möglich:
-> CL2 / CL2,5 / CL3

Nicht möglich:
---

SuperPi 32M (Subtimings 3-4-4-4-3-4-5; 4-5-5-5-3-5-6)

2,0-2-2-11 @ 200 MHz @ 2,70 v (2,50V reichen richt)

Spoiler: 2,0-2-2-11

Anhang anzeigen 550970

2,0-3-2-11 @ 225 MHz @ 2,70 v

Spoiler: 2,0-3-2-11

Anhang anzeigen 550971

2,5-3-2-11 @ 251 MHz @ 2,70 v

Spoiler: 2,5-3-2-11

Anhang anzeigen 550972

3,0-3-3-11 @ 263 MHz @ 2,70 v

Spoiler: 3-3-3-11

Anhang anzeigen 550973

----

Stand:
#630 (inkl. umgelabelte Chips)
#1050 (ohne umgelabelte Chips)

 

[Tzk]

Was die Kingston Riegel angeht mal laut gedacht:
Infineon hatte ab 2002 eine Kooperation mit Winbond um den Wafer Ausstoß zu erhöhen, da kamen vermutlich die Infineon 6A her (Lizenzfertigung von Winbond für Infineon). Außerdem ist ProMOS soweit ich weiß ein JointVenture von Infineon und MoselVitelic. Ich könnte mir gut vorstellen das die gezeigten Chips Infineon sind, die auf den alten Winbond Maschinen vergossen wurden und deshalb die runden Vertiefungen haben.

ProMOS = Infineon + MoselVitelic Joint Venture

1999 dürfte Infineon aus Siemens ausgegliedert worden sein. Dann hatte Infineon Ende 2002 bis Anfang 2003 ne Kooperation mit Winbond (da dürften die 6A herkommen). Danach gab es das ProMOS Joint Venture, ob die später mit Nanya kooperiert haben weiß ich nicht. 2006 wurde die Dram Sparte dann in Qimonda ausgelagert und unter Qimonda und Aeneon vertrieben. Qimonda ging (glaube ich) 2009 insolvent.

 

[digitalbath]

Danke für die Richtigstellung!

Infineon hatte mit vielen zusammen gearbeitet. Anscheinend hat Infineon in anderen Bereichen auch später noch mit Winbond zusammen gearbeitet.
Was ProMOS angeht, hatte Infineon den Vertrag Anfang 2003 geküdigt. Später hat ProMOS Lizenzgebühren an Infineon gezahlt um deren "Technologie" zu nutzen.

 

[Tzk]

Die zwei Links sind sehr interessant. Verstehe ich das richtig, das ProMOS eigentlich mit Infineon Technologie gefertigte Produkte an Infineon liefern sollte und diese wurden dann über Infineon an Mosel weiterverkauft? Und ProMOS hat dann direkt an Mosel verkauft (ohne Zwischenschritt über Infineon), was den Vertragsbruch darstellt? WTF Ist ziemlich undurchsichtig alles...

 

[digitalbath]

... und haben gerichtlich zwei Überwacher bei ProMOS abgestellt.

Zeitlich gesehen müsste das alles fast parallel (Anfang 2003) mit Winbond / Infineon / ProMOS gewesen sein. Welche Riegel hat ProMOS für Infineon hergestellt? Müssten dann ja Mosel Label haben.
Meine unknown Kingston sind bestimmt Infineon chips die von ProMOS gergestellt wurden (so wie du es schon geschrieben hast).

Ich habe die 4 Riegel bei #733 mal selektiert, bzw. mal eineln gestestet. Der schlechteste war 2-3-2-5 / 2,6V / 230MHz nicht stabil. Zwei Stück haben die 2-3-2-5 / 2,6V / 230MHz geschafft, einer hat das mit 235MHz geschafft. Ich habe also zwei Riegel die 2-3-2-5-10-12 / 2,6V / 230MHz laufen. Ist keine Weltmeister-Leistung, aber für den Alltag in einem build gut brauchbar. Trotz Mischung!

 

[stunned_guy]

Das ist mir auch schon aufgefallen. Die Punkte zusammen bzw. auseinander hatten bei mit CE/BE Chips mit wechselnder Kapazität (für 1024mb DS/512mb SS Sticks und für 512 DS/256 SS Sticks). Die Chips mit 3 Punkten dürften BT-5 sein? Die BT bzw. BE dürften sich durch RoHS bzw. kein RoHS (bleifrei/halogen free) unterscheiden, so wie bei Samsung die Txxx, Uxxx und Lxxx Chips.

Und der "nicht Infineon" Chip, hat der vor der Buchstabenkennung wie immer keine Null?

Generell hab ich die Vermutung das innerhalb der Hersteller immer anders aussehen. Sei es nun durch einen geänderten Herstellprozess oder neue Vergußmaschinen. Sprich man muss das wirklich nach Kapazität, Herstellungsdatum und so Merkmalen wie RoHS aufdröseln. Bei Samsung sehen die Punkte ja zwischen den Revisionen auch anders aus (siehe "F" Revision der TCCD und ältere)

Die Chips mit 3 Punkten sind BT-5 und BT-6, aber auch nicht alle.

Der "nicht Infineon" Chip hat C - HYB25D256800CE-5, also ganz normal wie alle anderen auch.

Produziert hat Infineon in China, Malaysia, Portugal und Italien. So zumindest laut meiner bisherigen Übersicht.

 

[stunned_guy]

Das wird ja immer schöner hier...

Elpida Chips tauchen nun auch auf, aber original mit C - HYB25D256800CE-5 aufgedruckt. Ich steige bald nicht mehr durch. Aber sehr interessant, wenn man sich so in die Materie vertieft.

Und noch was Kurioses:
1 Riegel C2 - HYB25D256800BT-5 wird mir in CPU-Z mit Samsung M368L3223FTN-CCC (Samsung TCCC) angegeben Ob da einer das SPD neu bespielt hat ? Kurios, aber auch sehr interessant.

 

[digitalbath]

War da nicht was, dass Infineon mit Elpida auch was hatte? Ich kanns grad nicht finden. Interessant wäre wie der chip sich verhält. Wie ein Elpida oder wie ein Infineon. Wie sehen die Punkte dazu an der Seite aus?

Ich habe da nicht so die Ahnung, aber Infineon und Samsung? Kann ich schwer glauben. Gut Elpidas mit Infineon Serien Nummer ist auch schon krass.

 

[The Sandman]

Hat MDT überhaupt selbst hergestellt oder haben die zugekauft und umgelabelt? Eine 100% sichere Antwort darauf hab ich noch nirgends gefunden.

Aus MCI wird „MDT technologies“

Die Herstellerfirma der bekannten MDT Markenspeichermodule aus Deutschland, die MCI Computer GmbH, wird ab dem 1. Januar 2005 den Namen ihrer …

www.computerbase.de

Diese Pressemitteilung hat MDT wohl selbst verfasst. Ging damals in DE rum.

Habe heute auch diverse Value-Chips von Infineon/Aeoneon/TeamGroup/G.Skill auf das Abit AV8 geschnallt. Alle schnappten mit CL2.5/3 und sehr schwachen Timings bei 220/230-MHz ab. Lohnt sich einfach nicht da weitere Tests durchzuführen. MDT mit den BGA-Modulen stach etwas heraus, da hat es erst bei 240-MHz gescheppert. War alles kein Memtest, sondern nur den FSB anheben. Bis auf Infineon hatten alle BP PCB's. Bringt also auch nichts, wenn der verbaute Chip nix kann.

 

[stunned_guy]

...Interessant wäre wie der chip sich verhält. Wie ein Elpida oder wie ein Infineon. Wie sehen die Punkte dazu an der Seite aus?

Der Chips sieht wie Elpida aus (wobei es da auch Verschiedene gab): 1 Kerbe auf einer kurzen Seite und kein Punkt oder keine Vertiefung in der Ecke (es gibt auch Elpidas mit aufgedrucktem Punkt) sowie die Metallpunkte sind auf der Innenseite vom Chip (zum PCB gewandt und nicht zum Chipaufdruck, wenn ihr wisst was ich meine). Ist ein No-Name Riegel ohne Aufdruck oder Bezeichnung (einzig 512 MB PC400). Bilder kommen noch, wenn ich mit dem Dokumentieren fertig bin.

Zu MDT: die haben ihre Chips immer selbst hergestellt und nur selbst verkauft. Für die DFI nF4 waren die Chips in den Anfangstagen nicht tragbar, teilweise so schlimm, dass nicht gebootet wurde. Aber 240 MHz schaffen die gerade so, da hat unser Sandman schon ein besseres Exemplar erwischt. Durchschnittlich 225-230 MHz mit CL2,5 ist da drin und auf Spannung reagieren die überhaupt nicht.

 

[digitalbath]

Ich habe es nicht geschafft die Bilder der MDT Riegel zu machen. Ich hoffe, dass ich es morgen nachholen kann mit Vergleichsbilder zu Aeneon.
Ich bin der Meinung, dass Infineon die chips für MDT hergestellt hat. Der Punkt ist groß, flach mit 100% der gleichen Position wie Infineon / Aeneon. Auf einem Chip steht sogar in gleicher Schrift "G32Mx8 DDR"

 

[The Sandman]

Ahm, das PCB von meinen MDT ist auch kein BP. Entweder JEDEC oder MDT-Custom -> 405fb steht an der Kante




Die Aufschrift auf den Chips ist so schlecht entzifferbar, dass ich eine Lupe samt Taschenlampe gebracht habe

MDT
25B25600-5
0638
DDR CXT

 

[stunned_guy]

MDT hatte eigene PCB verwendet. Ich schaue mir die Tage mal meine ganzen MDT an.

Ihr schafft mich einfach....sobald ich hier wieder neuen Input lese, will ich handeln

 

[digitalbath]

Bei mir steht 2x1190 und 1x119D0 auf dem PCB.

Kein Stress stunny, nicht dass du noch einen Speicher burn out bekommst. Ich kann mir es schon vorstellen: wir haben einen überschaubaren Sortiment zu vergleichen, du einiges mehr. Wenn man da das ordentlich es machen möchte, dann dauert es...

Ich hoffe, dass wir es schaffen die ganzen Informationen in die Tabelle im ersten Post unter zu bringen.

 

[stunned_guy]

Ahm, das PCB von meinen MDT ist auch kein BP. Entweder JEDEC oder MDT-Custom -> 405fb steht an der Kante

Die Aufschrift auf den Chips ist so schlecht entzifferbar, dass ich eine Lupe samt Taschenlampe gebracht habe

MDT
25B25600-5
0638
DDR CXT

Da hast du die neueren Chips im BGA-Format. Die alten in TSOP II sahen anders aus.

 

[The Sandman]

Die neue Bauform hat den Modulen ja leider auch nichts gebracht. MDT hat wahrscheinlich nie OC-Speicher gebaut. Reserven sind kaum welche vorhanden. Einmal Memtest und die Teile landen wahrscheinlich bei ~210-MHz CL2.5.

 

[Tzk]

Ich hab mir mal noch ein Kit mit Samsung Chips geangelt... Allerdings keine TCCD (250Mhz 2.5-3-3 Bin), sondern TCC5 (233Mhz 2.5-3-3 Bin) in 2x512mb.
Wenn ich richtig informiert bin, dann hat Samsung irgendwann 2004 aufgehört die TCC Riegel auf 250Mhz zu binnen und stattdessen 233Mhz genommen. Die Modulhersteller haben darum angefangen TCC5 statt TCCD zu verlöten, was aber bei entsprechender Selektion keinen Unterschied machen sollte. Später (2005) gab es dann wieder TCCD, wohl weil Corsair, OCZ, GSkill und weitere auf Samsung eingewirkt haben doch wieder TCCD zu selektieren

Jetzt mag man sich fragen was ich mit noch 2 Riegel TCCx will... Ich denke bei TCC5 ists nicht ganz so schade, wenn man den Riegel zerlötet... Oder? Mal sehen ob ich das übers Herz bringe... /duckundweg

 

[The Sandman]

Wäre halt wirklich ne super Sache

Spoiler

 

[stunned_guy]

Die neue Bauform hat den Modulen ja leider auch nichts gebracht. MDT hat wahrscheinlich nie OC-Speicher gebaut. Reserven sind kaum welche vorhanden. Einmal Memtest und die Teile landen wahrscheinlich bei ~210-MHz CL2.5.

Nicht nur wahrscheinlich: nie ! Die Riegel / Chips sind auch nicht all zu groß in Umlauf gekommen, wie die Firma es vielleicht vor hatte. Es hat sich schnell herumgesprochen, dass mit denen nur Alltagsbetrieb möglich ist. Der einzigste Vorteil früher: die Riegel waren deutlich günstiger als "Markenram", so dass die oft bei Kaufempfehlungen genannt wurden.

 

[The Sandman]

Nicht nur wahrscheinlich: nie ! Die Riegel / Chips sind auch nicht all zu groß in Umlauf gekommen, wie die Firma es vielleicht vor hatte. Es hat sich schnell herumgesprochen, dass mit denen nur Alltagsbetrieb möglich ist. Der einzigste Vorteil früher: die Riegel waren deutlich günstiger als "Markenram", so dass die oft bei Kaufempfehlungen genannt wurden.

Mom von nem Kollegen von mir hatte die im Rechner... da kommen die her... ergibt Sinn

 

[digitalbath]

Bilder meiner MDT Speicher mit einem Riegel Aeneon als Vergleich:
ich denke hier selbst erklärend

von oben nach unten: MDT 0326 - MDT 0402 - MDT 0448 - Aeneon (Sorry für Staub)

rechts MDT, links Aeneon

 

[Tzk]

Ich würde von oben nach unten tippen:
Infineon bt
Hynix, elpida oder sowas
Infineon be/ce
Infineon be/ce

 

[stunned_guy]

Sind auf jeden Fall andere ICs. Aeneon und MDT passen nicht zusammen, auch wenn das durch den Stanzpunkt in der linken unteren Ecke so aussieht.

 

[Tzk]

Der erste Schritt zum SPD umbasteln wäre getan. Ich hab mal die "interessanten" Riegel gedumpt und für die SPD Datenbank hochgeladen. Schritt 2 wäre jetzt ne Analyse wie sich die 512mb DS und 256mb SS SPDs unterscheiden.

Die DDR1 Datenbank ist ja noch etwas mager bestückt... Da muss man mal nachhelfen

(...)

EDIT:
Ich vergleiche gerade die SPD von verschiedenen Riegeln. Der Unterschied zwischen den Bestückungen (256mb SS, 512mb SS/DS, 1024mb DS) scheint letztendlich auf folgendes hinauszulaufen. Es gibt noch weitere Unterschiede, die sind aber meist den Timings und ähnlichem geschuldet.

Byte 4 (Anzahl der Spaltenadressen) ist je nach Kapazität verschieden:
0Ah (10 columns) bei 256mb SS und 512mb DS
0Bh (11 columns) bei 512mb SS und 1024mb DS

Byte 5 (Zahl der Ränge) ist je nach Bestückung verschieden:
01h (1 Rang) bei 256mb SS und 512mb SS
02h (2 Ränge) bei 512mb DS und 1024mb DS

Was heisst das nun für uns?
Ich tippe das man Chips unterschiedlicher Kapazität verpflanzen kann, wenn die Dimm Platine alle nötigen Signalleitungen hat. Sprich kleine Chips auf ein PCB von großen Chips sollte immer gehen, andersrum nur wenn das PCB es "kann". Also DS -> DS sollte klappen. DS -> SS (also die Hälfte der Chips entfernen) sollte ebenfalls klappen, da nur eine Signalleitung weniger benötigt wird (Leitung zur Auswahl des Rang entfällt).

Ich werde wohl mal einen billigen doublesided Stick opfern und dort die Zahl der Ränge per SPD Flash verringern, so dass es ein SS Riegel mit halber Kapazität wird. Wenn das klappt, dann schauen wir mal ob das generell am Taktverhalten des NF2 was ändert

 

[stunned_guy]

Weiter geht es mit meiner Infineon Chipsauswertung.

Habe nun 50 Riegel in meiner Liste drin (25 Spalten mit Daten je Riegel), mittlerweile auch einige Infineon AT-6.
Was mir aufgefallen ist: diese Chips sind bisher die Einzigen, die in den USA hergestellt wurden, obwohl dort keine eigene Fabrik ist. Auf den Chips steht auch "Assembled in USA of imported components". Das ist ein weiterer Hinweis, dass es definitv keine Infineon Chips sind. Auch haben diese Riegel den PCB-Aufdruck 2025193-001.A00 (Made in Korea). Diesen Audruck hat als einzigster Hersteller Kingston auf seinen PCB´s. Hier vermute ich also, dass die PCB bei Kingston bzw. deren Hersteller zugekauft wurden. Dann macht das mit "...of imported components" auch Sinn: Chips von Winbond, PCB von Kingston. Keine Ahnung, was noch so alles kommt. Auf jeden Fall wieder sehr interessant für mich bzw. auch euch.

 

[digitalbath]

WPCB-Aufdruck 2025193-001.A00

2025192-001.A00 Bei mir steht da eine 2. Meine Kingston Winbond BH-6 Riegel ("ASSY IN TAIWAN") haben gleiches PCB mit dieser Nummer.

EDIT:
Ich weiß nicht, ob es relevant ist, diese Kingston Riegel aus Post #355 sind auch "Assy in USA"

Kingston KVR333x64C25/256, 2 x 256MB, DS

 

[stunned_guy]

Ist richtig. Das A in der PCB-Nummer steht für die Revision (geht glaube ich bis C). Die Nummer beginnt immer mit 2025, danach folgt meines Wissens nach der Produktionsort. Bei Kingston gab es PCB-Nummern wie folgt:
HyperX: 192, 193, 200, 201
Value: 193, 193, 200, 216, 225, 240

Wo was zugehörig ist bleibt aber noch ein Rätsel für mich....noch...

"Assy in USA" steht z.B. auf allen Kingston Riegeln (HyperX / Value) drauf, da gibt es keinen Unterschied (manchmal aber auch "Assy in China"). "Assembled in USA of imported components" steht definitiv nur auf den Infineon Winbond drauf. Somit sollten außer den Infineon Winbond alle direkt von Winbond stammen.

 

[digitalbath]

Okay, danke für die Erklärung. Ich habe von Kingston nur value RAM. Da ist überall bis auf die Riegel da oben (Assy in USA, 201 ) und Winbond BH-6 (Assy in Taiwan, 192) immer "Assy in China" (193, 216).

 

[Tzk]

Was mich immer wieder überrascht ist die Tatsache das die Kingston Riegel tatsächlich Chips im TSOP 54 Package nutzen während quasi alle anderen Riegel TSOP 66 sind... Sprich Kingston hat sich die Chips speziell fertigen lassen oder Winbond hatte eine zweite Linie mit TSOP 54 Chips stehen.

EDIT:
Success!

Ich hab gerade das Patriot 1gb Modul um einen Rank erleichtert... Ausgelesen und geflasht mit SPDTool 0.63 von Techpowerup. Einzige Änderung: Bit 5 von 02h auf 01h (2 Ranks -> 1 Rank) und schwupp wird das Modul als 512mb Singlerank statt 1024mb Doublerank erkannt. Sehr geil.

 

[digitalbath]

Mich würde ja interessieren, welche ICs Winbond da wirklich für Kingston speziell gefertigt hat. Ein BH-X Riegel ist das nicht.

Welche chips sind denn auf dem Patriot drauf? Glückwunsch.
Kannst du noch auf 256MB verkleinern? So, dass nur die Hälfte an chips auf einem Rank benutzt werden?

 

[Tzk]

Der Patriot ist umgelabelt, keine Ahnung was da drauf ist... Ich vermute Hynix, UCCC oder sowas, ist halt ein typischer Value Stick. Timings sind 3-4-4-8 als Default. Der einzige Grund für die Auswahl von genau diesem Stick war das Brainpower B6U808 PCB.

Auf einem Rank (mit 8 Chips) belegt soweit ich weiß jeder Chip 8 Datenleitungen (8bit). Sprich wenn man nun weitere Chips wegschalten wollte, dann würde das Ram Interface schmaler als 64bit ausfallen. Nochmal halbieren dürfte nicht gehen, weil der Ramcontroller meist die volle Busbreite von 64bit erwartet. Wäre so meine Vermutung.