Samsung SSD 970 EVO Plus 2TB, M.2

[The Master of Desaster]

Habe ja die Samsung SSD 970 EVO Plus 2TB, M.2

die wird ja mit Lesen 3500MB/s und Schreiben 3300MB/s, SLC-Cached (1750MB/s TLC) angegeben.

Diese Werte erreiche ich aber nicht, warum auch immer.

Board MSi X570 Tomahawk

SSD steckt im unteren Slot welcher ja reichen müsste da die Samsung SSD 970 EVO Plus 2TB, M.2 ja nur ( PCIe 3.0 x4 ) ist.



Hat jemand eine Idee ?

Weil beim Schreiben rund 500 MB weniger ist schon schmerzhaft, wobei man ein vernünftiges Board hat und die SSD da drinsteckt wo sie drinstecken sollte also man alle Anforderungen erfüllt.

Danke für Infos und Hilfe.

 

[massaker]

Also ganz dramatisch ist es hier nicht. Bedenke: im unteren Slot betreibst Du sie über den Chipsatz, wenn die Lanes zusätzlich durch viel Peripherie belastet sind, dann ist Verlust von einigen %% Leistung quasi normal. DA habe ich durchaus schon bei der 970Evo+ 3300/3100 Read/Write gesehen... Nun Leseleistung ist bei dir schon fast normal, minimal zu schwach. Schreibleistung ist aber mindestens 300MB/s, also nochmals gute 10% drunter. Es kann aber sein, dass Du die SSD vor kurzem belastet hast und sie hat ihren pSLC-Cache nicht ganz wiederhergestellt. Und außerdem testest Du mit 4GB-Testfile-Größe, da ist der zusätzliche Einbruch bei der Schreibleistung fast schon normal - stell mal 64GB und da siehst Du noch ein stärkeren Einbruch, vor allem beim Schreiben - da bleiben wohl maximal die besagten 1750 MB/s übrig.
Hast Du die Samsung's NVMe-Treiber installiert? Was sagt Magician? Firmware aktuell? Dann lass doch zusätzlich im Explorer "Optimierung" (Eigenschaften->Tools->Optimieren) durchlaufen (nebenbei prüfen ob "Schreibcache auf dem Gerät aktivieren" und "Bessere Leistung" aktiv sind!). Danach lass sie etwas ausruhen, so 10-15 Minuten idlen und lass dann den Benchmark nochmal durchlaufen. (CDM8 komplett und AS-SSD wäre auch mal nett, hast Du doch auch installiert, wie ich sehe).

 

[MoBo 01/04]

Die maximale seq. Schreibleistung wird nur erreicht, wenn mehrere Zugriffe auf das NAND-Flash gleichzeitig ausgeführt werden. Sofern die Anzahl der Threads, wie im obigen Screenshot, auf eins (T1) gesetzt ist, werden alle NAND-Zugriffe nacheinander ausgeführt. Dabei erreichen manche SSD, die schneller als 2GB/s schreiben, nicht die volle Leistung. Dies ist neben der fehlerhaften Messung der Zugriffszeit ein weiterer Grund, warum ASS-SSD nicht mehr für Tests aktueller SSD herangezogen werden sollte. In CDM kann man in den Settings die Anzahl der Threads festlegen.

Das Defizit bei der seq. Leseleistung könnte auch daran liegen, dass das SSD als OS-Laufwerk fungiert. Das OS im Hintergrund kostet immer etwas Performance in Benchmarks.

 

[The Master of Desaster]

Mag alles sein aber komisch, wenn ich die SSD im obigen Steckplatz stecke, habe ich Schreibleistung 3219 das sind über 400 MB/s mehr.

Dürfte ja eigentlich nicht sein, weil ist ja keine PCiE 4.0 SSD.

Ich habe doch Crystal Disk Mark genommen ( CDM )

Wo kann man denn die Anzahl der Threads festlegen und welche Einstellungen sollte man denn überhaupt nehmen.

Wo kann ich sehen welche Firmware drauf ist und wo oder wie bekomme ich denn eine neue Firmware auf die SSD.

 

[MoBo 01/04]

Die Firmwarerevision kann sich z. B. mit Chrystal Disk Info anzeigen lassen. Die Anzahl der Threads und der Queues stellt man in CDM unter Settings ein. Für die Messungen der sequenziellen Leistung empfiehlt es sich, bei leistungstarken SSD T und Q mindestens auf 4 zu setzen. Diese Einstellungen sind aber nur für den Benchmark relevant. Mit welchem T und welchem Q Anwendungen auf das SSD zugreifen, kann man i.d.R. nicht beeinflussen.

Eigentlich sollten die beiden M2-Slots deines Boards ähnliche Performance bieten. Allerdings ist AMD in Bezug auf die Storageperformance immer für Überraschungen gut. Wenns im zweiten Slot partout langsamer ist, dann nimm den ersten.

 

[The Master of Desaster]

Nein im ersten kommt eine PCiE 4.0

 

[massaker]

Mag alles sein aber komisch, wenn ich die SSD im obigen Steckplatz stecke, habe ich Schreibleistung 3219 das sind über 400 MB/s mehr.

Dann ist Deine Suche hier zu Ende. 3219 MB/s ist ein sehr guter Wert für Schreibleistung WENN auf der Nachbar-Partition dein OS mitläuft und zusätzlich im Hintergrund dazwischenfunkt.
5% weniger über die Chipsatz-Lanes sind schon ganz normal, Du hast nun mal 13% weniger - keine Katastrophe, liegt wohl an der anderen Peripherie, die den Chipsatz zusätzlich belastet. Manchmal liegt es am OC, wo man dem Chipsatz nicht genug Spannung zusätzlich gegönnt hat, manchmal am Bios oder diversen Energiespareinstellungen.

Dürfte ja eigentlich nicht sein, weil ist ja keine PCiE 4.0 SSD.

Das dürfte keine Rolle spielen. Ja. neuerdings verlor WD850 prozentuell noch viel mehr Leistung über Chipsatz-Lanes - am PCIe4.0 merkt man es halt etwas deutlicher, gewisse prozentuelle Verluste gab es auch am PCIe3.0 schon immer.

Die maximale seq. Schreibleistung wird nur erreicht, wenn mehrere Zugriffe auf das NAND-Flash gleichzeitig ausgeführt werden. Sofern die Anzahl der Threads, wie im obigen Screenshot, auf eins (T1) gesetzt ist, werden alle NAND-Zugriffe nacheinander ausgeführt. Dabei erreichen manche SSD, die schneller als 2GB/s schreiben, nicht die volle Leistung. Dies ist neben der fehlerhaften Messung der Zugriffszeit ein weiterer Grund, warum ASS-SSD nicht mehr für Tests aktueller SSD herangezogen werden sollte.

Ich habe doch Crystal Disk Mark genommen ( CDM )

@MoBo 01/04 das ist alles korrekt, was Du schreibst, nur verstehe ich nicht, was das mit dem (CDM8!)-Problem des Fragestellers zu tun hat. Wenn das die Kritik an meinem Vorschlag zusätzlich AS-SSD-Screen zu posten sein soll - Ja, ich weiß, wie As-SSD misst und habe eine große Vergleichs-Basis, so dass ich mich gut orientieren kann und die Werte einordnen, außerdem gibt uns ein AS-SSD-Screenshot sofort viele Infos, wie "benutzte Firmware", "Treiber" und ob der Offset richtig ist. Außerdem heißt es AS-SSD und nicht ASS-SSD (AS bedeutet Alexej Schepeljanski, ASS ist wiederum schon was ganz anderes ;-))
@The Master of Desaster : na dann hast ja schon alles richtig gemacht. Aber trotzdem mal den Benchmark komplett durchlaufen lassen.

Wo kann man denn die Anzahl der Threads festlegen und welche Einstellungen sollte man denn überhaupt nehmen.

Wo kann ich sehen welche Firmware drauf ist und wo oder wie bekomme ich denn eine neue Firmware auf die SSD.

Vergiss die Einstellungen, wenn mit den gleichen Einstellungen (auch 5x 4GB?) an den CPU-Lanes 400MB/s mehr rauskommen, dann haben wir je die Klarheit jetzt.
Firmware-Updates und auch viel mehr - alles wird bei Samsung über Magician verwaltet.

 

[The Master of Desaster]

Jo OK also Firmware ist aktuell und Samsung Treiber sind installiert und wird auch in Samsung Magician angezeigt.

Werte sind Identisch mit CDM

 

[MoBo 01/04]

... das ist alles korrekt, was Du schreibst, nur verstehe ich nicht, was das mit dem (CDM8!)-Problem des Fragestellers zu tun hat. Wenn das die Kritik an meinem Vorschlag zusätzlich AS-SSD-Screen zu posten sein soll - Ja, ich weiß, wie As-SSD misst und habe eine große Vergleichs-Basis, so dass ich mich gut orientieren kann und die Werte einordnen, außerdem gibt uns ein AS-SSD-Screenshot sofort viele Infos, wie "benutzte Firmware", "Treiber" und ob der Offset richtig ist. Außerdem heißt es AS-SSD und nicht ASS-SSD (AS bedeutet Alexej Schepeljanski, ASS ist wiederum schon was ganz anderes ;-))

Wenn CDM so eingestellt ist, dass sequenzielle Zugriffe nicht hinreichend parallel ausgeführt werden, wird bei schnelleren SSD i.d.R. nicht die spezifizierte max. sequenzielle Schreibleistung erzielt. Durch die nachgereichte Info, dass im ersten M2-Slot höhere Leistung erzielt wird, ist eine entsprechendes Problem in diesem Fall aber auszuschließen.
Wäre nur mit AS-SSD gebencht worden, wäre die seq. Minderleistung überhaupt nicht aufgefallen, da dort nur Q1T1 -Zugriffe erfolgen. Damit schreibt eine 970evo bestenfalls mit 2,7GB/s.

 

[massaker]

Wenn CDM so eingestellt ist, dass sequenzielle Zugriffe nicht hinreichend parallel ausgeführt werden, wird bei schnelleren SSD i.d.R. nicht die spezifizierte max. sequenzielle Schreibleistung erzielt. Durch die nachgereichte Info, dass im ersten M2-Slot höhere Leistung erzielt wird, ist eine entsprechendes Problem in diesem Fall aber auszuschließen.
Wäre nur mit AS-SSD gebencht worden, wäre die seq. Minderleistung überhaupt nicht aufgefallen, da dort nur Q1T1 -Zugriffe erfolgen. Damit schreibt eine 970evo bestenfalls mit 2,7GB/s.

Ja, das ist mir bewusst, deswegen nur der Vorschlag AS-SSD lediglich zusätzlich zur CDM8 zu benutzen. (zusätzliche Gründe habe ja schon genannt) Minderleistung fällt dann schon auf wenn man genug Vergleichswerte hat. CDM muss man übrigens nicht besonders extra einstellen - es gibt ja auch extra "default-Modus" und "NVMe-SSD-Modus", wobei sogar bei "default" mit 8 Queues gemessen wird - so können die Hersteller schön mit den Spezifikationen glänzen.