Samsung SSD 990 EVO Plus im Test: Samsung macht einen Vorzeichenfehler

Das bedeutet du würdest die Pizza vom Italiener für 1 € immer noch essen, obwohl da schon 10 verschiedene Schimmelarten drauf sind?
Guten Appetit.
Das mit Sicherheit nicht, ist aber ein schlechter vergleich.

Man könnte eher sagen hier wird mit Dosen Gemüse eine Pizza gekocht für den Preis einer Pizza mit frischen Zutaten.

Grundsätzlich ist das schon okay, aber der Preis ist definitiv nicht angemessen.

@thom_cat könnte ihr zufällig eine Tabelle mit den Resultaten aus vergangen Benchmarks inklusiver diesem hier aufstellen?
Sowas wie eine Samsung eigene Chart-Tabelle/Ranking?
 
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Hallo, was wäre denn eurer Meinung was aktuell die beste SSD zum Preis einer 980 Pro (160€ FÜR 2TB) ist? Wäre die 990 Pro eine gute Wahl oder gibt es noch bessere Alternativen? Soll ich mir um PCIe Gedanken machen oder ist das noch zu teuer bei diesem Preis?
 
@T0bias

Mit einer 990 pro machst du definitiv nix falsch
 
Für gen5 SSDs geht zur Zeit kein Weg an Crucial vorbei ...
Crucial ist für mich verbrannt, seit ich die P3 im Rechner hatte. Eine derart langsame SSD hatte ich nie zuvor (auch nicht als SATA!) und werde sie hoffentlich auch nie wieder haben. Die Schreibrate brach alle paar Sekunden auf Null zusammen, und die 4TB-SSD war schließlich erst nach 5 Stunden einmal voll. Die als Ersatz angeschaffte "Billig"-SSD von Lexar brachte das in 55 Minuten zuwege....
 
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Wenn du mit "billig" die Lexar NM790 meinst, die und deren baugleichen Produkte anderer chinesischer Marken sollte man schon ernst nehmen und sind alles andere als billig oder minderwertig.
Auf den asiatischen Halbleitermarkt, gerade Korea und China, ist sehr viel in Bewegung. Da sprießen StartUps wie Pilze aus den Boden und viele von denen sind gekommen um zu bleiben.
Siehe zb. Numemory (Geschäftseinheit von XT) mit ihren 64Gbit SCM Chip der Zitat: "..der gescheiterten Optane-Speichertechnologie von Intel und Micron bemerkenswert ähnlich ist.", dabei aber weiter entwickelt wurde und 10x schneller als üblicher NAND ist und dabei eine 5x höhere Lebensdauer besitzt. Alleine das Unternehmen hat schon 273 Patente, davon 60 internationale und deren Produkte werden so ernst genommen, das:
Wir können uns auch darauf freuen, dass taiwanesische und koreanische Halbleiterunternehmen, sowie Ingenieure aller führenden DRAM- und SSD-Anbieter, die Patente von Xincun Technology durchforsten um herauszufinden, ob die SCM Technologie von Numemory irgendwie reproduziert werden kann und ob sie möglicherweise dort Erfolg haben kann, wo Intel und Micron gescheitert sind.
..und genau so verhält es sich mit Hybrid Bonding, dass Samsung & Co. demnächst von YMTC abkupfern möchten und sich garantiert massig Klagen (ähnlich Micron) damit einhandeln werden.

Das hinterläßt schon den Eindruck, als ob sich (noch) renomierte Unternehmen am Halbleitermarkt mittlerweile dazu gezwungen sehen und um Kosten für Forschung & Entwicklung einzusparen, wohl eher mittlerweile bei den Chinesen abkupfern als anders herum, weil die sonst damit rechnen müssen in nicht ferner Zukunft immer mehr Marktanteile zu verlieren (ASML zb. hat 2023 schlappe 89% seiner Umsätze am asiatischen Markt gemacht und wäre ohne diesen faktisch pleite).
 
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HMB wird die Zukunft im SSD Segment. DRAM_cached SSD ist ein sterbender Markt, zu teuer und wird demnächst zb. den Enterprise Segment vorbehalten sein. 8TB HMB werden nächstes Jahr einige kommen aus CN.
Obwohl ich den V8_NAND der EVO+ schon als sehr fortschrittlich halte (kommt sehr nahe an den Yangtze heran) denke ich, wird sich Samsung den in Zukunft in der Form nicht mehr leisten können.
Der NAND ist in der Herstellung/Bestückung schlicht zu teuer (der V7 NAND der 990Pro kostet schon, gerechnet auf 1Mio. Units, bei 4TB Kapazität (ohne Bestückungskosten) $166,16 USD) daher der Blick nach YMTC.
 
Crucial ist für mich verbrannt, seit ich die P3 im Rechner hatte. Eine derart langsame SSD hatte ich nie zuvor (auch nicht als SATA!)
Das liegt aber nicht an Crucial selber, sondern am SSD-Modell. Mit der P3 hast Du Dir eine Dram-less SSDs mit QLC-Flash "eingefangen". Das diese nicht gut performt bei Last, ist daher klar.
Bei anderen ähnlichen, Kingston NV1 oderNV2, würdest Du ins gleiche Problem laufen. Hands off von QLC, und bei hoher Belastung auch von Dram-less TLC, und Du wirst nicht in solche Probleme laufen.

Die T700 und T705 sind da ganz ganz andere Kaliber. Top-Performer für "Over the top" Preis.
 
HMB wird die Zukunft im SSD Segment. DRAM_cached SSD ist ein sterbender Markt, zu teuer und wird demnächst zb. den Enterprise Segment vorbehalten sein. 8TB HMB werden nächstes Jahr einige kommen aus CN.
Obwohl ich den V8_NAND der EVO+ schon als sehr fortschrittlich halte (kommt sehr nahe an den Yangtze heran) denke ich, wird sich Samsung den in Zukunft in der Form nicht mehr leisten können.
Der NAND ist in der Herstellung/Bestückung schlicht zu teuer (der V7 NAND der 990Pro kostet schon, gerechnet auf 1Mio. Units, bei 4TB Kapazität (ohne Bestückungskosten) $166,16 USD) daher der Blick nach YMTC.
Wunder mich das man nur SSDs scheinbar mit DRAM Cache belegt hat, was ist mit HBM Speicher eigentlich?
 
Da habe ich ja schon was zu geschrieben bzgl. zb. Numemory und dessen NM101 der inländisch wohl bald mit Anfangs erst einmal 10k Units jährlich für die eigene Industrie an den Start gehen soll (so wie halt YMTCs erste Xtacking4 NAND SSD Black Myth nur für den CN Markt zu Verfügung steht und dort von TechInsights entdeckt und analysiert wurde).

Erfindungspatentanmeldung des Landesamtes für geistiges Eigentum
Antragsnummer 202410380653.0
Bewerbungstermin 30.03.2024
Antragsteller Xincun Technology (Wuhan) Co., Ltd.
Erfinder: Yang Hongxin, Chen Bin, Zhou Lingjun, Liu Jun, Ju Shaofu
Patentagentur Shenzhen Ziteng Intellectual Property Agency Co., Ltd.
Patentanwältin Meng Xia

Titel der Erfindung: Halbleiterbauelement und Speicher

Zusammenfassung:
Die vorliegende Anmeldung stellt eine Halbleitervorrichtung und einen Speicher bereit. Die Halbleitervorrichtung umfasst eine erste leitende Schicht und eine zweite leitende Schicht, eine Wahlschalterschicht, eine erste Adressleitung und eine zweite Adressleitung, die gegenüberliegend angeordnet sind Auf der ersten leitenden Schicht ist zwischen der zweiten leitenden Schicht und der zweiten leitenden Schicht die erste Adressleitung auf der Seite der ersten leitenden Schicht angeordnet, die von der Auswahlschalterschicht entfernt ist, und die zweite Adressleitung ist auf der Seite der ersten leitenden Schicht angeordnet zweite leitende Schicht entfernt von der Auswahlschalterschicht, wobei die erste leitende Schicht die erste leitende Schicht und/oder die zweite leitende Schicht Dotierungselemente enthält, die den spezifischen Widerstand erhöhen, wodurch der Widerstand in der ersten leitenden Schicht und/oder der zweiten leitenden Schicht erhöht wird , Reduzierung des während des Gerätebetriebs erzeugten Übergangsstroms und Reduzierung des maximalen Übergangsstroms. Der Einfluss des Stroms auf die Wahlschalterschicht kann die Lese- und Schreibzeiten des Geräts verlängern und dadurch die Zuverlässigkeit des Geräts verbessern.

Technischer Bereich:

[0001] Die vorliegende Anmeldung bezieht sich allgemein auf das Gebiet elektronischer Geräte und insbesondere auf ein Halbleiterbauelement und einen Speicher.

Hintergrundtechnologie:

[0002] In integrierten Schaltkreisen finden Schaltvorrichtungen viele Anwendungen, beispielsweise Transistoren und Dioden. Die Entstehung neuer Technologien für nichtflüchtige Speicher (NVM) wie Phasenwechselspeicher, Widerstandsspeicher usw. wird durch aufregende Entwicklungen wie Speicherklassenspeicher, Solid-State-Festplatten, eingebettete nichtflüchtige Speicher und neuromorphe Speicher vorangetrieben und anwendungsgesteuertes Computing.

[0003] In der aktuellen von Neumann-Rechnerarchitektur müssen große Datenmengen gelesen und zwischen DRAM und Speicher-SSD gespeichert werden. Zwischen beiden besteht ein großer Leistungsunterschied, der dazu führt, dass die Leistungsverbesserung des aktuellen von Neumann-Rechnersystems auf einen Engpass stößt. Derzeit wird vorgeschlagen, SCM (Storage Class Memory) zur Verbindung von DRAM und SSD zu verwenden, um die aktuelle Speicherarchitektur zu verbessern. SCM muss dabei viel schneller als NAND sein und gute nichtflüchtige Eigenschaften aufweisen. Unter den aufkommenden SCM-Speichertechnologien ist der Phasenwechselspeicher die ausgereifteste, von denen 3DXPT die vielversprechendste ist, mit den Vorteilen großer Kapazität, hoher Geschwindigkeit, Nichtflüchtigkeit und guter Zyklusleistung.

[0004] In jüngster Zeit ist die Forschung an einer nichtflüchtigen Speichertechnologie mit großer Kapazität, die die Schwächen des 3D-Xpoint-Speichers mildert, aktiv geworden. Diese Art von nichtflüchtigem Speicher wird als „Selector Only Memory (SOM)“, „Self‑Selecting Memory (SSM)“ oder „Single‑Chalkogenide Xpoint“ Memory (SXM)“-Technologie bezeichnet. Die großen Halbleiterspeicherunternehmen Samsung Electronics, SK Hynix, Micron usw. betreiben alle Forschung und Entwicklung. SOM unterscheidet sich vom 3D-XPoint-Speicher (und ähnlichen 3D-Crosspoint-Speichern) dadurch, dass es eine Kreuzschienenstruktur von Speicherzellen verwendet, die nur aus einem einzigen Selektor besteht. Der SOM-Speicher bietet die Vorteile einer einfachen Struktur, einer hohen Skalierbarkeit, einer schnellen SET/RESET-Geschwindigkeit, einer guten Zyklenlebensdauer, einer vertikalen Stapelung und keinem durch thermische Effekte verursachten Schreibübersprechen. Er ist ein vielversprechender nichtflüchtiger Speicher mit offensichtlichen Vorteilen in Bereichen wie Compute Express Link (CXL) und High Bandwidth Memory (HBM).
Patent CN118215387A

..oder mit anderen Worten, der SCM macht dort weiter, wo Intel/Micron sich mit Optane damals verabschiedet haben und sk_hynix ist mit seinen HBM3E ja auch seit einiger Zeit vertreten.
 
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Das liegt aber nicht an Crucial selber, sondern am SSD-Modell. Mit der P3 hast Du Dir eine Dram-less SSDs mit QLC-Flash "eingefangen". Das diese nicht gut performt bei Last, ist daher klar.
Bei anderen ähnlichen, Kingston NV1 oderNV2, würdest Du ins gleiche Problem laufen. Hands off von QLC, und bei hoher Belastung auch von Dram-less TLC, und Du wirst nicht in solche Probleme laufen.
Die genannte Lexar NM790 ist auch DRAMless und nur TLC, sollte also im Grunde dieselben Probleme haben wie QLC, halt nur weniger stark ausgeprägt, da auch TLC nach dem Füllen des Preudo-SLC-Caches umorganisieren muß. Tatsächlich schreibt die aber relativ konstant über den gesamten Speicherbereich und hat nicht diese extremen Einbrüche wie die P3, die während des gesamten Schreibprozesses nach wenigen Sekunden Schreiben 10 bis 20 Sekunden lang bei 0MB/s verharrt. Die P3 ist also auch abgesehen vom QLC einfach Schrott. Das stand aber natürlich nicht in der Produktbeschreibung, und Crucial hat sich auch geweigert, einen Produktfehler (nicht Fabrikationsfehler) einzugestehen und die SSD zurückzunehmen. Und auf der Produktseite wird sie bis heute mit "6fache SATA-Leistung" beworben. SATA geht bis 6GBit/s, was netto um die 700Mbyte/s sind. Das sechsfache wären über 4000, Crucial verspricht immerhin 3000 bis 3500. Die P3 schafft aber schon nach wenigen Sekunden nur noch rund 200MB/s beim Vollschreiben der SSD, was nur ein 17tel davon ist.... Das liegt auf HDD-Niveau, bzw., wird von modernen 3,5"-HDDs sogar locker getoppt.

Deshalb ist Crucial für mich gestorben. Da kaufe ich künftig lieber "Chinaschrott" mit guten Empfehlungen als sowas....
..die Lexar schaffte in meinem Eigentest rund 1,1Gbyte/s bei einmal vollschreiben. Trotz Dramless und TLC...
 
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Die Lexar hat lt. diversen Tests auch Probleme; bei verschiedenen Blockgrößen unter Last bricht sie ein bzw. wird unstetig. Typisch Dram-less halt.
Ich würde daher z.B. keine NM790 oder anderen Dram-less Kram (egal von welchem Hersteller) für nen ZFS-Pool mit VMs drauf nutzen oder wo permanent was tun muss. Never ever. Egal ob QLC oder TLC.

P3 (und QLC-Konsorten) kann konzeptionell _wegen_ QLC nicht gut sein. Das betrifft aber alle QLC Consumerlaufwerke und hat mit Crucial selber nichts zu tun. Es ist kein Produktfehler, sondern typisch QLC.
Samsung bewirbt die QVO auch euphorisch und schreibt nicht "kann auf unter 100 MB/s" einbrechen. Das tut kein Hersteller für QLC-Laufwerk, daher betrifft das auch Kingston und alle anderen QLC-Laufwerke.
Alle Angaben sind immer "bis zu" Werte.

QLC ist das Problem, nicht Crucial.
Billig kauft man halt zweimal; wie so meist. Daher ist es keine gute Idee, einfach SSD und Größe in Geizhals einzustellen und dann die billigsten Modelle zu kaufen. Oder nur anhand Herstellermarketing-"bis zu"-Auslobungen.
 
Ehrlich, mit dauerhaft 700MB/s (also einfacher SATA-Geschwindigkeit) hätte ich leben können, da die SSD ohnehin nicht als Systemplatte arbeitete. Aber 0MB als Quasi-Dauerzustand ist dann doch ein bischen wenig... :-)
Davon ab ist mir die QLC-Problematik natürlich bewußt. Und daß es auch in TLC richtig mies sein kann, zeigt ja gerade dieser Test hier....
 
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Mich würde mal interessieren, welcher Wert/Ergebnis denn genau bei den PCMark 8 Benches zb. bei BF3 für das Benchergebnis steht.

Hier zb. eine meiner HMB Fikwot 4TB (78% befüllt und ohne Update der SysInfo (hatte ich vergessen aufzuspielen)):

Anhang anzeigen 1041205

..ist schon ein ganz schön "betagtes" Tool für SSDs.

Wie wäre es mal mit umschwenken auf PCM10 inkl. Storagetool oder ist das zu teuer?
 
Ich finde eine Modellbezeichnung verpflichtet zum Erbe wesentlicher Eigenschaften und wenn wie hier genau die zusammengestrichen werden, gehört das massiv bei einer Bewertung abgestraft. Fur mich ist das jedenfalls eine Art "******", weil die Kunden es nur so kennen. Und den billigsten Scheißdreck - und das ist für mich eine HBM SSD ohne dedizierten SLC Cache - hat den Namen Evo, geschweige denn Evo Plus, nicht verdient. Samsung sollte sich was schämen.

EDIT: was hier zensiert wird ist schon lustig 😅
 
Wird sie aber tun, weil wir in der Realität nicht diesen "freien Markt" haben, wie er in der Schule und an der Uni gelehrt wird.
Ob sich YMTC wirklich mit Samsung, Micron SK Hynix und Kioxia/WD/Sandisk zu Preisabsprachen trifft?

Falls du freie Marktwirtschaft meinst, das ist ein Markt ohne staatliches Eingreifen, haben wir das nicht?

RAM-Preise steigen und fallen auch immer wieder, teilweise wurden da und bei SSD auch schon Verluste gemacht.

Das liegt aber nicht an Crucial selber, sondern am SSD-Modell. Mit der P3 hast Du Dir eine Dram-less SSDs mit QLC-Flash "eingefangen".

Das Problem ist Crucial bzw. deren Geschäftspolitik. Da fehlt was zwischen P3(Plus) und T500. Die P3-Serie ist mir bei 2TB eigentlich viel zu teuer für das Gebotene, da gabs/gibts für nen ähnlichen Preis eine Patriot Viper Lite und Teracle T-450, beide mit TLC, beider dauerhaft schneller.
 
Falls du freie Marktwirtschaft meinst, das ist ein Markt ohne staatliches Eingreifen, haben wir das nicht?
Nein, weil der Staat nicht so existiert, wie man sich das vorstellt, er ist eigenltich weitgehend ein Produkt der Marktführer.
Aber das ist eine andere Geschichte.
 
Laut PCM8 ist eine HMB Fikwot gar nicht mal so schlecht, verglichen mit den PCM8 Test hier zu der 990EVO+:

Gesamtwertung: 854.66 MB/s (zwischen SN580 und P5Plus)

Battlefield3: 668.42MB/s (zwischen VP4000 uns SN580)
WoW: 384.97MB/s (zwischen 990EVO+ und SN5000)
After Effects: 554.18MB/s (zwischen P5Plus und NV7000)
Adobe Indesign: 1061.82MB/s (zwischen NV7000 und P5Plus)
Adobe Illustrator: 605.36MB/s (zwischen SN580 und P5Plus)
Adobe Photoshop: 1639.14MB/s (zwischen MP600 und Exceria Pro)
MS Exel: 821.60MB/s (zwischen 990Pro und SN850X)
MS Powerpoint: 981.95MB/s (zwischen NV7000 und 990Pro)
MS Word: 933.33MB/s (zwischen VP4300 und SN850X)

HMB ist halt nicht gleich HMB. Wundert mich eh, dass man hier immer die guten CN SSDs bei den SSD-Benches ausspart.
 

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