Ich schätze der Ram wird dann als flexible RAM-Disk eingespannt - wie verhällt sich diese RAPID Option mit anderen Software RAM-Disk Programmen zb Starwind etc. würde es da Treiber Probleme oder ähnliches geben ?
Diese RAPID Option finde ich total uninteressant, da die nur auf Kosten des RAMs geht und auch nicht wirklich in allen Lage eine bessere Performance liefert. Zudem erhöht sich das Risiko von Datenverlust durch Stromausfall dadurch ungemein, denn solange die Daten im RAM sind, gehen sie bei einem Stromausfall garantiert verloren.
Ansich ist die SSD echt fein, jetzt muss es nur noch eine Pro mit den Features etc. geben und gut ^^ (Da ich langfristig kaufe sind mir 5 Jahre Garantie wichtig.)
Das ist doch auch totaler Unsinn. In 3 Jahren wirst Du wohl für das Geld eine 4mal so große und viel schnellere (weil SATA Express) SSD bekommen, dann wirst Du die 840er Pro irgendwo in die Ecke legen oder einen Bruchteil des Mehrpreises den Du gegenüber der Evo bezahlt hast, verkaufen. 3 Jahre Garantie sind genug, alles darüber ist es nicht wert dafür Geld auszugeben. Schau Dir doch an wie alt die SSD von den Leuten sind, die hier um Forum wegen eines Updates der SSD anfragen, die sind fast alle noch keine 3 Jahre alt.
Das war auch das erste, was ich gedacht habe.
Ja, aber wer sagt denn, dass Samsung nicht immer wieder andere TLC Bereiche als Cache verwendet? SanDisk hat das 2011 bei seiner Vorstellung von Pseudo-SLC (nCache) ja auch so beschrieben:
Man kann also das Toshiba 19nm MLC blockweise zwischen den MLC und dem Pseudo-SLC Modus umschalten und so dürfte es auch bei dem Samsung TLC sein, denn es gibt ja keine Extra TLC Bausteine und die NANDs auf den Boards sind alle gleich. Da wird also auch nur ein bestimmter Bereich in den SLC Modus geschaltet und als TurboCache verwendet.
Samsung hat offenbar bei keinem anderen Reviewer irgendeine Aussage zur Zyklenfestigkeit der NANDs gemacht, weder für die TLCs die 3 Bits speicher noch für die als Pseuo-SLC genutzten und es gibt auch keine solche Aussage für die 21nm MLC in der 840 Pro. Wenn die 50.000 Zyklen stimmen, dann wärde das bei der 120GB ja noch passend, wenn da immer die gleichen NAND Bereiche als TurboCache verwendet werden, denn die TLC NANDs dürfte so um die 1000 Zyklen garantiert haben, bei 3GB TurboCache und 120GB Kapazität macht das also 1:40 und 50.000 Zyklen für den Cache reichen. Bei der 250GB Evo sind es aber auch nur 6GB TurboCache, also 1:83 (wie auch bei allen anderen Evos) und damit wären die Zyklen des TurboCache verbraucht, wenn die NAND nur knapp über die Hälfte ihrer garantierten Zyklen verschliessen haben.
Anandtech hat seinen
Review der 840 Evo auch online, der ist sehr lesenswert und er kommt da auch zu dem Schluss, dass die Haltbarkeit nicht das Problem sein dürfte, solange man die Evo nicht für schreibintensive Serveranwendungen einsetzen möchte, wofür sie ja auch nicht gedacht ist.
---------- Post added at 18:56 ---------- Previous post was at 18:45 ----------
guru3d hat übrigens im Test der Evo immer eine SanDisk Extreme II
I also Vergleich, dabei haben sie auch nur die gerade erst erschiene
Extreme II getestet. Das zeigt mit welcher Gewissenhaftigkeit da zu Werke gegangen wurde
---------- Post added at 21:08 ---------- Previous post was at 18:56 ----------
Im
Test bei tomshardware.de steht dazu folgendes:
SLC-Cache: nicht neu, aber sinnvoll
Wir wollen nicht unterschlagen, dass auch andere Architekturen wie die Extreme II von SanDisk oder auch Toshiba-Modelle bereits auf SLC-like Cache setzen. Samsung ist in diesem Fall also keinesfalls ein Innovator. Allerdings ist die Implementierung bewusst anders gewählt. Auf den ersten Blick wäre es am sinnvollsten, mit nur einem Bit beschriebene Speicherzellen über alle Speicherchips rotieren zu lassen. Das wäre ähnlich wie die Verteilung von XOR-/Paritätsdaten in einem RAID 5 und würde eine gleichmäßige Abnutzung ermöglichen. Samsung hat den Cache jedoch pro Chip als festen Bereich festgepinnt, d.h. dass immer die gleichen Bereiche im SLC-Verfahren als Cache genutzt werden.
Der Hintergrund ist Performance, denn bei rotierenden SLC-Bereichen wäre diese nicht zuverlässig reproduzierbar. Nachteilig erscheint die erhöhte Abnutzung, wobei die Anzahl an P/E-Zyklen (Lösch- und Schreibzyklen) im SLC-Verfahren auf Samsungs 19 nm TLC-NAND die gleiche Haltbarkeit erreichen soll wie "echter" SLC-Speicher. Dies bedeutet laut Samsung-Ingenieuren in der Praxis bis zu 30.000 Schreibzyklen gegenüber angenommenen 1000 bei TLC-Flash (wobei die Praxis zeigt, dass 3000 Zyklen und mehr die Regel sind).
Haltbarkeitsüberlegungen
Es steht also die deutliche größere Belastbarkeit des NAND Flash bei Verwendung im 1-Bit-Verfahren als SLC-Speicher gegenüber der trotzdem notwendigen Verlagerung der Daten in den 3-Bit MLC-Speicherbereich. Alle Schreibdaten werden somit - Verwendung des TurboWrite angenommen - meist doppelt geschrieben. Für den SLC-Bereich kann eine zehn Mal höhere Lebensdauer angenommen werden. Für den TLC-Speicherbereich ändert sich dagegen nichts. Diese Aussage ist am Ende wichtig, denn der TurboWrite funktioniert als Cache transparent. Auch ohne diesen (ließ: sollte er defekt sein) soll die 840 EVO einwandfrei funktionieren.
Demnach ist es also immer der gleiche Bereich und die dort werden nur 30.000 Zyklen genannt. Das würde bedeuten, dass der TurboCache vermutlich irgendwann verschliessen ist und dann nur noch die normale Schreibrate zur Verfügung steht. Das ist zwar nicht optimal, aber besser als wenn die ganze SSD dann ausfallen würde.
