[Kaufberatung] ECC Ram für Ryzen [alter Titel: Worauf achten bei Selektion von RAM für OC?]

[ebniv]

Alter Threadtitel: Worauf achten bei Selektion von RAM für OC?

Ich habe hier ein bisschen Ram, um mich mal in OC zu ertüchtigen.

Gibt es Erfahrungswerte, nach denen man den Ram selektieren kann oder kommt man nicht darum herum jeden Riegel einzeln mit unterschiedlichen Settings auszuprobieren?
Wenn ich mehrere zur Zeit teste lässt sich sicherlich nicht sagen welcher der der Riegel für einen Ram Fehler verantwortlich war, oder?

Praktisch an den Riegeln: Sie haben alle einen auslesbaren Temperatursensor.

Ich hätte ein generelles hohes Setting (möglichst hoher Takt, niedrige Timings) ausgewählt und einen Lasttest gemacht. Anhand der Temperatur hätte ich dann entschieden mit welchen Riegeln ich weiter ins spzieller OC gehe. Ist das vorgehen sinnvoll oder eher nicht und würdet ihr etwas anderes empfehlen?

Was sagen die Erfahrungswerte, welchen Einfluss das Produktionsdatum bzw. die Charge haben? Vermutlich ist es sinnvoll immer möglichst eine Charge, zumindest im Channel, zu haben?
Mir ist aufgefallen, dass besonders alte Riegel einer Modelnummer (M391A2K43BB1-CPB) mit 40°C deutlich niedrigere Temperaturen als eine neuere Charge (~50°C) unter Last aufweisen.

Ich bin noch neu im Thema und möchte eigentlich möglichst wenig Zeit mit der Selektion verbringen, um mich dann ausführlicher dem tatsächlichen OC zu widmen. In den Guides konnte ich leider nichts zur Selektion finden, sondern nur Ausführliches zum OC.


Hintergrundinformation:
Asus B550 Creator, Ryzen 5750G, ECC-Ram je Riegel 16GB (will mal schauen was aus dem alten Kram noch rauszukitzeln ist, vor allem da Retail ECC Ram auch keine so tollen Spezifikationen aufweist)

 

[Kenaz]

Ist es überhaupt sinnvoll ECC Speicher zu übertakten?
Wie will man da überhaupt gescheit auf Stabilität testen, ECC korrigiert doch Speicherfehler.

 

[ebniv]

Ist es überhaupt sinnvoll ECC Speicher zu übertakten?

Da scheiden sich die Geister.

Wie will man da überhaupt gescheit auf Stabilität testen, ECC korrigiert doch Speicherfehler.

Das ist eben ein Argument gerade dafür, ECC RAM zum übertakten zu nutzen. Man ist nicht nur auf Anzeichen eines instabilen Systems oder gar Abstürze angewiesen, sondern bekommt durch das Auftreten von ECC-Fehlermeldungen bereits vorher mit, dass man eine OC Grenze erreicht hat.

 

[emissary42]

oder kommt man nicht darum herum jeden Riegel einzeln mit unterschiedlichen Settings auszuprobieren?

Nein, an den Einzeltests führt kein Weg vorbei (wenn man es richtig machen will).

Allgemein empfiehlt es sich für die Selektierung wenigstens zwei oder besser drei Settings (Messpunkte) zu verwenden. Je mehr Daten man hat, desto genauer lassen sich die Module vergleichen und desto eher kann man Schwächen identifizieren. Den Aufwand sollte man sich natürlich nur dann machen, wenn nicht von vornherein fest steht, welcher Takt und welche Timings das Ziel sind.

Abgesehen davon sind S8B OEM Module relativ grottig. Ich würde bei ECC Modulen eher zu H8D, M8E oder M16B raten, zumindest wenn wie für Cezanne hoher Speichertakt gefragt ist.

 

[ebniv]

Nein, an den Einzeltests führt kein Weg vorbei (wenn man es richtig machen will).

Allgemein empfiehlt es sich für die Selektierung wenigstens zwei oder besser drei Settings (Messpunkte) zu verwenden.

Ok, als Hauptparameter erscheinen mir Takt, Spannung und die Haupttimings. Als zusätzliche Messgröße könnte ich die Temperatur nutzen.
Welcher dieser drei Parameter sollte man für die Selektion variieren?
Die Spannung (1.2V, 1.35V, 1,45V)?
In dem Fall wäre meine Idee einen geschätzten Maximaltakt (entsprechend der Spannung vorher an einem Modul ausgelotet), welcher überall laufen sollte, mit auto Timings nutzen und dann die Temperatur als Indikator für weiteres OC Potenzial der Module verwenden.

Abgesehen davon sind S8B OEM Module relativ grottig. Ich würde bei ECC Modulen eher zu H8D, M8E oder M16B raten

Vielen Dank, dass du das nochmal klargestellt hast! S8B wird auch nur genutzt, weil vorhanden bzw. sehr günstig bezogen und ich aktuell keine mehre Hundert Euro für neuen Ram ausgeben möchte. Daher schaue ich erstmal wie weit ich mit den alten Dingern komme. Jetzt als Neuware für 100€/16GB Riegel sollte man sich das sicher nicht mehr zulegen! Ich werde die anderen Chips für die Zukunft auf jeden Fall im Hinterkopf behalten.

Cezanne hoher Speichertakt

Heißt in diesem Fall ist der der Takt wichtiger als Timings? War mir nicht so bewusst, da muss ich mal weiteres Test durchlesen oder sonst selbst ausloten.

 

[emissary42]

Welcher dieser drei Parameter sollte man für die Selektion variieren? Die Spannung (1.2V, 1.35V, 1,45V)?

Es gibt verschiedene Herangehensweisen, die abhängig vom Zweck der Selektierung sind. Man kann Module, neben dem maximalen Speichertakt oder der Skalierung einzelner Timings nach Spannung, durchaus nach ganz anderen Kriterien selektieren, darunter zum Beispiel die Temperaturtoleranz bei bestimmten Einstellungen (wenn direkte Kühlung nicht möglich/problematisch ist, wie in einem ITX System).

Für Retail S8B könnte man zum Beispiel die benötigte Spannung für einen bestimmten Benchmark mit DDR4-3600/3800/4000 CL14, unter Berücksichtigung der minimalen tRCD, ermitteln.

Modul 1 3600 CL14-13 - 1.39V 3800 CL14-13 - 1.44V 4000 CL14-13 - 1.49V

Modul 2 3600 CL14-13 - 1.40V 3800 CL14-14 - 1.45V 4000 CL14-15 - 1.52V (tRCD 14 - 1.54V)

Modul 3 3600 CL14-14 - 1.40V 3800 CL14-14 - 1.45V 4000 CL14-15 - 1.51V (tRCD 14 - 1.53V)

Modul 4 3600 CL14-13 - 1.40V 3800 CL14-14 - 1.45V 4000 CL14-14 - 1.51V (tRCD 13 - 1.53V)

Obwohl alle Module bei DDR4-3600 sehr nach beieinander liegen, ergibt sich daraus: Modul 1 > Modul 4 > Modul...

Heißt in diesem Fall ist der der Takt wichtiger als Timings?

Das ist die Regel, innerhalb gewisser Grenzen. Schau mal im Cezanne Benchmarkthread vorbei:

[User-Review] - AMD Cezanne Bench und Laberthread (5700G/5600G/5300G)

C E Z A N N E AMD Ryzen 7 5700G/5600G/5300G WWW Reviews | Geekbench 5 Competition | Q&A | Performance Optimierung Technische Daten 5700G 5700GE 4700G 5600G 5600GE 4600G 5300G 5300GE 4300G Kerne/Threads 8/16 8/16 8/16 6/12 6/12 6/12 4/8 4/8 4/8 Basistakt 3.80GHz 3.20GHz 3.60GHz 3.90GHz...

www.hardwareluxx.de

 

[Mr.Mito]

Ist es überhaupt sinnvoll ECC Speicher zu übertakten?
Wie will man da überhaupt gescheit auf Stabilität testen, ECC korrigiert doch Speicherfehler.

Das geht mit ECC Speicher, sofern dieser die Fehler ans OS durchmeldet (Stichwort PFEH bei Ryzen ...), sogar "leichter" und besser, als mit normalem Speicher. Zudem kann man ECC fürs grobe vortesten auch einfach abschalten.
Ohne PFEH ist ECC in meinen Augen in einer Ryzen Workstation so oder so kompletter Mist, denn was bringt mir ECC, wenn ich ggf. auftretende Fehler nicht gemeldet bekomme?


@ebniv:

Ich habe deine PM gesehen und wollte gestern eigentlich noch auf deinen anderen (nun leider gelöschten) Post antworten. Ging dann irgendwie unter.
Entscheidend sind vor allem die verbauten ICs. Auf die gemeldeten Temperaturen würde ich nichts geben. Das ist ein kleiner Temp IC auf dem PCB. Ich wüsste wirklich nicht, wieso gleiche Riegel, bei gleicher Spannung 10°C Differenz haben sollten. Wenn es wirklich die gleichen DRAM ICs sind, würde ich mal schauen ob Samsung zwischenzeitlich den Temp IC wechselte oder mit IR Thermometer selbst nachmessen.

Bezüglich Selektion habe ich das bei meinen S8B ECC recht pragmatisch gehalten. Ich habe mit einem Einzelstick grob den Sweetspot bei ~1,35V mit "scharfen" Timings ausgelotet, der einige Zeit (100%) fehlerfrei durch HCI lief. (C14 ging da schon nicht mehr)
Dann einfach Stick für Stick rein in die Kiste und HCI angeworfen. Gabs schnell Fehler, Vdimm hoch, gabs bis 20% keine, Vdimm runter bis halt welche kamen.
Gabs trotz mehr Vdimm Fehler (S8B skaliert ja normal mit Spannung) bei den problematischen Subtimings geschaut oder aber den Stick gleich "verworfen", wenn er zu schlecht war.

Was sagen die Erfahrungswerte, welchen Einfluss das Produktionsdatum bzw. die Charge haben? Vermutlich ist es sinnvoll immer möglichst eine Charge, zumindest im Channel, zu haben?

Dazu kann ich nicht wirklich etwas sagen, da ich dafür zu wenige Sticks hatte, aber ich hatte 4 aus gleicher Charge und davon war einer besser, als die restlichen 3.
Ausreißer gibt es also auch innerhalb der gleichen Charge/Kalenderwoche.

Wenn beim testn mal ein Riegel dabei sein sollte, der auch mit sehr wenig Spannung noch fehlerfrei bei den "Testwerten" laufen sollte, lohnt es sich durchaus dort auch mal C14 mit mehr Vdimm zu testen. Es ist halt Glücksspiel. und selbst grobes vorselektieren frisst daher einiges an Zeit. Meine besseren S8B ECC wurden im Luxx verkauft, da PFEH mit Zen3 zu dem Zeitpunkt bei mir nicht ging und ECC somit für mich keinen Sinn machte.
Der Abstand zwischen S8B ECC OEM und S8B "retail" mit gutem bin ist aber sehr, sehr groß. Keiner meiner OEM Sticks schaffte "richtig gute" Werte, also im Vergleich zu guten OC-Kits. S8B wird wirklich sehr heftig vorselektiert.
3200/C16 schafften aber alle. Gute mit ~1,25-1,30V. Schlechte brauchten da schon 1,40V oder gar etwas mehr.

PS:
PFEH = Platform first error handling. Mit Zen3 war es bei mir per default an und zudem mit Standard BIOS nicht abschaltbar. Mit aktiviertem PFEH handelt der Ryzen selbstständig ECC Fehler und meldet diese nicht mehr an das OS. Ohne PFEH würde ich OC mit ECC einfach vergessen, ganz ehrlich.
PFEH mag bei EPYC Sinn machen, aufgrund anderer Möglichkeiten, bei Ryzen ist es einfach bescheuert seitens AMD es per default zu setzen.

Ist zumindest meine Meinung.

EDIT:
Hier noch meine alten Werte vom groben antesten. Vielleicht hilfts dir ja:

Es kann im Übrigen durchaus sein, dass du für den IMC bei gleichem Takt mehr Spannung brauchst, als mit non-ECC Modulen.

 

[Mr.Mito]

Ach, ganz vergessen, auch wenns eigentlich klar sein sollte. Für die HCI Tests musste natürlich ECC abschalten. Oder mit ECC an eben bei deaktiviertem PFEH im Ereignislog nach Fehlern schauen.

Mit Zen1 hab ich fürs OC testen ECC abgeschaltet, mit dann stabilen Werten ECC eben angeschaltet und PFEH deaktiviert. Man kann sich für ECC Fehler im Ereignislog z.B. einfach ein Popupskript schreiben o.Ä. und bekommt dann ECC Fehler sofort gemeldet. Wer gründlich vortestet, sollte aber im Betrieb eigentlich keine bekommen. (Finale HCI Runs sind bei mir ~20h - da hat aber jeder seine eigene Vorgehensweise bei Speicher-OC. Es macht immer Sinn nicht nur mit einem Tool zu testen, sondern z.B. noch mit Karhu oder TM5 und dem extrem Profil gegen zu prüfen. )

Frage am Rande - bietet dein Asus B550 Creator mit dem 5750G PFEH im BIOS als Option an? Ist i.d.R. im AMD CBS zu finden.

 

[ebniv]

Das hier steht immer noch auf meiner Todo mit einem windows OS weiter zu experimentieren. Bisher gab es irgendwie immer Wichtigeres.

Bin seit letztem Jahr auf gut Glück mit 3200MHz, CL 18 und 1.35V stabil unterwegs ohne zu selektieren oder irgendwelche OC Limits auzutesten.

Edit 18.02.2023:
Ergebnisse immer noch mit den wahllosen 4 Modulen:
3400MHz, CL18, 1,35V scheint auch stabil zu laufen, 3400/CL16 definitiv nicht bei der Spannung und 3600 mit laschen TImings bei 1,4V auch gar nicht.

 

[ebniv]

Frage am Rande - bietet dein Asus B550 Creator mit dem 5750G PFEH im BIOS als Option an? Ist i.d.R. im AMD CBS zu finden.

Im BIOS Menü einfach nicht zu finden, auch nicht unter AMD CBS.
Allerdings ist es mit der BIOS Suche zu finden: "Platform First Error Handling" und per default auf Auto.

 

[ebniv]

könnte man zum Beispiel die benötigte Spannung für einen bestimmten Benchmark mit DDR4-3600/3800/4000 CL14, unter Berücksichtigung der minimalen tRCD, ermitteln.

Wie sinnvoll schätzt du für eine sehr grobe Vorselektierung anhand des POST- oder Booterfolgs ein? Hat das schon mal jemand gemacht?
Ich kann leider/ zum Glück aus 14 Modulen selektieren, was dann ganz schön lange dauert wenn ich wirklich alles auf Stabilität prüfe/benchmarke.


1. Bei meinen OEM Chips hätte ich jetzt mit einer Spannung von 1,5V begonnen und diese Stückweise herabgesetzt und geschaut welche Spannung für 3200/3600/3800 MHz zum POST notwendig ist oder es überhaupt mit noch "akzeptablen" Spannungen unter 1,5V möglich ist. Da mir Takt wichtiger als Timings sind bleiben diese auf auto oder konstant entschärft).
3200 gewählt weil das alle Module können sollten, 3600 gewählt weil das angeblich ein Sweet Spot ist welchen ich gerne erreichen würde und 3800 als ambitioniertes Alternativziel welches noch ein FCLK-Verhältnis von 1:1 in den meisten Fällen möglich machen sollte. Alles höhere scheint laut deinen Aussagen und was man sonst so liest sowieso Retail und single rank Kits vorbehalten zu sein.
Final möchte ich auch (gerne deutlich) unter 1,5V bleiben.

Falls sich dort bereits große Differenzen ergeben sollten würde ich allerhöchstens nochmal mal ein oder zwei der "Schlechten" mit einem Benchmark/Stabilitätstest gegen prüfen und nicht alle mehr umfassend testen, einfach weil es zu viele Riegel sind.

2. Schritt zwei wird bei mir noch durchdacht, ich hoffe dass in Schritt ein bereits einige deutlich rausgeflogen sind. Ich gehe aber in die Richtung, dass ich Stresstests mit ECC-on laufen lasse und die geloggten Fehler als Indikator nutze (mit den finalen Settings möchte ich natürlich keine haben). Wie ich diese am besten (unter Windows) ausgebe bin ich noch am recherchieren. Bei Linux sollte das ab Kernel 5.17 (wieder) kein Problem sein.

3. Mit den vielversprechensten Riegeln würde ich dann nochmal die Grenze nach oben ausloten für den Betrieb einzelner Sticks.
(mit mindestens 4 Modulen!)

4. Mit den vielversprechensten Riegeln würde ich dann nochmal die Grenze nach oben ausloten für den Betrieb von zwei Sticks.
(mit mindestens 2 Paaren)

5. Je nach den Ergebnissen von 3 und 4 werden dann die Grenzen für ein Setting von 4 Sticks ausgelotet.

(6. Schitt 3, 4, 5 je nach Motivativation und Aussicht auf bessere Ergebnisse mit anderen Kombinationen wiederholen)

 

[emissary42]

Nur um das klar zu stellen: Persönlich würde ich diesen Aufwand für OEM S8B überhaupt nicht (mehr) betreiben.

Andererseits möchte ich dir nicht vorschreiben wie du zu binnen hast. Meine Vorgehensweise ist generell eine völlig andere, was für dich jedoch nicht unbedingt relevant sein sollte. Denn in der Regel teste ich um entweder die Eigenschaften eines DRAM Typs zu verstehen (sehr komplex & enormer Aufwand) oder um Module für ganz bestimmte Einstellungen zu selektieren (sehr simpel).

Generelle Tips:

• Stelle sicher, dass du die passenden Einstellungen für dein System und den angepeilten Frequenzbereich kennst (sekundäre Spannungen, Widerstände etc).
• Es ist nicht gesagt, dass OEM Module überhaupt stabil mit 1.5V funktionieren. Also starte bei der Ermittlung der maximalen Frequenz ggf. mit weniger Spannung und notfalls höheren Timings.
• Auch wenn dir die Timings unwichtig sind, teste die Module nach Priorität auf die tatsächlich benötigte Spannung für bestimmte Timings oder die minimalen Timings bei einer bestimmten Spannung. Dabei wird es eher relevante Unterschiede geben, als bei der maximal-bootbaren Frequenz. Es ist sogar möglich, dass alle Module PCB-bedingt bei der selben Frequenz aussteigen.
• Kühle die Module beim Binning direkt mit einem Lüfter. Du willst optimale Ergebnisse und kannst später immer noch prüfen, ob die aktive Kühlung für deine Einstellungen tatsächlich notwendig ist.

 

[ebniv]

Nur um das klar zu stellen: Persönlich würde ich diesen Aufwand für OEM S8B überhaupt nicht (mehr) betreiben.

Vielen Dank für deine ehrliche Meinung und Einschätzung.

Meine Motivation ist auch eher bedarfsgetrieben (eher knappes Budget) und dem (unbegründeten) Wunsch nach ECC. Bei den zuletzt sehr stark fallenden Preisen für gebrauchte DIMMs habe ich aber auch schon überlegt dort zuzuschlagen, das "Hirngespinst" ECC über Bord zu werfen und mich doch nicht tiefergehend mit der Kunst des Ram OC zu beschäftigen. Oder vielleicht mit jemandem zu tauschen, welcher seinen alten Desktop rauswirft und dem Homesever noch ein Upgrade spendieren will.

Eins habe ich aber auf jeden Fall schon jetzt gelernt: Auch sehr lahm zertifizierter RAM kann durch simples OC beachtlich beschleunigt werden (2133 CL15 1,2V -> 3200 CL 18 1,35V).

Ich finde den Abstand zu "fertig" im Handel erhältlichen alternativen auch nicht so groß:
- MPL4E320NF16G18 von Mushkin (3200 CL22 1,2V)
- MRC4E360GKKP16GX2 (3600MHz CL16, aber höhere Subtimings, 1,4V)
- Nachteil: beides single rank

Daraus ergibt sich die Frage, welchen nennenswerten Vorteil andere ECC DIMMs bieten, welche man mit etwas tweaking und meinen lausigen OEM DIMMs und Selektion nicht vielleicht auch ausgleichen könnte.


Eigentlich ist für mich auch eine offene Frage, welche durch die Selektion beantwortet werden soll: Gibt es überhaupt eine nennenswerte Qualitätsstreuung der Module/Chips? Oder wie du schon gemutmaßt hast,

dass alle Module PCB-bedingt bei der selben Frequenz aussteigen.

Edit:
Gerade einen Test über ähnliche non-ECC Mushkins gefunden: "In terms of frequency and timing adjustments, there just wasn’t much headroom."
Edit2:
Eventuell sind die Muskins doch etwas besser, es bleibt aber single rank.

 

[ebniv]

Auf die gemeldeten Temperaturen würde ich nichts geben. Das ist ein kleiner Temp IC auf dem PCB.

Das heißt, dass es eine Temperatur mehr oder weniger "zufällig" irgendwo auf dem PCB ist (und damit kaum eine Aussage zur Wärmeentwicklung einzelner Chips liefert) und vielleicht sogar noch unterschiedliche Modelle oder Kalibrierungen von ICs auf den unterschiedlichen Chragen der Riegel angebracht sind?

 

[emissary42]

MRC4E360GKKP16GX2 (3600MHz CL16, aber höhere Subtimings, 1,4V)
- Nachteil: beides single rank

An deiner Stelle wäre das meine Wahl (2x). Bei zwei Kits und vier Modulen spielt der Aufbau ohnehin keine Rolle, weil das Rank Interleaving dann trotzdem aktiv ist (2RpC).

Das heißt, dass es eine Temperatur mehr oder weniger "zufällig" irgendwo auf dem PCB ist (und damit kaum eine Aussage zur Wärmeentwicklung einzelner Chips liefert) und vielleicht sogar noch unterschiedliche Modelle oder Kalibrierungen von ICs auf den unterschiedlichen Chragen der Riegel angebracht sind?

Bei UDIMM ist der einzelne DIMM_TS in der Regel die Oberflächentemperatur des PCB am Firmware-Hub.

 

[ebniv]

Bei zwei Kits und vier Modulen spielt der Aufbau ohnehin keine Rolle, weil du das Rank Interleaving dann trotzdem aktiv ist (2RpC).

Interessanter Aspekt, dass auch mit vier single rank Modulen ein dual rank betrieb möglich ist. Bei 4 Modulen würde man wohl noch einen Quad Rank Dual Channel Betrieb hingenommen, welcher sich jedoch nicht wesentlich von Dual Rank Dual Channel unterscheidet. https://www.igorslab.de/en/performa...in-theory-and-practice-with-cyberpunk-2077/3/

das meine Wahl (2x)

Wäre mir Geld egal würde ich das auch einfach mal testen. Zum jetzigen Zeitpunkt aber nochmal knapp 400€ auf 64GB DDR4 zu werfen fühlt sich irgendwie auch nicht so sinnvoll an 😅

 

[emissary42]

Wenn du auf Tray-weise OEM Modulen herumsitzt, dann hätte ich die verkauft und mir damit den Kauf der beiden Retail Kits refinanziert. Als Bonus sparst du dir den ganzen Binning-Aufwand und hast ein immerhin solides XMP.

 

[ebniv]

Wenn du auf Tray-weise OEM Modulen herumsitzt, dann hätte ich die verkauft und mir damit den Kauf der beiden Retail Kits refinanziert. Als Bonus sparst du dir den ganzen Binning-Aufwand und hast ein immerhin solides XMP.

So viele sind es nun auch wieder nicht (10 und 4 davon brauche ich noch für einen anderen Computer)

Werde mich jetzt mit zunächst 3400 MHz, CL 18 und 1,35V zufrieden geben und bei Gelegenheit weiter tweaken. 3600 lief mit meinen 4 nicht gebinnten Modulen und losen Timings auch nicht mit 1,5V. FCLK ging bis 1900MHz.
Die restlichen OEM S8Bs werden verkauft und parallel behalte ich den Gebrauchtmarkt mal im Auge, vielleicht veräußert ja mal wer die Mushkins . 400€ für 64 GB sind mir einfach zu viel, neu hin oder her.

Kingston Server Premier DIMM 16GB, DDR4-3200, CL22-22-22, ECC (KSM32ED8/16HD) werde ich demnächst testen können. (SK hynix D-Die, DJR), wie schätzt du diese ein? Ich habe ja die Hoffnung, dass sie zumindest etwas mehr Potenzial als die OEM S8B haben.

Wie schätzt du Mustang ServerLine DIMM 16GB, DDR4-2666, CL19, ECC (M92G72261908NDT-S). Auf den Produktfotos sieht es ja nach Samsung B-Die aus (https://i.ebayimg.com/images/g/jtQAAOSwdw9gk-dj/s-l1600.jpg), aber ob die den OEM Modulen etwas vorraus haben? 😅
Die einzige unbeantwortete Frage im Forum habe ich dort gefunden:

Hat schon Jemand Erfahrung mit Mustang Speicher gesammelt - wären deutlich günstiger - die Frage ist halt, warum?!

 

[emissary42]

KSM32ED8/16HD werde ich demnächst testen können. (SK hynix D-Die, DJR), wie schätzt du diese ein?

Damit wirst du sicherlich eher glücklich, vor allem was den Takt angeht. Sie gehörten ja auch zu meiner ursprünglichen Empfehlung aus #4.

Wie schätzt du M92G72261908NDT-S. Auf den Produktfotos sieht es ja nach Samsung B-Die aus, aber ob die den OEM Modulen etwas vorraus haben?

Würde die Finger davon lassen. Günstige S8B on 3rd Module sind praktisch das Gegenteil von gut gebinnten Retail Kits.

 

[ebniv]

Damit wirst du sicherlich eher glücklich, vor allem was den Takt angeht. Sie gehörten ja auch zu meiner ursprünglichen Empfehlung aus #4.

Ohh Tatsächlich. Ich hatte immer nach den Bezeichungen gesucht und wurde mäßig fündig. Ich glaube ich habe gerade eine Erkenntnis, handelt es sich um Abkürzungen?

S8B OEM Module relativ grottig. Ich würde bei ECC Modulen eher zu H8D, M8E oder M16B

Erster Buchstabe für den Hersteller, die Zahl für die Größe und der letzte Buchstabe für den konkreten Chip?

 

[emissary42]

DRAM Hersteller | Speicherdichte (in Gbit) | Die Revision = Hynix 8Gbit D-Die (DJR) = H8D

 

[ebniv]

Damit wirst du sicherlich eher glücklich, vor allem was den Takt angeht.

Der erste Eindruck von den Kingston ist nicht so berauschend, mich wundert es, dass der Ram so gar nicht reagiert. Auf auto bootet alles wunderbar mit stock Settings (3200MHz CL 22, 1,2V).
Alles andere kommt beim Schnelltest (timings auf auto) bisher nicht zum Boot:
3400MHz 1,2V, 1,25V, 1,35V, 1,45V
3600MHz 1,35V, 1,45V

Kann es notwendig sein alle Timings festzunageln und manuell einzustellen? Vielleicht versucht das Mainboard bei "auto"-Setting diese weiter als CL22 zu lockern, aber der Ram kommt damit nicht klar?

Was mir im Weiteren aufgefallen ist, ist dass eines der Module aus Taiwan ist und einen anderen PCB Farbton hat. Auf allen anderen steht Assembly in China.

Da haben sich die Samsungs mit 3400MHz, CL18, 1,35V auf Anhieb besser geschlagen.
Komme wohl nicht drum herum die die Kingston nochmal einzeln zu testen, vielleicht habe ich ja einfach nur Pech mit einem Modul.
Jetzt sehe ich mich irgendwie doch schon wieder am S8B selektieren oder eben mit dem "langsamen" Ram zufriedengeben.

Update:
Mittlerweile reagieren die Kingston (H8D) zumindest etwas im detaillierteren Schnelltest (Timings noch lasch):
1,2V: 3266, 3333 MHz erfolgreich
1,3V: 3466, 3533 MHz erfolgreich.
3400 MHz geht genrell nicht, 3600 MHz und höher gehen vorerst auch noch nicht, auch nicht mit höherer Spannung. Ich habe dabei in einem zweiten Versuch auch nochmal nach dem Ryzen OC Guide darauf geachtet, dass bestimmte kritische Subtimings vom Mainboard "auto" nicht weiter angezogen werden können.

 

[ebniv]

MRC4E360GKKP16GX2 (3600MHz CL16, aber höhere Subtimings, 1,4V)
- Nachteil: beides single rank

An deiner Stelle wäre das meine Wahl (2x). Bei zwei Kits und vier Modulen spielt der Aufbau ohnehin keine Rolle, weil das Rank Interleaving dann trotzdem aktiv ist (2RpC).

Ups, ich merke gerade dass ich vor zwei Jahren fast zwei identische Threads erstellt hatte
Wie dem auch sei, die zitierten Module haben jetzt doch noch ihren Weg zu mir über die Bucht gefunden und es scheint, als ob sie out of the box ohne Probleme (memtest) laufen:

Erfolg?	Anmerkung	Frequenz	Spannung	CAS	tRCD	tRP	tRAS	Gear-Down-Mode	FCLK
boot	D.O.C.P.	3600​	1,4​	16​	19​	19​	39​	enabled	2200​
memtest berichtet Fehler, BIOS ok	D.O.C.P., memtest	3800​	1,4​	16​	19​	19​	39​	enabled	1900​
memtest ok	D.O.C.P., memtest	3600​	1,4​	16​	19​	19​	39​	enabled	1800​

Ich belasse es dann erstmal so und schaue bei Gelegenheit ob ich die Spannung noch etwas Absenken kann oder doch noch den Takt höher bekomme. 3600CL16 ist auf jeden Fall schon mal deutlich fixer als die alten 3200CL22.