[Sammelthread] Der DDR1 Ram-Chip Thread

Einleitung

Ich habe mir gedacht, dass eine separate Übersicht über die verfügbaren DDR1 Ram Chips, ihr Verhalten bei Übertaktung und das -potenzial sicher einigen hier im Forum weiterhilft. Außerdem möchte ich Detailsaufnahmen der Chips zusammenstellen, damit man umgelabelte Chips einfacher identifizieren kann. Außerdem können wir noch einfache Tests dazunehmen, mit denen man die jeweiligen Chip erkennen kann, falls sie z.B. unter Heatspreadern verborgen sind. Das Ganze soll nach Hersteller und Chiptyp sowie -kapazität sortiert sein.

Kurzlinks zu den jeweiligen Herstellern:
Aeneon / Infineon / Qimonda | Elpida | Hynix | Micron | Mosel Vitelic | Nanya / Elixir | Promos | Samsung | Winbond |

Umgelabelte Chips

Usertests

SPD Tool

[Sammelthread] - Der DDR1 Ram-Chip Thread

Einleitung Ich habe mir gedacht, dass eine separate Übersicht über die verfügbaren DDR1 Ram Chips, ihr Verhalten bei Übertaktung und das -potenzial sicher einigen hier im Forum weiterhilft. Außerdem möchte ich Detailsaufnahmen der Chips zusammenstellen, damit man umgelabelte Chips einfacher...

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SPDTool Tutorial

Spoiler: HOW-TO SPD modden und flashen

SPDTool Tutorial:



(Bildquelle: https://occlub.ru/news/software/269...oj-oblasti-spd-v-modulyax-operativnoj-pamyati)

Vorgehen zum SPD modden:

1. SPDTool v0.63 herunterladen und starten
2. Im Menü mittels File -> Read den entsprechenden Stick auslesen
3. SPD Tool zeigt nun den Inhalt des SPD an. In der oberen Hälfte wird der Inhalt in Hex angezeigt, in der unteren Hälfte ist das ganze dekodiert aufgeschlüsselt
3a. Falls gewünscht kann das SPD über File -> Save auf die Festplatte gesichert werden
4. Um nun einen Riegel um einen Rank zu "berauben" wird "number of DIMM Ranks" um eins heruntergesetzt

An dieser Stelle sollte man darauf achten das sich das korrekte Bit oben im HEX Bereich ändert. Für die Ranks zuständig ist Byte 5, also das sechte Byte in der ersten Zeile (gezählt wird ab Null!). Bei einem DDR1 Doublerank Riegel sollte Byte 5 02h sein, bei einem Singlerank Riegel 01h. !Achtung! Bei mir hatte das SPD Tool an dieser Stelle einen Fehler, es wurde 02h als "3 Ranks" ausgelesen, was natürlich quatsch ist! Wichtig ist der Hex Wert, nicht was das SPDTool unten anzeigt!

5. Wenn die Änderung erfolgt ist, dann muss über das Menü via EDIT -> fix Checksum noch die Checksumme des SPD korrigiert werden.
6. Nun wird noch der Riegel per File -> Write geflasht
7. Neustart und freuen das der Riegel nur noch die halbe Kapazität hat...

SPD Inhalt entschlüsselt:

Spoiler: SPD Inhalt by DocMemory

Understanding DDR Serial Presence Detect (SPD) Table
By: DocMemory
Serial Presence Detect (SPD) data is probably the most misunderstood subject in the memory module industry. Most people only know it as the little Eprom device on the DIMM that often kept the module from working properly in the computer. On the contrary, it is quite the opposite. The SPD data actually provide vital information to the system Bios to keep the system working in optimal condition with the memory DIMM. This article attempts to guide you through the construction of an SPD table with "Turbo-Tax" type of multiple choices questions. I hope you will fin the information here interesting and useful.

Byte	Description	Value
Byte 0	Number of Serial PD Bytes written during module production The most common for standard 184pin DIMM and 200pin SODIMM is 128 bytes written although some special modules and manufacturer would occasionally insert different number.	128 Byte 80h 255 Byte FFh
Byte 1	Total number of Bytes in Serial PD device This is referring to the EEPROM size used. For standard 184pin DIMM and 200pin SODIMM, device used is usually 128 Bytes or 256 Bytes with 256 Bytes as the most common.	128 Byte (24C01) 07h 256 Byte (24C02) 08h
Byte 2	Fundamental Memory Type This refers to the DRAM type. The most common now-a-days are either SDRAM or DDR. In this case, we are only dealing with DDR	00h reserved 01h Standard FPM DRAM 02h EDO 03h Pipelined Nibble 04h SDRam 07h DDR (recommended default) 08h DDR2 SDRam
Byte 3	Number of Row Addresses on this assembly This relates to the DRAM size as well as the Refresh scheme of the DRAM. The best way to discover this is to use the AutoID function of the CST DIMM tester. You would first run the AutoID on the tester. You then use the [Edit] [AdrDat] function to display the Row and Column Address counts.	0Dh 13 0Ch 12 0Bh 11 0Ah 10 09h 9
Byte 4	Number of Column Addresses on this assembly This relates to the DRAM size as well as the Refresh scheme of the DRAM. The best way to discover this is to use the AutoID function of the CST DIMM tester. You would first run the AutoID on the tester. You then use the [Edit] [AdrDat] function to display the Row and Column Address counts.	0Dh 13 0Ch 12 0Bh 11 0Ah 10 09h 9
Byte 5	Number of Physical Banks on DIMM This is referring to the internal banks (or ranks) on the module. Normally, you can count the number of chips on the module and make a guest that there would be one bank (rank) for each 8 pieces of DRAM chips. However, downgrade modules often use two defective chips to replace one. Stacked modules also uses two chip stacked as one physical chip. Those would make the identification very complex. The best way to identify the banks (ranks) would be to use the AutoID function in the CST testers. The tester displays number of internal Banks directly after AutoID is executed.	01h 1Bank 02h 2Banks 03h 3Banks 04h 4Banks
Byte 6	Module Width of this assembly This refers to the number of data bit width on the module. For a standard 8 byte DIMM, 64 bits would be most common while an 8 byte ECC module would have 72 bits. Some special module might even have up to 144 bits. In any case, a CST tester AutoID function would tell you this number in plan English.	40h 64bit 48h 72bit 90h 144bit
Byte 7	Module width of this assembly (Continue) This byte is used only if your DIMM exceeds 16 bytes (144 bits).	additional bit 00h recommended default
Byte 8	Voltage Interface Level of this assembly This refers to the power supply voltage Vdd of the DIMM. Standard DDR module would be 2.5V SSTL	03h 3.3V SSTL 04h 2.5V SSTL DDR recommended default 05h 1.8V SSTL
Byte 9	SDRAM Device Cycle time at Maximum Supported CAS Latency (ns) This commonly referred to the clock frequency of the DIMM. Running at its specified CL latency. The higher order nibble (bits 4-7) designates the cycle time to a granularity of 1ns; the value presented by the lower order nibble (bits 0-3) has a granularity of .1ns and is added to the value designated by the higher nibble. Example: 75h -> 7xh = 7ns and x5h = +0.5ns -> 7.5ns	75h 266MHz data rate DDR 60h 333MHz data rate DDR 50h 400MHz data rate DDR 46h 433MHz data rate DDR 42h 466MHz data rate DDR
Byte 10	SDRAM Device Access from Clock (tAC) This is referred to the data valid time from the clock. This can be read directly from the DRAM manufacturer data sheet. But caution must be taken to read off the correct column since this is CL (clock latency) related. In the DDR data sheet, it is listed as tAC and is in fraction of a nano-second (ns). Example: 75h -> 7xh = 0.7ns and x5h = +0.05ns -> 0.75ns	+/-0.6ns 60h +/-0.65ns 65h +/- 0.7ns 70h +/-0.75ns 75h
Byte 11	DIMM Configuration Type This is to identify the DIMM as ECC, Parity, or Non-parity. Normally non-parity is related to 64 bit module, Parity and ECC are related to 72 bit or higher memory bit width on the module.	00h Non ECC 01h Parity 02h ECC
Byte 12	Refresh Rate/Type This byte describes the module’s refresh rate and if it is self-refreshing or non-self refreshing. Today, most standard modules would be capable of self-refreshing. The refresh time is easily read from the DRAM manufacturer data sheet. Refresh time can be listed in two different ways. 1. In Refresh Interval Time. For example: 15.6usec. or 7.8usec. 2. In milli-seconds per x Refresh Cycles. For example: 62.4ms in 8K refresh cycles. This can be converted back into refresh interval time with the equation: Refresh Interval = Total Refresh Period / number of refresh cycles	80h 15.6 usec. Self-refresh (4K) 82h 7.8 usec. Self-refresh (8K)
Byte 13	Primary SDRAM Width This refers to the bit width of the DDR DRAM for a standard DIMM module.	04h 4 bits 08h 8 bits 10h 16 bits
Byte 14	Error Checking SDRAM Width This refers to the bit width of the error checking DRAM. For a standard module, it is either no ECC bit, 8 bits, or 16 bits on a 144 bit module.	00h 0 bit 08h 8 bits 10h 16bits
Byte 15	Minimum Clock Delay, Back-to-Back Random Column Access (tCCD min). This is read off the tCCD min column of the DRAM data sheet and is in the unit of clock cycles. For the most case, it is 1 clock cycle.	1 clock cycle 01h 2 clock cycle 02h
Byte 16	Burst Lengths Supported This is indicates the burst length supported. In most case, it is 2,4,8 burst supported.	2, 4,8 Burst length supported 0Eh recommended default
Byte 17	Number of Banks on SDRAM Device This is referring to the internal bank on the DRAM chip. All modern DDR have 4 internal banks.	4 Internal Banks 04h recommended default
Byte 18	CAS Latency (CL) This refers to the all the different Cas Latency supported by your chip. This can vary with the frequency you operate your DIMM. This number can be read off your DRAM data sheet.	CL=2.5 and 3 supported 18h CL=2.0, 2.5 and 3 are all supported 1Ch
Byte 19	Chip Select Latency This is the maximum time between the activation of CS to the time the Chip Select is effective. This is counted in number of clock cycles. For modern DRAM, this number is 0 clock cycle.	0 clock cycle 01h recommended default
Byte 20	Write Latency This is the maximum time between the activation of WE to the time that writing is effective. This is counted in number of clock cycles. For most modern DDR SDRAM, this number is 1 clock cycle.	1 clock cycle 02h recommended default
Byte 21	SDRAM Module Attributes This byte describes the DIMM, whether it is unbuffered, registered, differential clocked or with FET switches.	Unbuffer DDR DIMM with differential clock 20h Registered DDR DIMM 26h
Byte 22	SDRAM Device Attributes This byte describes the DRAM specification on voltage tolerance, the type of pre-charge supported, plus support of dual strength drivers. Modern DRAM are standardized on these features. These features are usually found on the feature list of the DRAM specification sheet.	DDR (Fast AP, Concurrent AP supported) C0h recommended default
Byte 23	SDRAM Minimum Clock Cycle Time Derated by Half a Clock This is referred to the speed the DRAM can run at when the Cas Latency is reduced by 0.5 clock. This data can be looked up from the datasheet of the DRAM. This is usually listed at the first page of the data sheet where it mentioned highest frequency it can run at a certain cas latency setting.	With 0.5 CL derate, it would work as a DDR200 A0h With 0.5 CL derate, it would work as a DDR266 75h With 0.5 CL derate, it would work as a DDR333 60h Derated operation not allowed 00h
Byte 24	Data Access Time from clock when CL is Derated by Half a Clock (derated tAC) This is referred to the tAC (access time) the DRAM can run at when the Cas Latency is reduced by 0.5 clock. This data can be looked up from the datasheet of the DRAM. This is usually listed at the first page of the data sheet where it mention maximum frequency it can run at a certain cas latency setting.	+/-0.65 ns 65h +/- 0.7 ns 70h +/-0.75 ns 75h Derated operation not allowed 00h
Byte 25	SDRAM Minimum Clock Cycle when CL is Derated by One Clock This is referred to the speed the DRAM can run at when the Cas Latency is forced to reduce by two notches. (that is 1 clock for DDR) This data can be looked up from the datasheet of the DRAM. This is usually listed at the first page of the data sheet where it mentioned what frequency it can run at a certain cas latency setting.	DDR 400 CL3 cannot be degraded to lower than CL2.5 as listed in Byte 18 00h With 1 CL derate, it would work as a DDR200 A0h With 1 CL derate, it would work as a DDR266 75h With 1 CL derate, it would work as a DDR333 60h Derated operation not allowed 00h
Byte 26	Data Access Time from clock when CL is Derated by One Clock. (derated tAC) This is referred to the tAC (access time) the DRAM can run at when the Cas Latency is derated by 1 clock. This data can be looked up from the datasheet of the DRAM. This is usually listed at the first page of the data sheet where it mentions the maximum frequency it can run at a certain cas latency setting.	+/-0.65 ns 65h +/- 0.7 ns 70h +/-0.75 ns 75h Derated operation not allowed 00h
Byte 27	Minimum Row Pre-charge Time (tRP) This is tRP read off the DRAM data sheet.	12ns 30h 15ns 3Ch 18ns 48h 20ns 50h
Byte 28	Minimum Row to Row Access Delay (tRRD) This is the tRRD time read off the DRAM data sheet	10ns 28h 12ns 30h 15ns 3Ch
Byte 29	Minimum Ras to Cas Delay (tRCD) This is the tRCD time read off the DRAM data sheet.	12ns 30h 15ns 3Ch 18ns 48h 20ns 50h
Byte 30	Minimum Active to Pre-charge Time (tRAS) This is the tRAS time read off the DRAM data sheet.	40ns 28h 45ns 2Dh 50ns 32h 55ns 37h
Byte 31	Module Bank Density This refers to the Mega-Byte in each physical bank (rank) on the DIMM. For example: if a 256MB module has two physical banks, then each physical bank should have 128MB.	32 MB 08h 64MB 10h 128MB 20h 256MB 40h 512MB 80h
Byte 32	Address and Command Input Setup Time Before Clock (tIS) This refers to the time of the address and command lines have to occur before the next clock edge. It is labeled as tIS in the case of DDR. (tIS)	0.6ns. 60h 0.8ns 80h 1.0ns. A0h
Byte 33	Address and Command Input Hold Time After Clock (tIH) This refers to the period of time the address and command lines have to hold after the last clock edge has appeared. It is labeled as tSH in SDRAM and tIH in the case of DDR. (tIH)	0.4ns. 40h 0.6ns. 60h 0.8ns. 80h 1.0ns. A0h
Byte 34	SDRAM Device Data/Data Mask Input setup Time Before Data Strobe (tDS) This refers to the time of the Data and Data Mask lines have to occur before the next clock edge. It is labeled as tDS in the case of DDR. (tDS)	0.4ns. 40h 0.6ns 60h 0.8ns. 80h
Byte 35	Address and Command Input Hold Time After Clock (tDH) This refers to the period of time the Data and Data Mask lines have to hold after the last clock edge has appeared. It is labeled as tDH in the case of DDR. (tDH)	0.4ns. 40h 0.6ns. 60h 0.8ns. 80h 1.0ns. A0h
Byte 36-40	Reserved for Virtual Channel SDRAM	Normally Not VC SDRAM 00h
Byte 41	Minimum Active to Active Auto Refresh Time (tRC)	55ns 37h 60ns 3Ch 65ns 41h 70ns 46h
Byte 42	Minimum Auto Refresh to Active Auto Refresh Time (tRFC)	70ns 46h 75ns 4Bh
Byte 43	Maximum Device Cycle time (tCKmax)	10ns 28h 12ns 30h
Byte 44	Maximum Skew Between DQS and DQ (tDQSQ) Maximum DQS tolerance	0.4ns 28h 0.5ns 32h 0.6ns 3Ch
Byte 45	Maximum Read DataHold Skew Factor (tQHS) Maximum DQS and DQ window tolerance.	0.5ns 32h 0.6ns 3Ch
Byte 46	PLL Relock Time	Not available 00h recommended default
Byte 47-61	Superset Information	Not available 00h recommended default
Byte 62	SPD Data Revision Code	Revision 0.0 00h Revision 1.0 10h Revision 2.0 20h
Byte 63	Checksum for Byte 0 to 62 Checksum is calculated and placed into this byte. All CST testers have automatic checksum calculation for this byte. All you have to do is to fill in and audit byte 0-62, the tester will automatically fill in byte 63 for you through the auto-checksum calculation.	N/A
Byte 64-71	Manufacturer’s JEDEC ID Code This is a code obtained through manufacturer’s registration with JEDEC ( the standard setting committee). A small fee is charged by JEDEC to support and maintain this record. Please contact JEDEC office. Byte 64 is the most significant byte. If the ID is not larger then one byte (in hex), byte 65-71 should be filled with 00h.	N/A
Byte 72	Module manufacturing Location Optional manufacturer assigned code.	N/A
Byte 73-90	Module Part Number Optional manufacturer assigned part number. The manufacturer’s part number is written in ASCII format within these bytes. Byte 73 is the most significant digit in ASCII while byte 90 is the least significant digit in ASCII. Unused digits are coded as ASCII blanks (20h).	N/A
Byte 91-92	Module Revision Code Optional manufacturer assigned code.
Byte 93-94	Module Manufacturing Date	Byte 93 is the year: 2002 66h 2003 67h 2004 68h Byte 94 is the week of the year: wk1-wk15 01h – 0Fh wk16-wk31 10h – 1Fh wk32-wk47 20h – 2Fh wk48-wk52 30h – 34h
Byte 95-98	Module Serial Number Optional manufacturer assigned number. On the serial number setting, JEDEC has no specification on the data format nor dictates the location of Most Significant Bit. Therefore, it’s up to individual manufacturer to assign his numbering system. All CST testers and EZ-SPD programmers have the option for user to select either byte 95 or byte 98 as the MSB (most significant bit). The testers assume the use of ASCII format; which is the most commonly used. The CST testers also have the function to automatically increment the serial number on each module tested.	N/A
Byte 98-127	Manufacturer’s Specific Data Optional manufacturer assigned data.	N/A
Byte 128-255	Open for Customer Use Optional for any information codes.	N/A

inf
Aeneon/Infineon/Qimonda


Bezeichnung von Infineon Chips:

Spoiler

Quelle: https://pdf.datasheet.live/5c855cb7/infineon.com/HYB39T512160TGL-5.pdf

Chip Typ und Revision	Chip Bezeichnung	typ.OC Verhalten	Anmerkungen	Merkmale des Package	Bauzeitraum	Bild
AT-6 Revision "A"	256mbit x8 HYB25D256809AT-6	200Mhz 2-2-2-X 2.8V 240Mhz 2-2-2-X 3V 250Mhz+ 2-2-2-X 3.3V+	skaliert sehr gut mit hoher Spannung (3.3V+) über 250Mhz möglich gerüchteweise baugleich zu Winbond BH-6 unterstützt CL=2 und CL=2.5 aber kein CL=3	an der kurzen Kante des Chips 2 längliche Metallkanten mittig im Chip zwei kreisrunde Vertiefungen Loch für "Pin1" relativ klein und tief	0232 - 0311
BT-5/6 Revision "B"	256mbit x8 HYB25D256800BT-5/6	200Mhz 2.5-3-3-X 2.6V	-/-	-/-	0334
BT-5/6 Revision "B"	256mbit x8 HYB25D256800BT-5/6	200Mhz 2.5-3-3-X 2.8V	-/-	Andere Metallpunkte an der Chipkante als der 0334 Chip	0447
BE-5/6 Revision "B"	256mbit x8 HYB25D256800BE-5/6 512mbit x8 HYB25D512800BE-5/6	200Mhz 2-3-2-X 2.8V	verfügbar von Infineon sowie umgelabelt als Qimonda und Aeneon skaliert minimal mit erhöhter Spannung (~2.9V) über 250Mhz möglich streut sehr stark bzgl. OC	-/-	Aeneon 0516 - 0804 Infineon -/- Qimonda -/-	-/-
CE-5/6 Revision "C"	256mbit x8 HYB25D256800CE-5/6 512mbit x8 HYB25D512800CE-5/6	200Mhz 2-3-2-X 2.8V 220Mhz 2.5-3-2-X 2.8V 240Mhz 3-3-2-X 2.8V 250Mhz+ 3-3-3/2-X 2.8V	verfügbar von Infineon sowie umgelabelt als Qimonda und Aeneon skaliert minimal mit erhöhter Spannung (~2.9V) über 250Mhz möglich streut sehr stark bzgl. OC	an der kurzen Kante des Chips 4 Metallpunkte paarweise angeordnet Loch für "Pin1" relativ groß und flach	Aeneon 0508 - 0838 Infineon -/- Qimonda 0642 - 0712	512Mx8: 256Mx8:
DE-5 Revision "D"	512mbit x8 HYB25D512800DE-5	240Mhz 3-3-2-X 2.6V	-/-	an der kurzen Kante des Chips 4 Metallpunkte paarweise angeordnet Loch für "Pin1" relativ groß und flach	Qimonda 0830

elp
Elpida

Chip Typ und Revision	Chip Bezeichnung	typ.OC Verhalten	Anmerkungen	Merkmale des Package	Bauzeitraum	Bild
5B	256mbit x8 DD2508AMTA 512mbit x8 D5108AFTA-5B-E/TD]	-/-	-/-	an der kurzen Kante des Chips vier Metallpunkte, paarweise angeordnet, Punkte sitzen an der Unterkante des Chips Punkt für "Pin1" aufgedruckt, keine Vertiefung im Chip mittig in einer kurzen Seite halbkreisförmige Ausparung	-/-	256mbitx8: 512mbitx8:

hyn
Hynix

Bezeichnung von Hynix Chips:

Spoiler

* der vorletzte Buchstabe vor dem Trennzeichen gibt die Chip Revision an. Bekannte Revisionen: A,B,C,D
* Hinter dem Trennziechen steht der Speedbin. Bekannte Bins: -J, -D4, -D43, D5

Chip Typ und Revision	Chip Bezeichnung	typ.OC Verhalten	Anmerkungen	Merkmale des Package	Bauzeitraum	Bild
BT-D43 Revision "B"	256mbit x8 HY5DU56822BT-D43	220MHz 2.0-4-4-X 2.8V 250MHz+ 2.5-4-4-X 2.8V 260MHz+ 3.0-4-4-X 2.8V	skaliert ein wenig mit der Spannung (bis 3,3V?) DS 4 ; SR 9 für NF2 laufen gut mit NF2 512MBit Chips takten schlecht!	vier Metallpunkte paar weise angeordnet, Abstand zwischen den Punkten fast gleichmäßig	2003-2004?
CT-D43 Revision "C"	256mbit x8 HY5DU56822CT-D43 256mbit x16 HY5DU561622CT-D43	220MHz 2.0-3-3-X 3.0V 235MHz 2.0-4-4-X 3.0V 225MHz+ 2.5-3-3-X 3.0V 260MHz+ 2.5-4-4-X 3.0V 260MHz+ 3.0-4-4-X 2.9V	skaliert ein wenig mit der Spannung (bis 3,0V?) DS 4 ; SR 9 für NF2 laufen gut mit NF2	vier Metallpunkte paar weise angeordnet, Abstand zwischen den Punkten fast gleichmäßig	2003/2004?
DT-D43 Revision "D"	256mbit x8 HY5DU56822DT-D43 256mbit x16 HY5DU561622DT-D43	210MHz 2.0-3-3-X 2.8V 250Mhz+ 2.5-3-3-X 2.9V 250Mhz+ 3-4-4-X 2.9V	skaliert ein wenig mit der Spannung (bis 3,3V?) DS 4 ; SR 9 für NF2 laufen gut mit NF2 werden warm	vier Metallpunkte paar weise angeordnet, Abstand zwischen den Punkten fast gleichmäßig	2004?
BTP-D43 Revision "BP"	512mbit x16 HY5DU121622BTP-D43 512mbit x8 HY5DU12822BTP-D43	-/-	-/-	vier Metallpunkte paar weise angeordnet, Abstand zwischen den Punkten fast gleichmäßig P = lead free	>2005?	-/-
CTP-D43 Revision "CP"	512mbit x16 HY5DU121622CTP-D43 512mbit x8 HY5DU12822CTP-D43	250MHz+ 3-4-4-X 2.9V	skaliert kaum mit der Spannung DS 4 ; SR 9 für NF2 laufen gut mit NF2 (3-4-4-X)	vier Metallpunkte paar weise angeordnet, Abstand zwischen den Punkten fast gleichmäßig P = lead free	>2005/2006
DTP-D43 Revision "DP"	512mbit x16 HY5DU121622DTP-D43 512mbit x8 HY5DU12822DTP-D43	240MHz+ 3-4-4-X 2.8V	skaliert kaum mit der Spannung	vier Metallpunkte paar weise angeordnet, Abstand zwischen den Punkten fast gleichmäßig P = lead free	>2007
ETR-E3C Revision "ER"	512mbit x8 H5DU5182ETR-E3C 512mbit x16 H5DU5162ETR-E3C	200MHz 2.0-2-2-X >2.7V 230MHZ 2.0-3-3-X 2.5V 250MHz 2.5-3-3-X 2.5V 250MHz+ 3.0-3-3-X 2.5V	skaliert kaum mit der Spannung DS4; SR 9 für NF2 sehr selten	vier Metallpunkte paar weise angeordnet, Anordnung Punte anders als andere Hynix Chips lead free; R= ROHS?	>2009/2010

mic
Micron

Bezeichnung von Micron Chips:

Spoiler

Quellen:
256mb: https://www.micron.com/-/media/client/global/documents/products/data-sheet/dram/ddr1/256mb_ddr.pdf
512mb: https://www.micron.com/-/media/client/global/documents/products/data-sheet/dram/ddr1/512mb_ddr.pdf
1gb: https://www.micron.com/-/media/client/global/documents/products/data-sheet/dram/ddr1/1gb_ddr.pdf

Chip Typ und Revision	Chip Bezeichnung	typ.OC Verhalten	Anmerkungen	Merkmale des Package	Bauzeitraum	Bild
5B C Revision "C"	256mbit x8 -/- 512mbit x8 -/-	220Mhz 2.5-2-2-X 2.8V 240Mhz 2.5-3-2-X 2.8V 250Mhz+ 3-3-2-X 2.8V	skaliert je nach Revision bis 3.1V neuere Revisionen werden bei höherer Spannung sehr heiss mit guten Chips 250Mhz 2.5-3-2-X möglich schafft 2.5-2-2-X bei 200Mhz (2.8V)	-/-	-/-	-/-
5B G Revision "G"	256mbit x8 -/- 512mbit x8 -/-	200Mhz 2-2-2-X 2.8V 240Mhz 2.5-2-2-X 2.8V 260Mhz+ 3-3-3-X 2.8V	skaliert je nach Revision bis 3V neuere Revisionen werden bei höherer Spannung sehr heiss mit guten Chips 250Mhz 2.5-2-2-X möglich schafft 2-2-2-X bei 200Mhz (2.8V)	je eine halbrunde Kerbe in der kurzen Seite des Chips in den Kerben ist Metall sichtbar	0638	512Mx8: 256Mx8:

mov
Mosel Vitelic

Chip Typ und Revision	Chip Bezeichnung	typ.OC Verhalten	Anmerkungen	Merkmale des Package	Bauzeitraum	Bild
SAT5B	256mbit x8 V58C225680SAT5B	200Mhz 2.5-3-3-X 2.8V 240Mhz+ 3-4-4-X 2.8V	-/-	-/-	0446
SAT6	256mbit x8 V58C225680SAT6	200Mhz 2.5-3-3-X 2.8V	-/-	-/-	0340 - 0511
VAT7	128mbit x8 V58C3128804VAT7	133Mhz 3-3-3-X 2.8V	-/-	-/-	0133

nan
Nanya / Elixir

Chip Bezeichnung

Chip Typ und Revision	Chip Bezeichnung	typ.OC Verhalten	Anmerkungen	Merkmale des Package	Bauzeitraum	Bild
AT-75B Revision "A"	128mbit x8 N2DS12880AT-75B	133Mhz 2.5-3-3-X 2.6V	-/-	-/-	0128
AT-7K Revision "A"	128mbit x8 NT5DS32M8AT-7K	133Mhz 2.5-3-3-X 2.6V	-/-	-/-	0226
BT-5T Revision "B"	256mbit x8 NT5DS32M8BT-5T	200Mhz 225Mhz 3-3-3-8 3-3-3-8 2.5V 2.5V	kein CL2 möglich schafft 2,5-2-2-5 reagiert kaum auf Spannung läuft mit CL3 am Höchsten	mittelgroßer Kreis im linken unteren Rand 2 Metallpunkte weit auseinander	0416
CS-5T Revision "C"	256mbit x8 NT5DS32M8CS-5T	200Mhz 200Mhz 250Mhz 265Mhz 3-3-3-8 2-2-2-11 2,5-3-2-11 3-3-3-11 2.5V 2.7V 2.7V 2.7V	CL2 / CL2,5 / CL3 möglich schafft 2-2-2-11 auf nF2 reagiert kaum auf Spannung läuft sehr gut auf nF2	mittelgroßer Kreis im linken unteren Rand 4 Metallpunkte paarweise an den Kanten	0607
CT-5T Revision "C"	256mbit x8 NT5DS32M8CT-5T	200Mhz 2.5-3-3-11 2.5V		großer flacher Stanzpunkt = Herstellort Taiwan kleiner flacher Stanzpunkt = Herstellort Italien 4 Metallpunkte paarweise an den Kanten	0526 - 0601
ES-5T Revision "E"	512mbit x8 N2DS51280ES-5T	200Mhz 2.5-3-3-X 2.6V	-/-	-/-	0647

pro
Promos

Chip Bezeichnung

Spoiler

Chip Typ und Revision	Chip Bezeichnung	typ.OC Verhalten	Anmerkungen	Merkmale des Package	Bauzeitraum	Bild
SBI5 Revision "B"	512mbit x8 V58C2512804SB	200Mhz 3-3-3-X 2.8V	-/-	-/-	1046

sam
Samsung

Bezeichnung von Samsung Chips:

Spoiler

Chip Typ und Revision	Chip Bezeichnung	typ.OC Verhalten	Anmerkungen	Merkmale des Package	Bauzeitraum	Bild
TCB3 Revision "C"	256mbit x8 k4h560838c-tcb3	200Mhz 2-3-3-X 2.8V	skaliert je nach Revision bis 3.1V Achtung: Teilweise wurde über Defekte bei höherer Spannung (>2.9V) berichtet	4 Metallpunkte auf der kurzen Seite des Chips (2 ganz außen) mittelgroßer Punkt für Pin 1	0223	[/URL]
TCB3 Revision "D"	256mbit x8 k4h560838d-tcb3	200Mhz 2-3-3-X 2.8V	skaliert je nach Revision bis 3.1V Achtung: Teilweise wurde über Defekte bei höherer Spannung (>2.9V) berichtet	4 Metallpunkte auf der kurzen Seite des Chips (2 ganz außen) mittelgroßer Punkt für Pin 1	0304
TCB3 Revision "F"	256mbit x8 k4h560838f-tcb3	200Mhz 2-3-3-X 2.8V	skaliert je nach Revision bis 3.1V Achtung: Teilweise wurde über Defekte bei höherer Spannung (>2.9V) berichtet	mittelgroßer Punkt für Pin 1	0404
TCCC Revision "F"	256mbit x8 k4h560838f-tccc	200Mhz 250Mhz 3-3-3-X 3-4-4-X 2.8V	Achtung: Teilweise wurde über Defekte bei höherer Spannung (>2.9V) berichtet	mittelgroßer Punkt für Pin 1	0413
TCCD Revision "F"	256mbit x8 k4h560838f-tccd	200Mhz 2-2-2-X 2.8V 250Mhz 2.5-3-3-X 2.6-2.8V 270Mhz+ 3-3-3-X 2.8V 280Mhz+ 3-4-3-X 2.8V	skaliert je nach Revision bis 3.1V Achtung: Teilweise wurde über Defekte bei höherer Spannung (>2.9V) berichtet mit guten Chips über 300Mhz bei 3-4-3-X möglich schafft 2-2-2-X bei 200Mhz (<=2.8V)	6 Metallpunkte auf der kurzen Seite des Chips (2 ganz außen) mittelgroßer Punkt für Pin 1	0449
TCC4 Revision "D"	256mbit x8 k4h560838d-tcc4	200Mhz 2.5-3-3-X 2.8V	skaliert je nach Revision bis 3.1V Achtung: Teilweise wurde über Defekte bei höherer Spannung (>2.9V) berichtet	mittelgroßer Punkt für Pin 1	0226
TCC5 Revision "E"	256mbit x8 k4h560838e-tcc5	233Mhz 2.5-3-3-X 2.8V	skaliert je nach Revision bis 3.1V Achtung: Teilweise wurde über Defekte bei höherer Spannung (>2.9V) berichtet	4 Metallpunkte auf der kurzen Seite des Chips mittelgroßer Punkt für Pin 1	0352
UCCC Revision "C"	512mbit x8 k4h510838C-uccc	200Mhz 3-3-3-X 2.6V 240Mhz+ 3-4-4-X 2.6V	skaliert nicht mit höherer Spannung skaliert mit 3-4-4-X bis über 280Mhz stark schwankende Chipgüte	6 Metallpunkte auf der kurzen Seite des Chips mittelgroßer, flacher Punkt für Pin 1	0531 - 0610
UCCC Revision "D"	512mbit x8 k4h510838D-uccc	200Mhz 3-3-3-X 2.6V 240Mhz+ 3-4-4-X 2.6V	skaliert nicht mit höherer Spannung skaliert mit 3-4-4-X bis über 280Mhz stark schwankende Chipgüte	6 Metallpunkte auf der kurzen Seite des Chips mittelgroßer, flacher Punkt für Pin 1	0652

win
Winbond

Chip Typ und Revision	Chip Bezeichnung	typ.OC Verhalten	Anmerkungen	Merkmale des Package	Bauzeitraum	Bild
AH-6 Revision "A"	256mbit x8 W942508AH-6	133Mhz 2-2-2-X 2.5V 200Mhz 2-3-3-X 2.5V 210Mhz 3-4-4-X 2.5V	im 175nm Verfahren gefertigt unterstützt CL=2 bis CL=3 läuft mit 2.5V am Besten, keine Skalierung darüber hinaus für OC nur bedingt geeignet	an der kurzen Kante des Chips 2 längliche Metallkanten mittig im Chip zwei kreisrunde Vertiefungen Loch für "Pin1" relativ klein und tief	0212
BH-5/6 Revision "B"	256mbit x8 W942508BH-5 256mbit x8 W942508BH-6	200Mhz 2-2-2-X 2.8V 250Mhz 2-2-2-X 3.3V 260Mhz+ 2-2-2-X 3.4V+	im 175nm Verfahren gefertigt skaliert sehr gut mit hoher Spannung (3.3V+) gute Chips erreichen 250Mhz bei 3.2V schafft meist 2-2-2-X bei 200Mhz (<2.8V) unterstützt nur CL=2 und CL=2.5, kein CL=3 Support	an der kurzen Kante des Chips 2 längliche Metallkanten mittig im Chip zwei kreisrunde Vertiefungen Loch für "Pin1" relativ klein und tief	-/-
CH-5/6 Revision "C"	256mbit x8 W942508CH-5 256mbit x8 W942508CH-6	200Mhz 2-3-2-X 2.8V 240Mhz 2-2-2-X 3V 250Mhz+ 2-2-2-X 3.3V+	im 133nm Verfahren gefertigt skaliert sehr gut mit hoher Spannung (3.3V+) über 250Mhz möglich schafft meist nur 2-3-2-X bei 200Mhz (2.8V) skaliert oft nur bis ~3.4V unterstützt CL=2, CL=2.5 und CL=3	an der kurzen Kante des Chips 2 längliche Metallkanten mittig im Chip zwei kreisrunde Vertiefungen Loch für "Pin1" relativ klein und tief	-/-
UTT BH-5 Revision "B" "untestet"	256mbit x8 umgelabelt	200Mhz 2-2-2-X 2.9V 240Mhz 2-2-2-X 3V 250Mhz+ 2-2-2-X 3.4V+	skaliert sehr gut mit hoher Spannung (3.3V+) über 250Mhz möglich UTT = ungetestete BH-5 meist etwas schlechter als old BH-5 skaliert oft nur bis ~3.4V Entweder ohne Aufdruck oder umgelabelte Chips nicht empfehlenswert für Nforce2 Systeme	an der kurzen Kante des Chips 2 längliche Metallkanten mittig im Chip zwei kreisrunde Vertiefungen Loch für "Pin1" relativ klein und tief	-/-

umgelabelt
Umgelabelte Chips

Modul Hersteller und Typ	Chip Bezeichnung	Modulbezeichnung	Merkmale des Package	Vermuteter Hersteller	Bild	Link
Twinmos Value 512mb PC3200	TMD7608F8E50D	P/N: M2G9J16JATT9F081AADT	kleine halbkreisförmige Einprägung an kurzer Seite kleiner tiefer Punkt für Pin1	Powerchip 5ns 130nm ("AADT" Endung)		Post #13
Kingston Value 512mb PC3200	D3208DLFCTG5AU	KVR400X64C3A/512	kleine rechteckförmige Vertiefungen an kurzer Kante großer flacher Punkt für Pin1	?		Post #14
Buffalo Value 512mb PC3200	ME46512843PEPP	-/-	rauer Plastikguss großer flacher Punkt für Pin1	Aeneon		Post #15
Corsair Value 1024mb PC3200	64M8BDAG	-/-	rauer Plastikguss großer flacher Punkt für Pin1	Infineon		Post #15
Buffalo 1024mb PC3200	ME46512843PCXP	DD4003-1G/BJ	[*]kleine rechteckförmige Vertiefungen an kurzer Kante [*]mittelgroßer flacher Punkt für Pin1 [/list]	?		Post #27

usertests
Usertests

Aeneon 1 GB, CE-5

Spoiler: Aeneon CE-5 1 GB Riegel auf DFI Lanparty nF4 Ultra-D Sockel 939, Test 1 (stunned_guy)

Aeneon CE-5 1024 MB Riegel Nr. 4 auf DFI Lanparty nF4 Ultra-D Sockel 939

Aeneon AED760UD00-500C98X
double sided, 45. KW 2008, Aufdruck AED93T500 C -> Aeneon CE-5

Spezifikation: 200 MHz @ 3-3-3-8 @ 2,50 Volt

Möglich:
-> CL2 / CL2,5 / CL3

Nicht möglich:
-> tRCD <3

SuperPi 1M Testdurchlauf (alle Subtimings auf "Auto")

2,0-3-2-5 @ 235 MHz @ 2,70 v
2,5-3-3-6 @ 265 MHz @ 2,70 v
3,0-3-2-8 @ 250 MHz @ 2,50 v
3,0-3-3-8 @ 295 MHz @ 2,70 v
3,0-4-3-8 @ 295 MHz @ 2,70 v
3,0-4-4-8 @ 295 MHz @ 2,70 v

Dieser Riegel skaliert sehr gut mit dem Takt. Bei CL3 ist es mit langsamen Timings egal, die 295 MHz sind immer drin. Leider knapp an den 300 MHz gescheitert.

Spoiler: Aeneon CE-5 1 GB Riegel auf ASRock K7NF2-RAID Sockel A, Test 1 (digitalbath)

Aeneon CE-5 1024 MB Riegel auf ASRock K7NF2-RAID Sockel 462

Aeneon AED760UD00-500 C98X
double sided, 51. KW 2007, Aufdruck AED93T500 C -> Aeneon CE-5

Spezifikation: 200 MHz @ 3-3-3-8 @ 2,50 Volt

Möglich:
-> CL2 / CL2,5 / CL3

Nicht möglich:
-> tRCD <3

SuperPi 1M Testdurchlauf (Subtimings 3-4-4-4-3-4-5)

2,0-3-2-11 @ 220 MHz @ 2,80 v
2,5-3-2-11 @ 250 MHz @ 2,80 v
3,0-3-2-11 @ 264* MHz @ 2,80 v

*= 264MHz ist board limit.

Aeneon 512 MB, CE-5

Spoiler: Aeneon CE-5 512 MB Riegel auf DFI Lanparty nF4 Ultra-D Sockel 939, Test 1 (stunned_guy)

Aeneon CE-5 512 MB Riegel Nr. 1 auf DFI Lanparty nF4 Ultra-D Sockel 939

AED660UD00-500C88M
double sided, 26. KW 2007, Aufdruck AED83T500 C4 -> Aeneon CE-5

Spezifikation: 200 MHz @ 3-3-3-8 @ 2,50 Volt

Möglich:
-> CL2 / CL2,5 / CL3

Nicht möglich:
-> tRCD <3

SuperPi 1M Testdurchlauf (alle Subtimings auf "Auto")

2,0-3-2-5 @ 210 MHz @ 2,50 v
2,0-3-3-5 @ 210 MHz @ 2,50 v
2,5-3-2-5 @ 210 MHz @ 2,50 v
2,5-3-3-6 @ 210 MHz @ 2,50 v
3,0-3-3-8 @ 210 MHz @ 2,50 v

Dieser Riegel gibt mir Rätsel auf. Macht mit allen Timings bei 2,50 v die 210 MHz, aber keinen MHz mehr.

Spoiler: Aeneon CE-5 512 MB Riegel auf DFI Lanparty nF4 Ultra-D Sockel 939, Test 2 (stunned_guy)

Aeneon CE-5 512 MB Riegel Nr. 3 auf DFI Lanparty nF4 Ultra-D Sockel 939

OCZ OCZ400512PF
double sided, 26. KW 2005, Aufdruck AED83T500 C -> Aeneon CE-5

Spezifikation: 200 MHz @ 2,5-3-3-6 @ 2,50 Volt

Möglich:
-> CL2 / CL2,5 / CL3

Nicht möglich:
-> tRCD <3

SuperPi 1M Testdurchlauf (alle Subtimings auf "Auto")

2,0-3-2-5 @ 230 MHz @ 2,60 v
2,0-3-3-5 @ 230 MHz @ 2,50 v
3,0-3-2-5 @ 230 MHz @ 2,50 v
3,0-4-4-8 @ 230 MHz @ 2,50 v

Der OCZ-Riegel ist zwar von Haus aus mit schnelleren Timings durch OCZ spezifiziert, allerdings macht der bei 230 MHz zu, egal bei welchen Timings. Mit den schärfsten Latenzen werden 2,60 v benötigt.

Spoiler: Aeneon CE-5 512 MB Riegel auf DFI Lanparty nF4 Ultra-D Sockel 939, Test 3 (stunned_guy)

Aeneon CE-5 512 MB Riegel Nr. 7 auf DFI Lanparty nF4 Ultra-D Sockel 939

Aeneon AED660UD00-500C98Y
single sided, 38. KW 2008, Aufdruck AED93T500 C -> Aeneon CE-5

Spezifikation: 200 MHz @ 3-3-3-8 @ 2,50 Volt

Möglich:
-> CL2 / CL2,5 / CL3

Nicht möglich:
-> tRCD <3

SuperPi 1M Testdurchlauf (alle Subtimings auf "Auto")

2,0-3-2-5 @ 235 MHz @ 2,80 v
2,0-3-3-5 @ 235 MHz @ 2,70 v
2,5-3-3-6 @ 265 MHz @ 2,80 v
3,0-3-3-8 @ 275 MHz @ 2,60 v
3,0-4-4-8 @ 275 MHz @ 2,50 v

Dieser Riegel skaliert mit der Spannung recht gut, braucht aber mit den schärfsten Timings bereits 2,80 v im Gegensatz zum Riegel Nr. 3. Keine Limitierung beim Takt, kann an der Bauart "single sided" liegen.

Spoiler: Aeneon CE-5 512 MB Riegel auf DFI Lanparty nF4 Ultra-D Sockel 939, Test 4 (stunned_guy)

Aeneon CE-5 512 MB Riegel Nr. 9 auf DFI Lanparty nF4 Ultra-D Sockel 939

OCZ OCZ4001024PFDC-K
double sided, 28. KW 2005, Aufdruck AED83T500 C -> Aeneon CE-5

Spezifikation: 200 MHz @ 2,5-3-3-6 @ 2,50 Volt

Möglich:
-> CL2 / CL2,5 / CL3

Nicht möglich:
-> tRCD <3

SuperPi 1M Testdurchlauf (alle Subtimings auf "Auto")

2,0-3-2-5 @ 220 MHz @ 2,50 v
2,0-3-3-5 @ 220 MHz @ 2,50 v
2,5-3-3-6 @ 220 MHz @ 2,50 v
3,0-3-3-8 @ 220 MHz @ 2,50 v
3,0-4-4-8 @ 220 MHz @ 2,50 v

Dieser OCZ-Riegel macht bei 220 MHz dicht und reagiert überhaupt nicht auf Spannung. Was es so alles gibt

Spoiler: Aeneon CE-5 512 MB Riegel auf DFI Lanparty nF4 Ultra-D Sockel 939, Test 5 (stunned_guy)

Aeneon CE-5 512 MB Riegel Nr. 8 auf DFI Lanparty nF4 Ultra-D Sockel 939

PNY 6464WQDXA8G17
double sided, 32. KW 2007, Aufdruck AED83T500 C5 -> Aeneon CE-5

Spezifikation: 200 MHz @ 3-3-3-8 @ 2,50 Volt

Möglich:
-> CL2 / CL2,5 / CL3

Nicht möglich:
-> tRCD <3

SuperPi 1M Testdurchlauf (alle Subtimings auf "Auto")

2,0-3-2-5 @ 220 MHz @ 2,50 v
2,0-3-3-5 @ 220 MHz @ 2,50 v
2,5-3-3-6 @ 220 MHz @ 2,50 v
3,0-3-3-8 @ 220 MHz @ 2,50 v
3,0-4-4-8 @ 220 MHz @ 2,50 v

Gleiches Spiel wie bei den OCZ. Bei 220 MHz ist Schluss

Spoiler: Aeneon CE-5 512 MB Riegel auf DFI Lanparty nF4 Ultra-D Sockel 939, Test 6 (stunned_guy)

Aeneon CE-5 512 MB Riegel Nr. 6 auf DFI Lanparty nF4 Ultra-D Sockel 939

Aeneon AED660UD00-500C88X
double sided, 44. KW 2005, Aufdruck AED83T500 C -> Aeneon CE-5

Spezifikation: 200 MHz @ 3-3-3-8 @ 2,50 Volt

Möglich:
-> CL2 / CL2,5 / CL3

Nicht möglich:
-> tRCD <3

SuperPi 1M Testdurchlauf (alle Subtimings auf "Auto")

2,0-3-2-5 @ 210 MHz @ 2,50 v
2,0-3-3-5 @ 210 MHz @ 2,50 v
2,5-3-3-6 @ 210 MHz @ 2,50 v
3,0-3-3-8 @ 210 MHz @ 2,50 v
3,0-4-4-8 @ 210 MHz @ 2,50 v

Diese Riegel sind ja wirklich das Letzte. Da geht wirklich nichts... Diesen Riegel habe ich genau 2x, brauche also seinen Bruder nicht mal Testen.

Aeneon 512 MB, BE-5

Spoiler: Aeneon BE-5 512 MB Riegel auf DFI Lanparty nF4 Ultra-D Sockel 939, Test 1 (stunned_guy)

Aeneon BE-5 512 MB Riegel Nr. 2 auf DFI Lanparty nF4 Ultra-D Sockel 939

Aeneon AED660UD00-500B98X
single sided, 5. KW 2006, Aufdruck AED93T500 B -> Aeneon BE-5

Spezifikation: 200 MHz @ 3-3-3-8 @ 2,50 Volt

Möglich:
-> CL2 / CL2,5 / CL3

Nicht möglich:
-> tRCD <3

SuperPi 1M Testdurchlauf (alle Subtimings auf "Auto")

2,0-3-2-5 @ 205 MHz @ 2,50 v
2,5-3-3-6 @ 230 MHz @ 2,60 v
3,0-3-3-8 @ 230 MHz @ 2,60 v

Dieser BE-5 Riegel läuft recht schlecht und springt nicht auf Spannungserhöhung an.

Aeneon 256 MB, CE-6

Spoiler: Aeneon CE-6 256 MB Riegel auf DFI Lanparty nF4 Ultra-D Sockel 939, Test 1 (stunned_guy)

Aeneon CE-6 256 MB Riegel Nr. 10 auf DFI Lanparty nF4 Ultra-D Sockel 939

Aeneon AED560UD00-600C88X
single sided, Datum unbekannt, Aufdruck G32Mx8 DDR umgelabelt -> Aeneon CE-6

Spezifikation: 166 MHz @ 2,5-3-3-7 @ 2,50 Volt

Möglich:
-> CL2 / CL2,5 / CL3

Nicht möglich:
-> tRCD <3

SuperPi 1M Testdurchlauf (alle Subtimings auf "Auto")

2,0-3-2-5 @ 210 MHz @ 2,50 v
2,5-3-3-6 @ 210 MHz @ 2,50 v
3,0-3-3-8 @ 210 MHz @ 2,50 v
3,0-4-4-8 @ 210 MHz @ 2,50 v

Dieser Riegel schafft knapp mehr als 200 MHz, reagiert aber überhaupt nicht auf Spannungserhöhung.

Spoiler: Aeneon CE-6 256 MB Riegel auf ASRock K7NF2-RAID Sockel A, Test 1 (digitalbath)

Aeneon CE-6 256 MB Riegel auf ASRock K7NF2-RAID Sockel 462

Aeneon AED560UD00-600C88X
single sided, Datum unbekannt, Aufdruck G32Mx8 DDR umgelabelt -> Aeneon CE-6

Spezifikation: 166 MHz @ 2,5-3-3-7 @ 2,50 Volt

Möglich:
-> CL2 / CL2,5 / CL3

Nicht möglich:
-> tRCD <3

SuperPi 1M Testdurchlauf (Subtimings 3-4-4-4-3-4-5)

2,0-3-2-11 @ 200 MHz @ 2,50 v
2,5-3-2-11 @ 225 MHz @ 2,50 v
3,0-3-2-11 @ 230 MHz @ 2,50 v

HYNIX 1 GB, D43

Spoiler: Hynix D43 1 GB Riegel auf DFI Lanparty nF4 Ultra-D Sockel 939, Test 1 (stunned_guy)

Hynix D D43 1 GB Riegel auf DFI Lanparty nF4 Ultra-D Sockel 939

double sided, 52. KW 2008

Datenblattspezifikation: HY5DU12822DTP-D43 @ 200 MHz @ 3-3-3-x



Möglich:
-> CL2,5 und CL3
-> tRAS 0
-> DRAM Idle Timer 0

Nicht möglich:
-> CL2 bei 200 MHz (Spannung 2,60 v - 3,20 v; kein Booten)
-> tRCD <3
-> rRP <2

SuperPi 1M Testdurchlauf (alle Subtimings auf "Auto")

​	Cl 2,5 - 3 - 2 - 0​	CL 2,5 - 3 - 3 - 0​	CL 2,5 - 4 - 3 - 0​	CL 2,5 - 4 - 4 - 0​
200 MHz​	2,60 v​	2,60 v​	2,60 v​	2,60 v​
205 MHz​	2,70 v​	2,60 v​	2,60 v​	2,60 v​
210 MHz​	-​	2,60 v​	2,60 v​	2,60 v​
215 MHz​	-​	2,60 v​	2,60 v​	2,60 v​
220 MHz​	-​	2,80 v​	2,60 v​	2,60 v​
225 MHz​	-​	3,00 v​	2,80 v​	2,90 v​

​

​	CL 3,0 - 3 - 2 - 0​	CL 3,0 - 3 - 3 - 0​	CL 3,0 - 4 - 3 - 0​	CL 3,0 - 4 - 4 - 0​
200 MHz​	2,60 v​	2,60 v​	2,60 v​	2,60 v​
205 MHz​	2,80 v​	2,60 v​	2,60 v​	2,60 v​
210 MHz​	-​	2,60 v​	2,60 v​	2,60 v​
215 MHz​	-​	2,60 v​	2,60 v​	2,60 v​
220 MHz​	-​	2,60 v​	2,60 v​	2,60 v​
225 MHz​	-​	2,60 v​	2,60 v​	2,60 v​
230 MHz​	-​	2,60 v​	2,60 v​	2,60 v​
235 MHz​	-​	2,60 v​	2,60 v​	2,60 v​
240 MHz​	-​	2,60 v​	2,60 v​	2,60 v​
245 MHz​	-​	-​	2,70 v​	2,70 v​
250 MHz​	-​	-​	2,80 v​	2,80 v​

Fazit:

CL 2,5 geht bis 225 MHz, egal ob mit 3-3-x / 4-3-x oder 4-4-x
CL 3 geht bis 250 MHz, allerdings nur mit tRCD 4

NANYA 512 MB, B-5T

Spoiler: Nanya B-5T 512 MB Riegel auf DFI Lanparty nF4 Ultra-D Sockel 939, Test 1 (stunned_guy)

Nanya B-5T 512 MB Riegel Nr. 1 auf DFI Lanparty nF4 Ultra-D Sockel 939

Nanya NT512D64S8HB1G-5T
double sided, 16./20. KW 2004, Aufdruck NT5DS32M8BT-5T -> Nanya B-5T

Spezifikation: 200 MHz @ 3-3-3-8 @ 2,50 Volt

Möglich:
-> CL2,5 / CL3, rRCD + tRP 2

Nicht möglich:
-> CL2

SuperPi 1M Testdurchlauf (alle Subtimings auf "Auto")

2,5-2-2-5 @ 205 MHz @ 2,60 v
2,5-3-3-6 @ 210 MHz @ 2,60 v
3,0-3-2-8 @ 210 MHz @ 2,60 v
3,0-3-3-8 @ 225 MHz @ 2,50 v

Nanya B-5T macht keine CL2, der Rest ist verfügbar, allerdings reagiert der Riegel so gu wie nicht auf Spannungsänderung. Kurios: sobald ich tRCD und tRP auf 2 stelle, bootet Windows immer mit mindestens 2,60 Volt, auch wenn ich nur 2,50 Volt im BIOS eingestellt habe.

NANYA 256 MB, C-5T

Spoiler: Nanya C-5T 256 MB Riegel auf ASRock K7NF2-RAID Sockel A, Test 1 (digitalbath)

Nanya CS-5 256 MB Riegel auf ASRock K7NF2-RAID Sockel 462

Nanya NT256D64S88C0GY-5T
single sided, 07/2006, NT5DS32M8CS-5T [TW]

Spezifikation: 200 MHz @ 3-3-3-8 @ 2,50 Volt

Möglich:
-> CL2 / CL2,5 / CL3

Nicht möglich:
---

SuperPi 32M (Subtimings 3-4-4-4-3-4-5; 4-5-5-5-3-5-6)

2,0-2-2-11 @ 200 MHz @ 2,70 v (2,50V reichen richt)

Spoiler: 2,0-2-2-11

Anhang anzeigen 550970

2,0-3-2-11 @ 225 MHz @ 2,70 v

Spoiler: 2,0-3-2-11

Anhang anzeigen 550971

2,5-3-2-11 @ 251 MHz @ 2,70 v

Spoiler: 2,5-3-2-11

Anhang anzeigen 550972

3,0-3-3-11 @ 263 MHz @ 2,70 v

Spoiler: 3-3-3-11

Anhang anzeigen 550973

----

Stand:
#630 (inkl. umgelabelte Chips)
#1050 (ohne umgelabelte Chips)

 

[Sparksnl]

I tested BT-D43 (256Mb ic's). I put some effort in tRFC, IdleCycle Limit and DRAM Drive Strength.
This was tested on my NF4 (Dr Expert).

C2.0 ended on my 1 dimm test in 220-225MHz range.
C2.5-3-3 ran 225MHz where C2.5-4-4 ran 27xMHz
C3.0 has no more MHz over C2.5-4-4-8.

I tested profiles are beneath. They can be finetunes for some settings, but this will be a good guideline.
I hope this is good input for Socket A testing with these dimms.
I will start testing the other 6 dimms now.

Memory settings	Code	Settings Sparks.nl	Settings Sparks.nl	Settings Sparks.nl	Settings Sparks.nl	Settings Sparks.nl
Profile Nr.	-	D43-1	D43-2	D43-3	D43-4	D43-5
Command per Clock	CPC	Enable	Enable	Enable	Enable	Enable
Cas Latency Control	Tcl	2.0	2.0	2.5	2.5	3.0
RAS# to CAS# delay	Trcd	03	04	03	04	04
Min RAS# active time	Tras	05 or 06	08	05 or 06	08	08
Row precharge time	Trp	03	04	03	04	04
Row cycle time	Trc	07	07	07	07	07
Row refresh cyc time	Trfc	12-14	14	12-14	14	14
Row to row delay	Trrd	02	02	02	02	02
Write recovery time	Twr	03	03	03	03	03
Write to Read delay	Twtr	02	02	02	02	02
Read to Write delay	Trwt	04	04	04	04	04
Refresh period	Tref	2560	2560	2560	2560	3120
Write CAS latency	Twcl	Auto	Auto	Auto	Auto	Auto
DRAM Bank Interleave	-	Enabled	Enabled	Enabled	Enabled	Enabled
DQS Skew Control	-	Auto	Auto	Auto	Auto	Auto
DQS Skew Value	-	0	0	0	0	0
DRAM Drive Strength	-	1	06-12	1	10-14	10-14
DRAM Data Drive Strength	-	Auto	Auto	Auto	Auto	Auto
Max Async Latency	-	Auto	Auto	Auto	Auto	Auto
DRAM Response Time	-	Fast	Fast	Fast	Fast	Fast
Read Preamble Time	-	Auto	Auto	Auto	Auto	Auto
IdleCycle Limit (DRAM Idle timer)	-	00-16 Cycles	32-256 Cycles	16-64 Cycles	16-256 Cycles	256 Cycles
Dynamic Counter	-	Disable	Disable	Disable	Disable	Disable
R/W Queue Bypass	-	16x	16x	16x	16x	16x
Bypass Max	-	07x	07x	07x	07x	07x
32 Byte Granularity		Disable (4 Bursts)	Disable (4 Bursts)	Disable (4 Bursts)	Disable (4 Bursts)	Disable (4 Bursts)
Memory voltage		2.8v	2.8v	2.8v	2.8v	2.8v
Memory IC type		BT-D43	BT-D43	BT-D43	BT-D43	BT-D43
Notes		DRAM Drive Strength: 1 most stable(>MHz)	DRAM Drive Strength: 1 most stable(>MHz)	DRAM Drive Strength: 1 most stable(>MHz)	Idle timer: 256 Most stable (>MHz) DRAM Drive Strength: 10-14 most stable (MHz)	Idle timer: 256 Most stable (>MHz) DRAM Drive Strength: 10-14 most stable (MHz) No > MHz over D43-4

 

[digitalbath]

Nice. I have simmilar results. Interesting, that NF4 is able to drive this low tRC and tRFC values.
BT-D43 dimms needs tRCD and tRP = 4 to get high clocks. They also scale a little with voltage.
I will check the alpha timings on S462.

 

[Sparksnl]

Yes they seem to run best with Cx.x-4-4-x.
My dimm scaled 1MHz when going from 2.8v to 2.92v.
Setting tRFC to 15 did not help.

 

[Sparksnl]

Local give away…
Who am I not to take it.

Including an AT-6 not Winbond dimm.

 

[digitalbath]

Including an AT-6 not Winbond dimm.

looks more like AT-7 or AT-5 (#1.760, #1.817)
The important 9 in xxxxxxxxx809AT-6 is missing.
Interesting find!

 

[Sparksnl]

Here is the AT-6 dimm. Please note it is 1024MB and 0322.
Edit: Please note that the dots are like BT-5/6.

Edit: interesting find for Infineon bt-5 as well. Look at the dots:

 

[Tzk]

I also got BT-5, they top out at around 250Mhz 3-4-4... Nothing too spectacular. They're on Corsair 3200C2PT...

 

[Sparksnl]

Any idea what these ic’s are capable of?
I don’t expect much…

 

[Sparksnl]

Infineon CE-5 dimms for pictures:

Edit: added 2 more photo’s and removed 1

 

[stunned_guy]

Das 2. Bild ist miese Qualität, das kannst du rausnehmen. Ansonsten normale CE-5.

 

[Sparksnl]

Like this?
Edit: update of photo’s above
Edit 2: 1 more

 

[Kuzorra]

Ich hab keine wirkliche Ahnung von RAM-Chips und keine Zeit alles zu lesen, aber ist hier in meinem kleinen Lager evtl. irgendwas dabei, was in der Liste fehlt oder sonst für irgendwen interessant ist?
(Was unter der haube bei Corsair/Geil steckt weiß ich nicht)

I don't have a real clue of RAM specs and not enough time to read through all of that, but is there maybe something in my "warehouse" that is missing in the list, or that is of interest for anyone?
(No idea what's under the hood of the Corsair/Geil modules)

 

[digitalbath]

Bild1: Micron 75B-C / Infineon, Mosel Vitelic oder ProMos?
Bild2: Infineon/Aeneon? / Infineon BT-7
Bild3: Micron 75B-B
Bild4: Nanya AT-7 / Nanya BT-6
Bild5: Samsung TCCC-F
Bild6: Qimonda CE-6
Bild7: Infineon, Aeneon / vermutlich Aeneon Qimonda (2008) / Micron DDR2
Bild8: nach der Liste in #1 sollte: Winbond CH-X / Winbond CH-X / Winbond BH-X ? (Chipkanten sollen bei allen zwei Metalstriche sein.)
Bild9: Keine Ahnung, hier müsste man ein Bild der Chipkanten haben.

Ich würde sagen, dass die Corsair Riegel aus Bild 8 interessant sind, der Rest eher weniger. Vielleicht noch der OEM Riegel aus Bild 7

 

[Kuzorra]

Helfen die Handybilder der Kanten irgendwie weiter?
2 Striche in der Ansicht von unten würde ich selbst als Laie mal bejahen....

....und da ich schon mehrere Anfragen per PN, aber keine Ahnung habe: Was ist denn ein für beide Seiten fairer Preis für die 3 Corsair-Riegel?

 

[digitalbath]

Helfen die Handybilder der Kanten irgendwie weiter?
2 Striche in der Ansicht von unten würde ich selbst als Laie mal bejahen....

100% Winbond

....und da ich schon mehrere Anfragen per PN, aber keine Ahnung habe: Was ist denn ein für beide Seiten fairer Preis für die 3 Corsair-Riegel?

Wie die Geier. edit: Ich kanns aber verstehen. Das triggert jeden inneren Ferengi.

Ich sag mal so: bei Ebay gehen die Winbond CH-5 Riegel Pärchen im Schnitt für 10 bis 20€ weg. Winbond BH-5/6 sind gefragter und mehr begehrt. Vor allem die 512MB Riegel.
Nachteil für dich (vielleicht), weil das keine Pärchen sind, sondern lose Riegel. Trotzdem ist der Corsair C2 1.1 Riegel der gefragtere Teil der Bilder.

 

[Tzk]

Schließe mich an, insbesondere der dritte Corsair Riegel ist interessant und gefragt weil vermutlich BH-5. Die anderen beiden sind CH, auch gefragt aber bei weitem nicht so stark.

Die blauen Geil können echt alles sein, da müsstest du ebenfalls mal die Chipkante ablichten. Idealerweise so, das man die Metallpunkte auf der kurzen Seite der Chips gut sieht.

 

[digitalbath]

Die blauen Geil können echt alles sein, da müsstest du ebenfalls mal die Chipkante ablichten. Idealerweise so, das man die Metallpunkte auf der kurzen Seite der Chips gut sieht.

PN2492-SN8xxxxxx

Müsste die 8 nicht für 2008 stehen? Das würde die Auswahl vermutlich einschränken. Es gab zu der Zeit nicht viele verschiede Chips, die man zu 1GB Riegel binen konnte.
afaik würde ich auf Aeneon / Qimonda / Nayna / Micron / Hynix / ProMOS / Elpida einschränken.

 

[Kuzorra]

2x pro Seite - aber die Chips liegen sehr tief, bekomme ich mit dem Handy nicht besser hin

 

[digitalbath]

2x pro Seite - aber die Chips liegen sehr tief, bekomme ich mit dem Handy nicht besser hin

Man kann die Metallpunkte gut erkennen. Nanya und Micron scheiden damit aus. Diese Chips könnten dann also Hynix, ProMOS, Elpida oder Aeneon (eher unwahrscheinlich) sein.
Danke für die Fotos! Nehme ich mir in meine Liste auf.

edit.
um Elpida ergänzt.

 

[stunned_guy]

Ich sag mal so: bei Ebay gehen die Winbond CH-5 Riegel Pärchen im Schnitt für 10 bis 20€ weg. Winbond BH-5/6 sind gefragter und mehr begehrt. Vor allem die 512MB Riegel.
Nachteil für dich (vielleicht), weil das keine Pärchen sind, sondern lose Riegel. Trotzdem ist der Corsair C2 1.1 Riegel der gefragtere Teil der Bilder.

Der Preis für die CH-Chips ist etwas hoch angesetzt, 7-8 € pro Kit kannst du da ansetzen. Bei den BH-Chips sieht es anders aus. Da kannst du das Doppelte ansetzen, wenn es sogar die PC3500 Varinate ist, noch mehr sogar.

 

[Raiden Zero]

Würde da eher @digitalbath zustimmen.
Für 15 Euro wird er das Kit bei EBay sicher los.

 

[digitalbath]

Der Preis für die CH-Chips ist etwas hoch angesetzt, 7-8 € pro Kit kannst du da ansetzen. Bei den BH-Chips sieht es anders aus.

Dann fliegen diese Riegel aber unter dem Radar. Ich denke mal es kommt auch darauf wenn welches Kit. Ein 3200LL 1.2 (CH-5) Kit sollte meiner Meinung nach teuerer sein als ein 3200C2 1.2. Da selbst die CH-X Riegel seltener werden, gehen die 3200LL 1.2 Kits eher 15 - 20€ weg. Bei den 3200C2 1.2 würde ich max 15€ ansetzen.

Da kannst du das Doppelte ansetzen, wenn es sogar die PC3500 Varinate ist, noch mehr sogar.

<3€ pro Riegel bei RAM-CO . Mann hatte ich da Glück (#2.648)

 

[Strunkenbold]

Helfen die Handybilder der Kanten irgendwie weiter?
2 Striche in der Ansicht von unten würde ich selbst als Laie mal bejahen....

....und da ich schon mehrere Anfragen per PN, aber keine Ahnung habe: Was ist denn ein für beide Seiten fairer Preis für die 3 Corsair-Riegel?

Kann mich täuschen aber der dritte Riegel sieht nach 2 Punkten aus. Wobei ich nicht klar erkennen kann ob es nicht sogar zwei Pärchen mit eng zusammenliegenden Punkten sind, womit es dann Samsung TCxx wären.

2x pro Seite - aber die Chips liegen sehr tief, bekomme ich mit dem Handy nicht besser hin

Nur von der Optik der Punkte würde ich sagen Infineon BT5 aber dann wäre 2008 vielleicht zu spät. So könnte es auch PSC sein.

 

[Kuzorra]

Ich hätte noch die DSLR und das Makroobjetiv bemühen können, aber die Fragen nach möglichen weiteren Bildern muss nun ein anderer User beantworten ;-)

 

[Sparksnl]

Infineon 6A sale: https://www.ebay.nl/itm/2x-Infineon...p2349624.m46890.l6249&mkrid=707-127634-2357-0

In this case, this thread seems the better place.

 

[Tzk]

7.50/stick is quite expensive. My personal limit is usually 5€ per 256mb stick. For all 14 sticks that‘d be 70 bucks at most. Luckily i already own enough sticks, so your turn

Afaik the user retro_computing is also present on hwluxx.

 

[Ben Psyko]

Mehr Winbond

 

[Sparksnl]

Even when I stop looking for most Winbond I see them… I have so much that I don’t look that much for it anymore.

 

[bschicht86]

Kann man mit Sicherheit sagen, was das genau für Chips sind oder muss man wieder nur testen?

 

[Kuzorra]

Gibt's so'n Thread eigentlich auch für SD-RAM?